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71.
陀螺漂移测试转台直流力矩电机系统中存在的非线性滞滑摩擦,使转台在PID控制下存在滞滑极限环。为提高转台定位精度,应用具有滞滑(stick-slip)摩擦的直流力矩电机系统模型,推导了一种补偿方法,对含有滞滑摩擦的PID控制转台直流力矩电机伺服系统进行滞滑摩擦补偿。在采用PID控制的转台电机系统定位工作状态下,这种滞滑补偿方法可以减小滞滑极限环的幅值。仿真结果证明了该补偿方法的有效性。  相似文献   
72.
以偏苯三甲酸和六水合硝酸钴为原料,通过水热法合成了2种反应时间不同的钴基金属有机聚合物(Co-MOP)。采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和N2吸附-脱附对Co-MOP材料进行了结构和形貌表征。将2种Co-MOP材料用作锂离子电池负极材料,并进行了电化学性能测试。结果表明,Co-MOP-12(水热反应12 h)展示出了优异的电化学性能,在100 mA·g-1的电流密度下,Co-MOP-12电极的首圈可逆比容量达到979 mAh·g-1,循环100圈后比容量高达1 345 mAh·g-1。  相似文献   
73.
以三氯氧磷和双酚A为原料制备了具有超支化结构的聚磷酸酯阻燃剂(HPPEA),通过红外(FTIR),核磁(1H-NMR,31P-NMR)及热重分析表征了产物的结构和热稳定性.将HPPEA与三聚氰胺聚磷酸盐(MPP)进行复配,通过熔融共混法制备阻燃尼龙6,通过氧指数法和垂直燃烧法测试了其阻燃性能,采用热重分析(TGA)研究...  相似文献   
74.
Porphyrin-filled nanofibrous membranes were facilely prepared by electrospinning of the mixtures of poly(acrylonitrile-co-acrylic acid)(PANCAA) and porphyrins. 5,10,15,20-Tetraphenylporphyrin(TPP) and its metal-loderivatives(ZnTPP and CuTPP) were studied as filling mediators for the immobilization of redox enzyme. Results indicate that the introduction of TPP, ZnTPP and CuTPP improves the retention activity of the immobilized catalase. Among these three porphyrins, the ZnTPP-filled PANCAA nanofibrous membra...  相似文献   
75.
层次分析法在步枪作战效能评估中的应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
应用层次分析法对两代(共10种)突击步枪和自动步枪作战效能的评估和排序进行了讨论,并对其作战效能和技术水平进行了判断.所得结论对了解我军装备的先进程度,适应新时期军事科学和战备具有特别重要的意义.  相似文献   
76.
偏压及测试环境对离子束DLC膜摩擦学行为的影响   总被引:1,自引:1,他引:0  
采用线性阳极层离子束技术制备了类金刚石薄膜(DLC膜),研究了不同衬底负偏压和测试环境对DLC薄膜摩擦学性能的影响.结果表明:在-50V偏压下,薄膜硬度和弹性模量最大,这主要与薄膜中高的sp3含量相关;衬底负偏压对薄膜在室温大气条件下的摩擦学性能影响不显著,薄膜总体呈现较低的摩擦系数和磨损率,显示出优异的抗磨损性能;线性离子束制备的含氢DLC薄膜的摩擦学行为受湿度及环境气氛影响较大,归因于环境中的氧气和水分造成的摩擦化学反应.  相似文献   
77.
Dini定理修正     
讨论经典Dini定理,证明当Dini定理的连续性条件被放宽成"un(x)一u(x)有最大值"时,同样可以得到一致收敛的结论.在函数项级数和含参变量积分中,Dini定理可以进行类似的修改.最后,给出修正后的Dini定理的一个具体应用.  相似文献   
78.
谱体积方法是一种本质上解决网格依赖性的高精度CFD计算方法,本文研究了二维Euler方程的谱体积方法,提出一种基于切比雪夫多项式的单元分割方法,建立了基于WENO的变量限制器方法,并发展了结合谱体积和控制体的问题单元标记方法.采用15°超声速压缩拐角和NACA0012跨声速流动两个典型算例进行验证,结果表明,该分区方法具有更好的计算精度,标记方法可有效识别不连续区域,在较少的网格下即可获得与密网格传统有限体积法相当的计算精度.  相似文献   
79.
柯三黄  王仁智  黄美纯 《物理学报》1993,42(9):1510-1514
采用LMTO能带方法,对两种不同应变状态下(自由形变和以InP为衬底),应变层超晶格(InAs)1(InP)1(001)和与应变层超晶格的分子层相对应的应变体材料,以及无应变的体材料进行了第一原理计算,并采用冻结势方法求出了两种超晶格各分子层的平均键能。结果表明,能存在应变的情况下,异质界面两边的平均键能非常一致,且这种一致性受应变状态的影响很小,因而可以把它用来作为确定应变层超晶格价带边不连续值(△Ev)的普遍适用的参考能级。研究了应变对 关键词:  相似文献   
80.
研究材料中的无序细观微结构在体积中的尺度分布函数与在截面上观测到的尺度分布函数之间的变换关系,导出了变换方程,并阐明了对它应作统计解释。还给出了分布函数的矩的变换关系,讨论了粗糙面分维数与它和截面的交的分维数之间的关系。 关键词:  相似文献   
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