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51.
获得长脉冲高功率微波(HPM)输出是HPM源技术追求的重要目标之一。从物理机理上分析了影响慢波结构HPM器件实现长脉冲HPM输出的因素,并利用长脉冲脉冲功率源和过模慢波结构HPM器件,开展了X波段长脉冲HPM产生实验。实验中,采用介质-铜阴极,并在慢波结构表面镀Cr,在导引磁场约0.7 T、二极管电压约400 kV、电流约10 kA、束流脉宽200 ns的条件下,获得了功率500 MW、脉宽约100 ns、主模为TM01的X波段长脉冲HPM输出。对实验结果的分析表明,脉冲功率源与HPM器件的阻抗不匹配,是导致HPM器件输出微波脉宽比电子束脉宽短、以及HPM器件输出微波功率效率较低的主要原因。 相似文献
52.
This paper proposes an alternative scheme for generating four-photon W state via cavity QED. The scheme bases on the resonant interaction of a A-type three level atom with two bimodal cavities. The detection of atom collapses the cavity to the desired state. Comparing with previous schemes, the advantage of this scheme is that the interaction time can be greatly shortened since it uses the resonant interaction between atom and cavities. Moreover, the proposed scheme is more experimentally feasible than the previous ones. 相似文献
53.
对一种由弱变和强变结构组成的锥形磁绝缘线振荡器进行了长脉冲实验研究。在二极管电压350 kV左右、电流约25 kA、脉宽约128 ns的条件下,获得了500 MW、脉宽约90 ns的高功率微波输出。对波形中出现的拐点进行了分析,研究表明:二极管电压波形好坏会对微波源的性能造成严重的影响,较好的电压波形是实现长脉冲运行的关键。同时对采用不锈钢平面负载、不锈钢丝网状负载以及石墨负载电子收集极进行了实验研究,研究表明采用石墨收集极可以输出较好的微波波形。 相似文献
54.
激光雷达探测北京城区夏季大气边界层 总被引:14,自引:0,他引:14
为了研究北京城区夏季大气边界层结构变化特征及大气边界层内气溶胶消光特性,2004年8月利用便携式米散射激光雷达对北京城区夏季大气边界层进行了系统观测。反演了观测站上空大气气溶胶的消光特性垂直分布以及大气边界层的高度。分析了气象条件和人类活动对大气边界层结构的影响。观测数据表明: 北京城区夏季大气边界层有明显的日变化特征,早晚比较低,日间有一个从低变高再变低的过程,中午前后达到最高。结合气象参数对测量数据进行的统计分析表明:北京城区夏季大气边界层高度相对稳定,多分布在1.8km以下,平均值为0.68km;大气边界层内存在浓度较高的气溶胶粒子,平均光学厚度(3km以内)在0.30左右。 相似文献
55.
56.
获得物频谱的三种系统 总被引:2,自引:0,他引:2
本文明确提出实现光学傅里叶变换的两个物理条件,概括地阐述了获取物频谱的三种装置及其特点,为实际科研工作介绍了三种可供选择的相干光学信息处理系统. 相似文献
57.
本文研究了两水平固壁间具有基本流动的两层不可压缩无粘无旋流体的浅水界面孤立波,利用多重尺度摄动方法求得了界面孤立波所满足的KdV方程和相应的单孤立波解,讨论了基本流动对界面孤立波的影响。 相似文献
58.
59.
本文应用核裂变的布朗运动模型,借助于计算机产生的无规力,直接解朗之万方程,得到核裂变的一系列暂态规律,与Weidenmuller等解Fokker-planck方程所得结果一致. 相似文献
60.
Effect of Reactor Pressure on Qualities of GaN Layers Grown by Hydride Vapour Phase Epitaxy 下载免费PDF全文
The influence of reactor pressure on GaN layers grown by hydride vapour phase epitaxy (HVPE) is investigated. By decreasing the reactor pressure from0. 7 to 0.5 mm, the GaN layer growth mode changes from the island-like one to the step flow. The improvements in structural and optical properties and surface morphology of GaN layers are observed in the step flow growth mode. The results clearly indicate that the reactor pressure, similarly to the growth temperature, is One of the important parameters to influence the qualities of GaN epilayers grown by HVPE, due to the change of growth mode. 相似文献