掺碳p型GaAs和InGaAs的金属有机物分子束外延生长

较为系统地研究了掺碳p型GaAs和InGaAs的金属有机物分子束外延(MOMBE)生长特性和电学特性。结果表明,衬底温度和分子束强度等生长条件对于样品的生长速率、空穴浓度及In组分含量等具有较大的影响,在InGaAs的生长中这种影响更为强烈。根据对实验结果的分析,可以认为,作为分子束源之一的TMGGa(CH₃)₃,trimethylgallium,三甲基镓的分解状态与生长条件的相关性,是引起生长速率和空穴浓度等变化的主要因素。 关键词：     

15GHz马赫—陈德尔型Ti：LiNbO3行波幅度电光调制器

比较了四种马赫－陈德尔调制器的结构特性，表明Ｚ切共面波导是最好的一种结构。用阶跃倒相电极设计了新型电光光波导幅度调制器，研制了包装式带尾光纤的有５段倒相电极的马赫－陈德尔调制顺。     

法国研究磁场制导技术

法国正在发展一种采用地磁场制导系统的新型灵巧弹药。与目前广泛使用的红外、激光、惯性以及GPS制导系统相比，地磁场制导系统更可靠，价格也更低廉。比如，在某些特定地区，GPS的信号强度不足，而且GPS制导系统容易遭到干扰；而地磁场在弹药飞行的整个过程中都保持恒定，可以作为导弹制导飞行的基准，而且地磁场更难于被干扰。此外，当GPS／惯性传感器组件用于制导炮弹时，其效能会受到火炮发射时产生的巨大加速度的影响；而地磁场传感器要坚固得多，完全不受发射加速度的影响。同时，进行商业化生产后，地磁场传感器的价格仅10欧元左右，还不到GPS／惯性传感器价格的1／1000。该系统已经经过了详尽的论证和模拟演示，演示样机的研制已完成60％，样机将在2～5年内问世。     

含硅芳香二酐的合成及其聚酰亚胺

从4-溴-l，2-二甲苯出发，经过三步反应合成了双-（3，4-苯二甲酸酐)二甲基硅烷单体，总产率为24．7％；由该单体与4，4′-二氨基二苯醚共聚合，经环化脱水反应得含硅聚酰亚胺，并对该共聚物进行了初步表征。     

重碳掺杂p型GaAs中纵光学声子与等离振子耦合模的Raman散射特性

对用MOMBE法生长的重C掺杂p型GaAs进行了Raman散射研究,结合理论分析,较好地解释了p型GaAs中纵光学(LO)声子与空穴等离振子耦合(LOPC)模的Raman散射特性,证明它具有与n型状态不同的特点,根据实验结果讨论了重掺杂对Raman散射谱的影响,发现LOPC模的散射峰特征(位置和宽度)与重掺杂效应程度具有很大关系。