卤代化合物的碳—13化学位移模拟

用人工神经网络和多元回归方法对含２个碳的２１个卤代化合物的３５个化学位移进行计算机图像模拟，结果表明，人工神经网络方法优于多元回归方法，同时此种方法处理这类问题有明显的优势，波谱模拟技术在有机化合物结构解析中是非常有用的方法。     

(4S)-4-羧基杂氮硅三环的合成

利用L-N,N-双(β-羟乙基)丝氨酸及L-N,N-双(β-羟乙基)苏氨酸与三乙氧基硅烷或氯烷基三乙氧基硅烷反应合成了具有手性的(4S)-4-羧基杂氮硅三环(1～5),并运用IR、~1HNMR、EI-MS等手段表征了结构。证据显示存在着贯穿笼状结构的N→Si配键。     

双邻苯二酚锑二甲基羟乙铵的晶体结构

含锑配合物是治疗血吸虫病、肿瘤等的常用药物,我们曾对双邻苯二酚锑二乙基羟乙胺进行了晶体结构测定,本文简要报导双邻苯二酚锑二甲基羟乙胺的结构.锑化合物的制法与其二乙基羟乙铵衍生物类似.产物为淡黄色晶体,它在水溶液中长时间放置会变成紫黑色,因此,制得的晶体须立即用丙酮溶解进行重结晶.晶体的密度为1.667g/cm~3.按C_(16)H_(20)O_5NSb的元素分析结果(％)如下:Sb 28.3(28.5),C 43.9(44.9),N 3.3(3.3),H 4.7(4.7).括号内为理论值.     

MONTE CARLO STUDY ON THE CRITICAL ADSORPTION POINT OF BOND-FLUCTUATED POLYMER CHAINS TETHERED ON ADSORBING SURFACES

 The behavior of three-dimensional bond fluctuation model chains tethered on an adsorbing flat surface was simulated by the Monte Carlo method. The dependence of the number of surface contacts M on the interaction strength e and the chain length N was investigated by a finite-size scaling law M = N[a₀ + a₁N^1/v_k + O((N ^1/v_k)²)] for e near the critical adsorption point e_c, i.e., k ≡(e-e_c)/e_c closes to 0. The critical adsorption point was estimated to be e_c = 0.93, and the exponents  = 0.49 and 1/v= 0.57.     

氮杂冠醚与碱金属离子配位反应的研究

滴定量效法是研究反应热化学和热力学的重要手段之一．用这种方法对冠醚与金属离子的配位反应热力学性质进行研究一直受到很大关注【且S习．但是对氨杂冠林，尤其是一系列结构相似的氨杂冠醚体系进行系统的热力学性质研究的报导不多．前文K则曾报导了用自组装的消定量热计对银（I）－a吹体系和铜（11）·N，N’一问位取代革基乙二胺体系的配位反应热化学研究结果·本文报导从（对位取代革基）k杂15冠5卜RPW15CS，R＝CIZH；CHa；CHso）与碘化钠和碘化钾在25T、无水乙过溶液中进行配位反应的消定量效研究结果．讨论了配体上取代基的电…     

New flavonoids from Oxytropis myriophylla

Eight compounds were isolated from Oxytropis myriophylla. On the basis of spectral analyses, their structures were elucidated to be (6R,9R)-roseoside (1), (6R,9S)-roseoside (2), adenosine (3), myriophylloside B (4), myriophylloside C (5), myriophylloside D (6), myriophylloside E (7), and myriophylloside F (8). Five flavonoids (4-8) were new compounds, and the three known compounds were isolated from this plant for the first time.     

As(Ⅲ)-Cu(Ⅱ)协同抑制鲁米诺-MnO_4~-化学发光反应的研究及其应用

本文报道了As(Ⅲ)-Cu(Ⅲ)两种离子对鲁米诺-MnO_4~-化学发光反应的协同抑制作用,据此拟定了测定微量As(Ⅲ)的化学发光新方法。该法灵敏度较高,检测限为6.8×10~(-9)g/ml As(Ⅲ),选择性也较好,同时线性范围宽(7.0×10~(-9)～3.0×10~(-6)g/ml),测定手续简便。应用本法测定工业废水中的As(Ⅲ),结果满意。     

n型砷化镓微区光电化学腐蚀过程

在n-GaAs电解液界面,用聚焦He-Ne激光照射, 使n-GaAs表面发生微区光电化学腐蚀, 用计算机控制步进马达, 使试样在X-Y二维方向扫描移动, 能在晶片上得到刻蚀点直径2 μm的刻蚀图案. 研究了激光相对光强, KOH、H_2SO_4、KCl等刻蚀剡的浓度, 光腐蚀的时间, 电极电位等因素对腐蚀点的直径和深度的影响, 通过实验数据找出腐蚀过程的规律, 并用光电化学原理进行解释.