主动声呐恒包络波形设计及其性能分析

为主动声呐设计恒包络的伪随机编码MSK调制波形。通过分析MSK信号表达式,得到波形的复包络信号。使用遗传算法优化伪随机序列,降低波形的自相关旁瓣,可减小声呐的虚警概率。通过优化复包络信号的自相关函数旁瓣值和互相关函数值,得到自相关性能和正交性能优良的恒包络波形,可以缓解多部声呐间的同频干扰。通过仿真分析波形的模糊度图,波形具有良好的频率分辨率和距离分辨率,可以取代峰均比过高的编码调相信号,满足主动声呐对运动目标的探测需求。     

Abel Chern-Simons项与复标量场耦合系统的正则量子化

应用Faddeev-Jackiw方法对Abel Chern-Simons项与复标量场耦合系统进行正则量子化,它表明用这种方法进行量子化更加直接和优美.     

碱蓝6B共振光散射法检测DNA

研究了碱蓝 6B与脱氧核糖核酸在酸性条件下共振光散射特征 ,考察了影响因素和最佳反应条件 ,建立了一种测定纳克级DNA的方法。在四硼酸钠 盐酸 (pH =2 90 )缓冲溶液中 ,线性范围为 10～ 10 0 4 μg·L- 1 ,相关系数为 0 9913,检出限为 4 2 μg·L- 1 ,用于合成样品的测定结果令人满意。     

artial Hermitian Conjugate Separability Criteria for Pure Quantum States

We propose a criterion for the separability of quantum pure states using the concept of a partial Hermitian conjugate. It is equivalent to the usual positive partial transposition criteria, with a simple physical interpretation.     

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基于当前应用较广泛的应变下临界电流测量装置Pacman,利用有限元方法对应变盘及超导线进行受力分析,得到了超导线轴向及横向的应变分布情况。结合Nb3Sn超导线偏应变临界电流定标律,分析了在两种极限假设情况(低丝间电阻和高丝间电阻)下超导线截面应变分布对临界电流的影响。     

基于改进的加速鲁棒特征的目标识别

为了提高加速鲁棒特征(SURF)算法的实时性和准确性,本文提出了一种结合AGAST角点检测和改进的SURF特征描绘算法。首先利用AGAST角点检测模板检测特征点,再使用增加对角信息的哈尔小波响应来生成特征点的描述子,之后利用特征袋对产生的描述子进行编码并生成新的特征向量,最后利用支持向量机(SVM)对特征向量进行分类,完成识别。本文以SIFT和SURF算法为对照,分别进行不同视角、光照和尺度的识别实验。实验结果表明,本文算法的平均识别率为98.0%、96.9%、97.1%,平均时间分别为66.1 ms、79.3 ms、41.0 ms,在识别率上较优于SURF算法,所耗时间约是SURF算法的1/3。     

HL-2M环向场线圈电磁场和受力的计算分析

在建的HL-2M装置的环向场线圈采用了比特板式结构,介绍了采用封闭多边形电流丝模型计算分析HL-2M装置环向场线圈电磁场和纹波情况;环向场线圈电流与环向场引起的电磁力以及与极向场产生的倾覆力也做了计算。计算结果对环向场线圈的设计具有一定的参考意义。     

频散可控格式的一种推广形式及其在爆轰波马赫反射中应用

频散可控格式是高精度捕捉激波的新格式.对原有频散可控格式(DCD)进行了推广,给出了适用于网格点排列不规则情况下的DCD格式,使其具有更广泛的适应性,在此基础上构造了在非结构三角形网格下的DCD格式.用一些典型算例对推广后的DCD格式进行检验,结果表明该格式是合理和可靠的,并能够较好地保留原有DCD格式的二阶精度.把推广后的DCD格式和具有8种组分和20个化学反应的基元反应模型相结合,对氢氧爆轰波在直管道中的传播问题及楔面上马赫反射问题进行计算,计算结果和实验结果比较表明,在非结构三角形网格下的DCD格式能够有效地捕捉爆轰波,在爆轰波阵面上不会产生振荡或是抹平间断现象.     

Suprathreshold Stochastic Resonance in a Single Comparator

Stochastic resonance usually appears when stimulus is too weak to overcome barriers in a nonlinear system. Unusually, we demonstrate that in a simple competitor as a prototype model, stochastic resonance can still occur when the stimulus is predominantly suprathreshold. This result provides new knowledge for understanding of mechanism underlying information process in biological systems and aIso finds appfications in signal processing.     

Ordered InAs Quantum Dots with Controllable Periods Grown on Stripe-Patterned GaAs Substrates

GaAs （001） substrates are patterned by electron beam lithography and wet chemical etching to control the nucleation of lnAs quantum dots （QDs）. InAs dots are grown on the stripe-patterned substrates by solid source molecular beam epitaxy. A thick buffer layer is deposited on the strip pattern before the deposition of InAs. To enhance the surface diffusion length of the In atoms, InAs is deposited with low growth rate and low As pressure. The AFM images show that distinct one-dimensionally ordered InAs QDs with homogeneous size distribution are created, and the QDs preferentiMly nucleate along the trench. With the increasing amount of deposited InAs and the spacing of the trenches, a number of QDs are formed beside the trenches. The distribution of additional QDs is long-range ordered, always along the trenchs rather than across the spacing regions.