Mo/HZSM-5催化剂上甲烷芳构化反应行为的改善-催化剂制备因素及反应物添加剂的考察

考察了6Mo/HZSM-5催化剂的不同制备因素对其甲烷芳构化反应性能的影响,包括甲烷气氛下以不同的程序升温速率(从600℃到700℃)预还原催化剂,及采用热溶液(70～80℃)浸渍制备催化剂等方法.在t=700℃,P=0.1MPa,SV=1500mL/(g-cat·h)的反应条件下,发现适当的程序升温速率预还原和热溶液浸渍制备等方法可以改善6Mo/HZSM-5催化剂的甲烷芳构化反应性能,提高催化剂的反应活性及稳定性.同时还考察了1.5%二甲醚作为反应物添加剂在不同反应温度、不同Mo担载量的HZSM-5催化剂上的甲烷芳构化反应性能,并与CO2,H2O的反应结果进行了对比.实验结果表明,在P=0.1MPa,SV=1500mL/(g-cat·h)的反应条件下,较高的反应温度及适量增加催化剂Mo担载量有利于进一步改善1.5%二甲醚/甲烷共进料情况下的芳构化反应行为;反应6h后催化剂的TEM照片显示,二甲醚与甲烷共进料改变了催化剂上积碳的形貌.     

原位X射线衍射研究VOx和MoOx在Al2O3上的分散

 采用原位X射线衍射技术考察了机械研磨法和浸渍法制备的负载型VOx(MoOx)/Al2O3催化剂在空气中升温时的晶相变化. 结果表明,采用草酸络合浸渍法制备的VOx/Al2O3催化剂上前驱体(NH4)2［VO(C2O4)2］分散均匀,在升温至200～300 ℃时前驱体开始分解, 300～400 ℃是主要分解区间,到400 ℃时分解完全; VOx物种是通过晶相HxV2O5进行分散的. 机械研磨法制备的VOx/Al2O3催化剂在升温过程中虽然VOx与Al2O3之间存在相互作用,但并没有观察到明显的自发分散现象, V2O5一直以晶体氧化物形式存在. 在空气中升温至400 ℃时,浸渍法制备的MoOx/Al2O3催化剂上(NH4)6Mo2O24·4H2O已完全分解成MoO3. 机械研磨法制备的MoOx/Al2O3在加热过程中分解生成的MoO3与浸渍法得到的MoO3不完全相同,主要体现在(040)和(060)晶面的含量不同; 机械研磨法制得的催化剂在500 ℃下焙烧1 h的分散度小于浸渍法制备的催化剂.     

9—冠—3衍生物载体锂离子选择性电极

报道了两种９－冠－３衍生物的合成，并以合成的化合物作载体研制了对锂离子响应的ＰＶＣ膜电极。以乙基－９－冠－３为载体的锂离子电极的能斯特响应为１０×１０－１～５２×１０－５ｍｏｌ／Ｌ，斜率为（５７４±０３）ｍＶ／ｐ［Ｌｉ］（２５℃），检测下限为２４×１０－５ｍｏｌ／Ｌ。电极具有良好的稳定性和重现性，用于实际样品测定，结果满意     

镍基催化剂上糠醛选择性加氢合成糠醇

采用浸渍法制备了一系列负载的Ni催化剂,用于糠醛选择性加氢反应.用XRD、TPR等手段对Ni/γ-Al2O3样品进行了表征.结果表明,Ni负载量在5~|15%范围内,高度分散于载体γ-Al2O3表面,Ni负载量进一步提高到20%,则在载体表面聚集成为微晶.在10%Ni/γ-Al2O3样品上提高焙烧温度有利于Ni的前驱体分解且高度分散于载体表面.Ni2 与γ-Al2O3存在较强的相互作用,但这种相互作用随着Ni负载量的增加而逐渐减弱,随着焙烧温度的增加而逐渐增强.与其他载体负载的Ni催化剂相比,Ni/γ-Al2O3由于其大的表面和适当的表面结构,在糠醛加氢反应中表现出一定的活性和较高的选择性,且随着Ni负载量的增加,活性逐渐增强,但选择性有所下降.另外催化剂的焙烧温度、还原温度,反应温度和溶剂对该反应均有较大影响,采用极性有机溶剂,适宜的焙烧和还原温度有利于催化剂活性和选择性的提高.     

高松装密度CeO2的制备研究

通过CeCl3与(NH4)2C2O4共沉淀反应制备Ce2(C2O4)3前驱体. 前驱体Ce2(C2O4)3经高温焙烧, 得到CeO2. 研究了共沉淀反应温度、 pH、加料速度对CeO2松装密度的影响. 结果表明, 在pH为4.0左右, 反应温度为20 ℃, 加料速度为2 ml*min-1的条件下, CeO2的松装密度为2.01 g*cm-3.     

Temperature-Dependent Photoluminescence in Coupling Structures of CdSe Quantum Dots and a ZnCdSe Quantum Well

A coupling structure of CdSe quantum dots (QDs) and a ZnCdSe quantum well (QW) is fabricated by using the molecular-beam epitaxy technique. The effect o~ temperature on the photoluminescence (PL) of the structure is studied. The results reveal that the activation energy of exciton dissociation in the coupling QDs/QW structure is much higher than that of simple CdSe QDs, which is attributed to the exciton tunnelling from the QW to QDs through a thin ZnSe barrier layer. The results also reveal that the position and width of the emission band of the QDs vary discontinuously at certain temperatures. This phenomenon is explained by the QD ionization and exciton tunnelling from the QW to the QDs. It is demonstrated that the coupling structure significantly improves the PL intensity of CdSe QDs.     

Enhanced Spin Injection into ZnO Semiconductor Measured by Magnetoresistance

We prepare 2× （NiFe/CoZnO）/ZnO/（CoZnO/Co）×2 spin valve structures used for spin injection by sputtering and photolithography. In the junctions, the free magnetic layer 2× （NiFe/CoZnO） and the fixed magnetic layer （CoZnO/Co） × 2 are used to realize the spin valve functions in the external switch magnetic field. Since the wide gap semiconductor ZnO layer is located between the two magnetic semiconductor layers CoZnO, the electrical ,spin injection from the magnetic semiconductor CoZnO into the non-magnetic semiconductor ZnO is realized. Based on the measured magnetoresistance and the Schmidt model, the spin polarization ratio in the ZnO semiconductor is deduced to be 11.7% at 90K and 7.0% at room temperature, respectively.     

不断探索 勇于开拓——谈我在珠算教学中的一点体会

我是齐市财政职工中等专业学校的一名珠算教师，曾经担任过市珠算协会和省珠算协会训练基地的教练工作。几年来，在各级领导、同志们的关怀指导下，工作中取得了一些成绩，曾经多次带领选手参加过国家、省、市级珠算比赛，取得较好的成绩，受到多次嘉奖。     

亚纯单叶函数的判别定理与卷积定理

§引言 以表示D={|z|<1}上的解析函数全体;是中满足f(0)=f′(0)-1=0的子集,是中满足f(0)=1的子集。以表示在内亚纯并且具有展开式的函数类。S和∑分别和的单叶子族。对于0≤a<1,以S(a)和K(a)表示中分别满足 的a-阶星形函数族和a-阶凸函数族,以∑(a)表示中满足