Ru、Rh、Pd掺杂GaSb的电子结构和光学性质

运用第一性原理计算方法研究了过渡族金属TM(TM=Ru、Rh、Pd)掺杂GaSb的电子结构和光学性质,结果表明:TM掺杂GaSb主要以TM替代Ga(TM @Ga)缺陷存在,并可增强GaSb半导体材料对红外光区光子的响应,使体系光学吸收谱的吸收边红移;TM@Ga所引入的杂质能级分布于零点费米能级附近,这极大地增强了体系的介电性能,促进了电子-空穴对的产生和迁移,因而提升了掺杂体系的光电转换效率;Ru 掺杂对GaSb光学性质的改善最为明显,当掺杂浓度为6.25%(原子数分数)且均匀掺杂时,Ru掺杂GaSb体系对红外光区光子的吸收幅度最大,有效提升了GaSb光电转换效率和光催化活性。     

利用浓盐酸脱苯基方法合成混合二烃基二氯化锡

利用RSnPh3(R= Me3SiCH2、EtMe2SiCH2、Bu)和浓盐酸直接混合加热反应,合成了三种混合二烃基二氯化锡,通过IR,1H NMR和MS的测定,对产物的结构进行了表征;并探讨了反应时间、温度和浓盐酸用量对该反应产率的影响.实验结果表明,该方法与其它方法比较,具有操作简单、反应速度快、环境污染小、产率较高等特点;当四烃基锡与浓盐酸的物质的量比为1:8,在97 ℃反应7 min,混合二烃基二氯化锡的产率大于70%.     

2006～201O年宁波非公有制经济领域人才需求预测

通过建立GM(1,1)模型,结合宁波市2005年对非公有制经济领域人才资源的抽样调查数据,对2006～2010年期间宁波市非公有制经济领域人才需求量和人才质量进行动态分析和预测.     

Zn(Ⅱ)/γ-MnOOH体系化学吸附的密度泛函理论研究

采用密度泛函B3LYP方法对Zn(Ⅱ)在水锰矿(MnOOH)2(H2O)6簇模型表面的水合、一级和二级水解三类共11种吸附构型进行了理论研究. 计算结果表明, 水合吸附构型的稳定性顺序为DC(双角)>SE-B(单边-B)>SE-A(单边-A)>DE(双边), 水解吸附构型的稳定性顺序为DC>SE-A>SE-B>DE, 均符合鲍林第三规则; 热化学分析结果说明, 其吸附和水解是相互制约的两个过程, 这一结论通过前线轨道理论分析得到了证明; 自然布居分析结果表明, 吸附过程中电子由簇模型向吸附质迁移; 结合电子供体-受体相互作用和前线轨道组成分析了吸附产物的稳定性.     

微波硫灯发射光谱的理论模拟

通过实验观测了微波硫灯的发光光谱. 利用从头计算的多组态准简并微扰理论方法, 采用cc-pVQZ基组计算了S2分子B3Σu--X3Σg-态和B″3Πu-X3Σg-态的跃迁矩及其振动态之间跃迁的弗兰克-康登因子, 导出了S2分子振动分辨发射谱. 同时, 利用含时密度泛函方法计算了Sn(n=2~8)分子的吸收谱. 将计算得到的S2分子振动分辨发射谱与实验所测得的光谱分布进行了比较分析, 解释了微波硫灯的宽谱区发光光谱的特性.     

电磁脉冲模拟器前后过渡段锥角设计

 采用矩量法并结合快速多极子方法,对电磁脉冲模拟器内部场波形进行了数值计算,寻找过渡段结构与电磁脉冲波形等的关系,从理论上对模拟器前后过渡段的锥角进行了优化。结果表明：存在前后过渡段的结构都会激起场强沿传播方向的分量;前过渡段主要对工作区域场波形的上升沿产生影响,当前锥角减小时,场波形的上升时间先减小再缓慢增加;后过渡段主要对场波形的衰减部分产生影响,使场波形的衰减部分随着后锥角的增大而产生严重畸变。最终优化设计的电磁脉冲模拟器前过渡段的锥角为15°,后过渡段的锥角为20°,其仿真得到的波形较光滑,没有出现振荡及明显的畸变。     

脉冲电场屏蔽效能测试系统及测试方法

 自主研制了一套小型脉冲电场屏蔽效能测试系统,该系统由脉冲电场发射设备和脉冲电场测试设备构成。脉冲电场发射设备的天线口面前60 cm处可产生峰值达7.5 kV/m的脉冲电场,测试设备的动态测试范围达97 dB。系统采用光纤测量设备,在测量工作中能有效抑制强电磁场干扰。采用Matlab编写自动测量及数据处理程序,实现了数据采集与处理自动化。实验测量了金属桥架、控制柜、屏蔽帐篷、导电水泥混凝土房的脉冲电场屏蔽效能,其脉冲电场峰值衰减量分别为52,64,66,30 dB。实验表明可用脉冲电场的峰值衰减量来评估屏蔽体的脉冲电场屏蔽效能。     

基于微流控技术的细胞水平高通量药物筛选系统的研究进展

药物筛选是新药研发的关键步骤,创新药物的发现需要采用适当的药物作用靶点对大量化合物样品进行筛选.高通量筛选系统能够实现数千个反应同时测试和分析,大大提高了药物筛选的实验规模和效率.其中基于细胞水平的高通量药物筛选系统因为更加接近人体生理条件,成为主要的筛选模式.而目前发展成熟的高通量细胞筛选系统主要基于多孔板,存在细胞...     

In situ observation of NaBi(WO4)2 dendrite growth and the study on microstructure of solidification

The dendrite growth process of transparent NaBi(WO4)2 with small prandtl and high melting point was studied by using the in-situ observation system. According to the dynamic images and detailed information, there are two kinds of restriction effect on the dendrite growth, the competition between arms and branches and the convection in the melt. The dendrite growth rate was time dependent, and the rate of arm growth reached the maximum 5.8 mm/s in the diffusive-advective region and rapidly decreased in the diffusive-convective region. The growth rate of branch had the same change trends as the arm's. Based on the EPMA-EDS data of solidification structure of quenched NaBi(WO4)2 melt, it was found that there were component differences from stoichiometric concentration in the melt near the interface during the growth process.     

细胞松弛素B阻断微核法鉴定男性个体辐射敏感性的方法初探

初步研究了男性个体辐射敏感性的鉴定方法及标准.采集50名男性志愿者的外周血,分别给予不同剂量X射线照射,采用细胞松弛素B阻断双核法测定微核率(MNF),通过二阶多项拟合法,绘制微核剂量效应选项中心标准曲线,将个人微核剂量效应曲线与标准曲线比对后判断个体辐射敏感性.0.0～2.5 Gy剂量范围内,剂量效应二阶多项拟合的中...