首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   154篇
  免费   43篇
  国内免费   22篇
化学   33篇
力学   31篇
综合类   1篇
数学   54篇
物理学   100篇
  2021年   1篇
  2019年   1篇
  2017年   14篇
  2016年   1篇
  2015年   1篇
  2013年   1篇
  2010年   4篇
  2009年   26篇
  2008年   4篇
  2007年   1篇
  2005年   15篇
  2004年   2篇
  2003年   2篇
  2002年   27篇
  2001年   3篇
  2000年   1篇
  1999年   21篇
  1998年   58篇
  1997年   36篇
排序方式: 共有219条查询结果,搜索用时 46 毫秒
31.
ANewDevelopmentofaSingleModeLaserInterferometerWANGBaoguangZHUMengzhou(DepartmentofPrecisionInstrumentEngineering,TianjinUniv...  相似文献   
32.
本文根据层次分析法并借助灰色理论建立了灰色层次分析法,导出了灰矩阵最大特征值的一些性质,介绍了灰正互反阵的最大特征值与对应特征向量的两种数值解法.  相似文献   
33.
本文在EV(Eror in Variables)超总体模型下讨论有限总体两个指标值的同时估计问题,证明了样本均值作为整体均值的估计在均方差阵最小的意义下是最优的.  相似文献   
34.
 在文献[1]关于电子 离子束缚态的基本概念的基础上, 对电子-离子束缚态三体系统给出严格的薛定谔方程, 给出能量的近似解:(1)对pep束缚态, 释放单能Ep≈12.5keV的X射线; (2)对D+eD+束缚态, 释放单能ED≈25keV的X射线, 同时引发少量的核聚变, 放出γ、质子、中子、氚、3He和4He。这是两个独立发生的过程。以Ni-H和氘气辉光放 电实验为例,用束缚态模型给出定量的解释。进而提出太阳耀斑发生过程中也包含电子-离子束缚态放射12.5keV和25keV两种X射线并引发少量核聚变的过程, 给出了观测结果验证。  相似文献   
35.
 导出了磁绝缘传输线振荡器(MILO)中辐射场的非线性演化方程,并讨论了在临界值点附近可能出现非线性不稳定解的条件。结论是:(1)非线性增长速率与线性增长速率的比值g<1.2,且远离g+γ=1(γ为非线性相位增长率与线性相位增长率的比值)点时,出现非稳定解的失谐量临界值很小,而线性增长速率临界值临界值很大,容易出现非稳定解;(2)当g≥1.2时,任意小的失谐量都可以使场出现非稳定解;(3)线性增长速率越大,越不容易出现非稳定解。  相似文献   
36.
中国散裂中子源加速器质子束流加速能量为1.6 GeV,重复频率为25 Hz,撞击固体金属靶产生散射中子,一期工程的打靶束流功率为100 kW。直线加速器的设计束流流强为15 mA,输出能量为81 MeV。射频加速和聚束系统包括一台射频四极场加速器、中能束流传输线的两个聚束器、四节漂移管直线加速器加速腔和直线-环束流传输线的一个散束器,与之相对应,共有8个单元在线运行的射频功率源为其提供所需的射频功率。目前,直线射频功率源系统预研项目已全部完成,各项性能参数均已达到设计指标,当前正处在批产安装调试阶段。151013  相似文献   
37.
ElectrochemicalProbeofHydroxylationof4┐Nitro┐phenolbyCytochromeCwithHydrogenPeroxide*ZHUYi-min,WANGJin-cheng**,LIJing-hongan...  相似文献   
38.
StudiesonFreeRadicalEPR,SuperoxideDismutaseWater┐solubleLipidperoxideinTearsYUANYi*,ZHAOShi-hong,YANGShou,CUIYa-nanandZHAN...  相似文献   
39.
 给出了在单纯断路开关调节电路(F型)、断路开关-变压器调节电路(FT型)和变压器-断路开关调节电路(TF型)三种类型的电爆炸断路开关的理论模型和数值模拟结果,并对其性能进行对比和分析。  相似文献   
40.
 研究了退火条件和In组份对分子束外延生长的InGaAs量子点(分别 以GaAs或AlG aAs为基体)光学特性的影响。表明:量子点中In含量的增加将导致载流子的定域能增加和基态与激发态之间的能量间隔增大。采用垂直耦合的量子点及宽能带的AlGaAs基体可增 强材料的热稳定性。以AlGaAs为基体的InGaAs量子点,高温后退火工艺 (T= 830℃)可改善低温生长的AlGaAs层的质量,从而改善量子点激光器材料的质量。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号