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Dr. Elie Geagea Ali Hamadeh Judicaël Jeannoutot Prof. Dr. Frank Palmino Nicolas Breault Prof. Dr. Alain Rochefort Dr. Samar Hajjar-Garreau Prof. Dr. Carmelo Pirri Prof. Dr. Christophe M. Thomas Dr. Frédéric Chérioux 《Chemphyschem》2023,24(15):e202300182
We demonstrate that the strong N2 bond can be efficiently dissociated at low pressure and ambient temperature on a Si(111)-7x7 surface. The reaction was experimentally investigated by scanning tunnelling microscopy and X-ray photoemission spectroscopy. Experimental and density functional theory results suggest that relatively low thermal energy collision of N2 with the surface can facilitate electron transfer from the Si(111)-7x7 surface to the π*-antibonding orbitals of N2 that significantly weaken the N2 bond. This activated N2 triple bond dissociation on the surface leads to the formation of a Si3N interface. 相似文献