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51.
精磨在光学生产中,是影响加工效率和表面质量的重要工序,用金钠石磨具精磨是光学加工中的一项新工艺,与古典法精磨相比,具有生产效率高、零件表面的几何精度高,粗糙度低等优点。在军转民的形势下,为了降低民品生产成本,适应光学镜头大批量生产的需要,作者承担了新工艺研制工作。本文全面叙述研制情况。  相似文献   
52.
合成了O-(硫杂蒽酮-[2]-基)-氧乙酸镍(II)配合物。通过元素分析,IR, DTA-TG谱对其结构进行了表征。研究表明:配体羧羰基脱质子后与镍离子配位,配合物中含有一定量的配位水。同时以紫外可见光谱、荧光光谱、园二色谱,电化学方法和凝胶电泳方法研究了该配合物与DNA的作用。结果表明,该配合物能在生理条件下比配体和金属离子更有效地切割质粒DNA,自由基捕捉剂的加入不影响配合物的切割活性。该配合物使DNA溶液的紫外吸收强度和园二色吸收强度降低,DNA的存在可使该配合物的氧化还原活性降低。与溴化乙锭和DNA的竞争反应说明,该配合物主要以嵌入方式与DNA结合。  相似文献   
53.
刘恒兴  栾静闻 《数学杂志》2008,28(2):157-164
本文研究了分歧理论中Г-等变分歧问题的F-BD有限决定性和Г-C^0触有限决定性问题.利用奇点理论和李群理论中的某些方法,获得了Г-BD有限决定性和Г-C^0接触有限决定性的一个判别准则,推广了P.B.Percell和孙伟志关于C^0接触有限决定结果.  相似文献   
54.
本文研究了分歧理论中Γ-等变分歧问题的Γ-BD有限决定性和Γ-C0接触有限决定性问题.利用奇点理论和李群理论中的某些方法,获得了Γ-BD有限决定性和Γ-C0接触有限决定性的一个判别准则,推广了P.B. Percell和孙伟志关于C0接触有限决定结果.  相似文献   
55.
原子转移自由基聚合法改性壳聚糖及其抑菌性研究   总被引:2,自引:2,他引:0  
合成了大分子引发剂(CS-Br)———壳聚糖(CS)接枝2-溴丙酰溴,然后以溴化亚铜与五甲基二乙烯三胺(PMDETA)为催化体系,氯甲基化甲基丙烯酸二甲氨乙酯季铵盐(DMC)为单体,利用原子转移自由基聚合法制备了新材料P(CS-Br-DMC)。重点研究了该材料对白色念珠菌、金黄色葡萄球菌和大肠杆菌的最低抑菌浓度(MIC)、抑菌圈直径及溶血性。同时考察了其在不同时间对三种菌种生长的影响,并且与壳聚糖本身的抑菌性进行了对比。结果表明,该材料比壳聚糖具有更好的水溶性和抑菌性,其对金黄色葡萄球菌的抑菌效果最佳。  相似文献   
56.
1IntroductionThe aim of the present paper is to construct an explicit expression of an heat kernel forthe Cayley Heisenberg group of order n.Hulanicki[1]and Gaveau[2]constructed the explicit expression of the heat kernel for theHeisenberg group by using p…  相似文献   
57.
 尽管分离式Hopkinson压杆(SHPB)和轻气炮作为较为常用的两种动加载手段已经被广泛应用到多种材料的动态力学特性研究之中,但由于其自身加载试件尺寸较小,难以满足真实的混凝土和钢筋混凝土的实验研究需要。为解决该问题,提出了一套大尺寸简易爆炸加载装置,将飞片设计为锥形,利用炸药直接驱动飞片,实现大尺寸加载。先用数值模拟完成对爆轰加载装置的初步设计和优化,通过模拟炸药驱动飞片的动力过程,给出飞片和药柱的优化尺寸;然后利用自制的同轴探针、脉冲形成网络和两台示波器进行靶场实验测定,研究飞片平面度,提出改进方案,最终为大尺寸混凝土和钢筋混凝土试件的动态加载实验做准备。  相似文献   
58.
比较了半导体激光器(LD)与He-Ne激光器的特点及区别,将半导体激光器应用于阿贝成像原理和空间滤波实验、迈克尔逊干涉仪的调整和使用实验中。通过对实验数据分析指出:半导体激光器可以替代He-Ne激光器在大学物理实验中使用。  相似文献   
59.
采用自动进样固相微萃取技术(Automated SPME)与毛细管气相色谱联用,对环境水体中的有机氯杀虫剂DDT进行了分析。萃取过程中采用纤维震动方式,缩短了萃取平衡时间,自动操作减小了分析误差。同手动SPME相比,自动SPME简单快速、准确,重现性和灵敏度得到很大提高,方法的检出限达0.2ng/L。对珠江三角洲养殖水体中DDT进行了分析。  相似文献   
60.
利用脉冲激光沉积的方法制备掺铒 Si/Al2O3多层结构薄膜,获得了由纳米结构的Si作为感光剂增强的Er3+在1.54 μm高效发光.利用拉曼散射、高分辨透射电镜和光致发光测量研究了在不同退火温度下(600-1000 ℃)纳米结构Si层的结晶形态变化,及对Er3+在1.54 μm的发光的影响特征.研究发现最佳发光是在退火温度600-700 ℃.在这个条件下纳米Si的尺寸和密度,Si和Er的作用距离以及Er3+发光的化学环境得到了优化.进一步,光致发光瞬态衰减谱研究表明,当纳米Si尺寸小时,衰减遵循单指数模式(慢过程),当纳米Si尺寸大时,衰减遵循双指数模式(快过程和慢过程),其中衰减中快过程来自类体Si的对激发态Er3+去激发过程,慢过程对应典型的纳米Si体系衰减过程.  相似文献   
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