四能级原子系统中量子相干增强的Kerr非线性效应的研究

应用密度矩阵方程计算了四能级原子系统中三阶非线性极化率随信号光和探针光频率失谐的变化关系。结果表明，由于量子干涉对信号光强度的敏感性，使四能级原子介质的交叉Kerr非线性作用大大增强，与三能级系统相比，四能级原子介质的Kerr非线性系数可增强两个数量级。     

聚苯硫醚／石墨基双极板复合材料性能的研究

以聚苯硫醚树脂和人造石墨为原料一次模压成型制备双极板复合材料.研究了模压成型过程中加压时机、冷却方式及人造石墨原料对复合材料电导率和弯曲强度的影响.结果表明,制备聚苯硫醚/石墨基双极板材料宜选用石墨化程度较高且结构密实的石墨粉料;采用保温后加压及空气中冷却方式制备的复合材料的综合性能较优.     

计算机模拟织物变形形态的研究现状

介绍了国外计算机图形学界对织物变形形态的研究现状．按建模原理分为几何方法。物理方法及综合方法．     

5-(对羧基苯偶氮)-8-羟基喹啉与钍的显色反应及应用

研究了钍与5-(对羧基苯偶氮)-8-羟基喹啉(5-CPAHQ)的显色反应条件:在阳离子表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵(CTMAB)存在下,pH4.4-5.4缓冲介质中,形成稳定的橙红色络合物,最大吸收波长为490nm,ε=1.10×105L·mol-1·cm-1,钍在0-9μg/25mL范围内符合比尔定律。用TBP萃淋树脂分离,该方法可用于测定矿石中的微量钍。     

Adams谱序列中α~s(n)h0hk的收敛性

证明了(i)在p≥ 5,2≤s≤p- 1 ,k≥ 2时, β_sh₀h_k+1收敛到E_∞ ;(ii)在p≥7,3≤s≤p-1,k≥3时, γ_sh₀h_k+1收敛到E_∞.     

质子滴线区新的缓发质子先驱核121Ce

藉助核反应⁹²Mo(³²S ,3n)产生了未知的缓发质子先驱核¹²¹Ce ,并利用氦喷嘴快速带传输系统和“p-γ”符合方法对它进行了鉴别 .测定了¹²¹Ce的半衰期 ( 1.1±0 .1 )s,观测了它的β缓发质子能谱 ,粗略地估计了它的β缓发质子衰变道的分支比约为1% .首次观测了先驱核¹¹⁹Ba,¹²¹Ba和¹²²La经过β缓发衰变在“子核”中产生的低位能级到基态的γ 跃迁.     

Prisoner＇s Dilemma Game with Heterogeneous Influential Effect on Regular Small-World Networks

The effect of heterogeneous influence of different individuals on the maintenance of co-operative behaviour is studied in an evolutionary Prisoner＇s Dilemma game with players located on the sites of regular small-world networks. The players interacting with their neighbours can either co-operate or defect and update their states by choosing one of the neighbours and adopting its strategy with a probability depending on the pay off difference. The selection of the neighbour obeys a preferential rule： the more influential a neighbour, the larger the probability it is picked. It is found that this simple preferential selection rule can promote continuously the co-operation of the whole population with the strengthening of the disorder of the underlying network.     

聚偏氟乙烯辐射效应的研究——II.晶区辐射损伤点的研究

研究了聚偏氟乙烯 (PVDF)晶体结构与辐射效应的关系 .利用不同的热处理条件 ,获得了 7种不同规整性、不同结晶度的样品 ;通过对其辐射效应的研究 ,探讨了材料结晶区和晶区内不同部位的辐射效应以及这些不同的结构对材料辐射效应的影响 .使用示差扫描量热分析 (DSC)测量样品零熵产生相变温度、结晶度等随吸收剂量的改变 ,以及不同退火条件样品的辐射效应 .讨论了PVDF样品晶体辐射损伤与样品结构的关系 .利用电子自旋共振谱仪 (ESR)测量不同辐照后样品残余自由基的浓度及这些残余自由基加热条件下的不同命运 .结合DSC分析及X射线衍射分析得到晶体辐射损伤是从晶体表面折叠圈区和晶体茎杆内部缺陷区同时开始的结论