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21.
为了进一步研究纳米导线阵列的排列形状以及阵列数目对其场发射行为的影响,利用镜像悬浮球模型对正方形以及六边形排列的纳米导线阵列的场发射行为进行计算与模拟,近似的得到纳米导线阵列的场发射增强因子满足如下的变化趋势:β=h/ρ(1/1+W)+1/2(1/1+W)2+3,其中h为纳米导线的高度,ρ为纳米导线的半径,W是以R为自变量的函数,R为纳米导线阵列的间距.结果显示纳米导线阵列的排列形状对其场发射性能的影响较小,而阵列间距则是影响场发射性能的关键因素:当R<R0时,场发射增强因子随着阵列间距的减小而急剧减小;当R>R0时,场发射增强因子基本不变,其中R0为导线阵列场发射的最佳间距.进一步研究表明改变纳米导线阵列的数目基本不会改变阵列的场发射性能随间距的变化趋势,但是随着阵列数目的增加,R0会有一定程度的减小,场发射增强因子也会降低.
关键词:
纳米导线
场发射
增强因子
阵列数目 相似文献
22.
为了解决高功率激光装置光束质量诊断系统的自验证问题,研究了基于空间相位调制的径向剪切干涉法综合诊断光束质量的实验应用。该方法理论上只需一台干涉仪且从单幅干涉图中获取光束的近场、相位和远场分布信息。实验结果表明,目前可以得到高分辨率的相位分布,由测量近场和相位恢复出的远场同CCD直接测量得到的远场形态相同,环围能量比曲线相当吻合,不足之处在于只能提取近场较低空间频率成分,还达不到CCD直接测量的空间分辨水平。 相似文献
23.
24.
采用改进分析型嵌入原子法计算了Pt(110)表面自吸附原子的能量和法向力.当Pt吸附原子位于Pt(110)表面第一层原子的二重对称洞位上0.11nm时最稳定.Pt吸附原子的最佳迁移路径是由一个二重对称洞位沿密排方向迁移到最近邻的另一个二重对称洞位.在吸附原子远离表面的过程中,将依次经过排斥、过渡和吸引等三个区域.在排斥区和过渡区,由于吸附原子与表面原子间强的相互作用势,吸附原子的能量和法向力的形貌图均为(110)面原子排列的复形,与对势理论和嵌入原子法得到的结果一致.在吸引区,由于多体相互作用及晶体中原子
关键词:
金属表面
自吸附
能量
力 相似文献
25.
27.
用三维样边界元法分析水闸闸室结构。底板,闸墩和载水墙等为其子结构,交通桥,工作桥和胸墙等处理为内部支撑。地基和边载可以是任意的,只要能给定地表位移面力关系。在各种工况下,不论是设置平板门还是弧形门,是平底板是反拱底板,即使在稀疏剖分下也能给出高精度的位移场,应力场和地基反力场。 相似文献
28.
29.
应用微机现场检测、显示、采集浆纱生产过程工艺参数,采用SN比正交试验优化浆纱工艺,并对最佳工艺实施控制和生产工序进行科学管理,从而提高布机织造质量和效率,取得显著经济效益。 相似文献
30.