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利用棱镜对引进频谱空间啁啾来补偿飞秒脉冲激光二次谐波产生中的相位失配,提高了倍频效率建立了一套全固态、多波长(1065nm, 532nm,823.1nm, 402nm)飞秒脉冲激光系统自制的Nd:YVO4激光器输出532nm绿光激光,最高平均功率可达5.6W当用2.5W绿光激光泵浦时,从自制的钛宝石激光器及经BBO倍频可分别输出中心波长为823.1nm和402nm,平均功率300mW和73mW,谱宽32.3nm和5.1nm,脉宽22fs和33.3fs、重复率108MHz的近红外和蓝光激光整个系统具有结构紧凑、倍频效率高、运行稳定的特点. 相似文献
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Fe-Al-N films were fabricated by reactive sputtering using a radio-frequency magnetron sputtering system. The effects of Al and N content and annealing temperature on microstructure and magnetic properties were investigated. The Fe-Al-N films, which have good soft magnetic properties, consist of nanocrystalline α-Fe grains and a small amount of other phases in the boundaries of α-Fe grains. The average α-Fe grain size is about 10-15nm. A slight amount of Fe-N and Al-N compounds precipitate in the boundaries of α-Fe grains and suppress their growth. Annealing improves the soft magnetic properties slightly by releasing the residual stress and reducing defects. 相似文献
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A virtual probe is a novel immaterial tip based on the near-field evanescent wave interference and small aperture diffraction, which can be used in near-field high-density optical data storage, nano-lithography, near-field optical imaging and spectral detection, near-field optical manipulation of nano-scale specimen, etc. In this paper, the formation mechanism of the virtual probe is analysed, the evanescent wave interference discussed theoretically, and the sidelobe suppression by small aperture is simulated by the three-dimensional finite-difference time-domain method. The simulation results of the optical distribution of the near-field virtual probe reveal that the transmission efficiency of the virtual probe is 102-104 times higher than that of the nano-aperture metal-coated fibre probe widely used in near-field optical systems. The full width at half maximum of the peak, in other words, the size of virtual probe, is constant whatever the distance in a certain range so that the critical nano-separation control in the near-field system can be relaxed. We give an example of the application of the virtual probe in ultrahigh-density optical data storage. 相似文献
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生长温度对In0.53Ga0.47As/InP的LPMOCVD生长影响 总被引:3,自引:0,他引:3
利用LPMOCVD技术在InP衬底生长了InxGa1-xAs材料,获得表面平整.光亮的In0.53Ga0.47As外延层。研究了生长温度对InxGa1-xAs外延层组分、表面形貌、结晶质量、电学性质的影响。随着生长温度的升高,为了保证铟在固相中组分不变,必须增加三甲基铟在气相中的比例。在生长温度较高时,外延层表面粗糙。生长温度在630℃与650℃之间,X射线双晶衍射曲线半高宽最窄,高于或低于这个温度区间,半高宽变宽。迁移率随着生长温度的升高而增加,在630℃为最大值,然后随着生长湿度的升高反而降低。生长温度降低使载流子浓度增大,在生长温度大于630℃时载流子浓度变化较小。 相似文献