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51.
系统研究了选区激光熔化(SLM)及热处理工艺对钴铬合金组织与性能的影响。通过设计正交实验,利用EOS M290选区激光熔化设备,优化钴铬合金成型的工艺参数;利用XRD、扫描电镜(SEM)、硬度仪及万能材料试验机对选区激光熔化钴铬合金的显微组织结构、物相组成及力学性能进行观察与测试。研究结果表明,选区激光熔化成型的最佳工艺参数为:扫描间距0.08 mm,扫描速度1110 mm/s,激光功率335 W,能量密度4.8 J/mm2,获得的致密度高达99.18%,且最佳的填充角度为67。SLM成型的钴铬合金的物相主要由相及少量相共存,微观组织由细小均匀的胞状晶及柱状晶构成;其硬度、抗拉强度及延伸率分别为41.0HRC,1032 MPa,10%,断裂机制主要为穿晶脆性断裂。热处理后显微组织发生相变,主要为相及少量相,并产生少量强化相M23C6(M=Cr,Mo,W);其硬度、抗拉强度及延伸率分别提升了6.1%,35.9%和17.6%,断裂机制主要为准解理断裂。 相似文献
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53.
采用光谱与图像相结合,实现了核桃仁蛋白质和脂肪含量预测及基于完整度和色泽的核桃仁外观品质分级。选用新疆"温185"核桃仁,采集了862.9~1704.02 nm和382.19~1026.66 nm范围高光谱图像。采用多元散射校正(MSE)和标准正态化(SNV)方法进行预处理后,通过竞争性自适应重加权采样算法与相关系数法,对核桃仁样品的蛋白质含量、脂肪含量、总色差3个参数进行了特征波段筛选。通过偏最小二乘回归(PLSR)算法建立了全光谱波段与特征光谱波段的蛋白质和脂肪含量预测模型,与全光谱波段相比,蛋白质含量特征波段预测模型的验证集决定系数(R2)由0.66增长到0.91,均方根误差(RMSEP)由1.37%下降到0.78%;脂肪含量特征波段预测模型的验证集R2由0.83增长到0.93, RMSEP由0.98%下降到0.47%。在外观品质方面,采用全光谱波段、RGB光谱波段、总色差特征光谱波段为输入,采用决策树、K近邻和支持向量机算法建立了核桃仁外观品质分类模型。通过对比发现,采用总色差特征波段建模,可大幅减低冗余信息的干扰,同时分类准确率也高... 相似文献
54.
在电流及温度分布满足“不变性”原理的基础上,本文分析了等离子体中心热区的能量平衡,求出了电子热传导系数,根据实验数据拟合出HL-1装置电子热传导系数的定标关系为X_e=6.8(n_(eq1))~(-1.2)。此关系与其他托卡马克装置的结果类似。 相似文献
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56.
57.
本文研究一类带粗糙核的参数型Marcinkiwicz积分算子与BMO(R~n)函数生成的交换子μ_(?,b)~ρ在齐次Morrey-Herz空间MK˙_(p,q)~(α,λ)(R~n)上的有界性,利用经典调和分析的方法和实变技巧,证明了μ_(?,b)~ρ是从MK˙_(p,q)~(α,λ)(R~n)到MK˙_(p,q)~(α,λ)(R~n)上有界的. 相似文献
59.
INFLUENCE OF γ-RADIATION ON THE DIELECTRIC CHARACTERISTICS IN Rb2ZnCl4 SINGLE CRYSTALS AT INCOMMENSURATE-COMMENSURATE PHASE TRANSITION 下载免费PDF全文
In this paper the influence of γ-radiation on the dielectric constants of Rb2ZnCl4 crystal at incommensurate-commensurate phase transition (hereafter abbreviated as INC-C transition) are studied. The thermal hysteresis occurs upon both cooling and heating runs, irrespective of whether the samples have been treated with γ-radiation or not. For the γ-irradiated sample, its transition point, Tc, between the INC and C phases is not changed, but the peak value of the dielectric constant at Tc increases abruptly, compared with that before γ-irradiation, When this sample is annealed at 40℃, the peak value restores to the incipient value for the sample free from γ-irradiation. The origin of the phenomenon of the thermal hysteresis of the dielectric constant may be due to the pinning effect of dejects or impurities in the samples. 相似文献
60.