特殊类型函数高阶导数与原函数的统一公式

本文通过研究几种特殊类型函数的高阶导数与原函数的求法 ,获得了由该类函数自身及其一阶导数的特征 ,即可快速写出该类函数的 n阶导数 y( n) 与原函数 y( - 1 ) 的统一公式 y( n) ( n=-1 ,1 ,2 ,3 ,… ) .该公式可给实际运算带来许多简化与方便 .     

关于《光谱学与光谱分析》收取审稿费的通知

<正>尊敬的《光谱学与光谱分析》广大作者、读者同志们,本刊自2006年底采用由"北京玛格泰克科技发展有限公司"开发的投稿系统实现网络采编以来,进一步扩展了审稿专家队伍。本刊参考同类期刊的现行做法,决定自2010年12月1日以后登记的稿件向投稿作者收取审稿费100元/篇,在您投稿之前,为免受经济损失,请您必须考虑:1.没有创新的一般性稿件,请您不要投稿。2.没有国家级基金资助的稿件,请您不要投稿。3.不是光谱专业的稿件,请您不要投稿。4.与其他文章重合率超过10%的稿件,请您不要投稿。作者在投稿后,将会收到缴纳审稿费的通知。请作者及时从我刊网站(http://www.gpxygpfx.com)查询稿件是否处于交     

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正尊敬的《光谱学与光谱分析》广大作者、读者同志们,本刊自2006年底采用由"北京玛格泰克科技发展有限公司"开发的投稿系统实现网络采编以来,进一步扩展了审稿专家队伍。本刊参考同类期刊的现行做法,决定自2010年12月1日以后登记的稿件向投稿作者收取审稿费100元/篇,在您投稿之前,为免受经济损失,请您必须考虑:     

敬告读者——《光谱学与光谱分析》已全文上网

<正>从2008年第7期开始在《光谱学与光谱分析》网站(www.gpxygpfx.com)"在线期刊"栏内发布《光谱学与光谱分析》期刊全文,读者可方便地免费下载摘要和PDF全文,欢迎浏览、检索本刊当期的全部内容;并陆续刊出自2004年以后出版的各期摘要和PDF全文内容。2009     

弹性半空间上中厚圆板弯曲的Fourier-Bessel级数解

本文对各向同性弹性半空间地基上中厚度圆板一般弯曲问题进行了系统的分析。板的挠度、荷载、地基反力及板下地基表面的沉降均被展开为二重Fourier-Bessel级数,这些级数中的待定系数由板的边界条件、板的控制方程及板-地基的相容条件加以确定,从而将弹性半空间地基与中厚度圆板的相互作用问题转化为数值积分和代数方程组的求解问题。数值计算表明,该级数解具有较快的收敛速度。     

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从2008年第7期开始在《光谱学与光谱分析》网站(www.gpxygpfx.com)"在线期刊"栏内发布《光谱学与光谱分析》期刊全文,读者可方便地免费下载摘要和PDF全文,欢迎浏览、检索本刊当期的全部内容;并陆续刊出自2004年以后出版的各期摘要和PDF全文内容。2009年起《光谱学与光谱分析》每期出版日期改为每月1日。     

对单缝衍射实验中空间非对称问题的分析

一、引言由理论知,夫琅和费单缝衍射光强分布曲线相对中央主极大两侧应出现对称的极小值和次级极大值,但在学生实验中常出现与理论不符的结果,关于强度不对称问题已有专文讨论。本文讨论衍射光强分布相对中央主极大左右两侧同级次的极小和次级极大值的位置坐标不对称现象,这可称之为“空间不对称”。有关的实验数据如下列表中所示。     

激光快速成型技术研究

激光快速成型技术由于其广范的应用前景而得到广泛深入研究^1,2,本文重点讨论我们研究所设计的激光快速成型系统的关键技术及其应用新领域逆工程．     

Time-Resolved Photoluminescence Studies of Indium-Rich InGaN Alloys

Time-resolved photoluminescence (PL) spectroscopy has be used to investigate indium-rich InGaN Mloys grown on sapphire substrates by metal organic chemical vapor deposition. Photoluminescence measurement indicates two dominant emission lines originating from phase-separated high- and low-indium-content regions. Temperature and excitation intensity dependence of the two main emission lines in these InGaN alloys have been measured.Temperature and energy dependence of PL decay lifetime show clearly different decay behaviour for the two main lines. Our results show that photo-excited carriers are deeply localized in the high indium regions while photo-excited carriers can be transferred within the low-indium-content regions as well as to high-content regions.