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利用紫外-可见光谱和荧光光谱手段研究了四苯基卟啉钴(CoTPP)对苯胺、乙二胺和二乙胺的超分子固定用于脱除SO2. 紫外-可见光谱表明CoTPP与三种胺作用后生成CoTPP-胺配合物,Soret吸收带发生红移. 当通入SO2后,SO2与胺的作用强于CoTPP与胺的作用,CoTPP-胺配合物释放出CoTPP,CoTPP 在胺法脱硫过程中起到胺固定作用. 荧光光谱表明CoTPP与三种胺作用形成1:1的分子配合物,且为熵驱动反应. CoTPP与苯胺和二乙胺作用为吸热反应,CoTPP与乙二胺作用为放热反应. 相似文献
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高功率微波(HPM)通过使半导体器件特性退化和功能失效,从而干扰电子系统无法正常工作. 针对金属氧化物半导体(MOS)器件的HPM效应, 建立了高功率微波引起n型金属氧化物半导体场效应晶体管(nMOSFET)特性退化的物理过程与模型. 器件仿真结果中nMOSFET的输出特性曲线显示栅极注入HPM引起器件特性退化,包括阈值电压正向漂移、 饱和电流减小、跨导减小等;结合物理模型分析可知, HPM引起的高频脉冲电压使器件进入深耗尽状态, 热载流子数目增多,热载流子效应导致器件特性退化. MOS器件的HPM注入实验结果显示,器件特性曲线、器件模型参数变化趋势与仿真结果一致, 验证了HPM引起nMOSFET特性退化的物理过程与模型. 相似文献
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