太阳盲MgZnO光电探测器

利用射频磁控溅射技术在石英衬底上制备了MgZnO合金薄膜,并采用传统湿法刻蚀的方法在薄膜上制备了梳妆叉指Au电极,构成金属-半导体-金属(MSM)结构.在室温下,实现了太阳盲MgZnO光电探测器,器件的探测峰值位于225nm,截止边为230nm.     

n-ZnO/i-MgO/p-GaN异质结发光二极管

用等离子体辅助分子束外延的方法生长了n-ZnO/i-MgO/p-GaN异质结发光二极管。I-V测量表明其具有典型的二极管整流特性。电致发光峰位于382nm,通过与n型ZnO和p型GaN的光致发光谱比较,其发光峰位与线形都与ZnO的自由激子发射一致,表明该电致发光来自于ZnO的自由激子发射。通过Anderson模型比较了n-ZnO/i-MgO/p-GaN和n-ZnO/p-GaN异质结的能带示意图,证明了由于MgO层的插入抑制了ZnO向GaN层中的电子注入,且有利于空穴向ZnO层注入,从而实现了ZnO层中的电注入发光。     

Li 掺杂ZnO薄膜的导电和发光特性

通过将含有原子数分数为2%锂的Zn-Li合金薄膜和金属锌薄膜在500℃氮气氛中退火2h,然后在700℃氧气氛下退火1h的方法分别制备出ZnO:Li和ZnO薄膜。Hall效应测量表明,其导电类型分别为p型和n型。通过He-Cd激光器的325nm线激发,测量了样品室温和低温(12K)光致发光光谱,并根据ZnO:Li薄膜的低温发光光谱特征,计算出Li相关受主能级位于价带顶137meV处。     

二维荷电粒子维格纳晶格:边界效应

采用一种非线性的优化方法,研究了处于硬壁限制势下二维带电多粒子系统的基态,分析不同形状边界对系统基态构型的影响.由于圆形边界对称性高,基态结构和抛物限制势下情况相似.在正方形边界下,当系统粒子数N<66时,荷电粒子形成方形晶格;当N≥66时,由于边界影响被削弱,内层粒子形成六角维格纳晶格.进一步分析了椭圆和矩形边界对维格纳晶格的影响.     

Growth and optical characteristics of ZnCdSe/ZnSe QWs on Si substrate with ZnO buffer

In this paper, the growth and characteristics of ZnCdSe/ZnSe quantum wells (QWs) prepared on ZnO-Si (111) templates are reported. An oriented ZnO thin film with a smooth surface was employed to be the buffer layer for the ZnCdSe/ZnSe QWs growth. Scanning electron microscopy (SEM) patterns showed that the ZnO buffer layer improved the smoothness of the ZnCdSe/ZnSe sample. Up to the 3rd longitudinal optical phonon of Zn0.56Cd0.44Se observed in Raman spectra suggests that the crystal quality of ZnCdSe/ZnSe QWs is reasonably good. The influence of quantum confinement effect on exciton characters of the QWs was also demonstrated.     

毛细管电泳-激光诱导荧光法测定人血浆中的富马酸比索洛尔

建立了毛细管电泳-激光诱导荧光检测(CE-LIFD)技术测定人血浆中富马酸比索洛尔含量的新方法。选用荧光素异硫氰酸酯(FITC)为衍生化试剂,当缓冲溶液为25mmol/LNa2B4O7(pH9.2)、分离电压25kV、柱温20℃、电动进样(10kV×8s)、以峰面积内标法定量、于激发波长/发射波长=488/520nm柱上检测时,富马酸比索洛尔得到较好分离。在选定的电泳条件下,对其线性范围(20～1000μg/L)、检出限(10μg/L)、重现性(日内和日间精密度分别小于4.44%和5.59%)和回收率(96.19%～101.80%)进行了测定。结果表明:迁移时间的重现性<1.58%;峰面积之比的重现性<6%。     

微介孔复合分子筛合成及其在汽车冷启动尾气控制中的应用

分别采用稀溶液和浓溶液双模板剂两步水热合成法,以二氧化硅微硅粉和铝酸钠为硅源和铝源,第一步获得β分子筛晶种,第二步以β分子筛晶种为结构单元组装形成兼具MCM-41分子筛和β分子筛结构特点的复合型分子筛β/M(其中β是指β分子筛,M是指MCM-41介孔分子筛).采用X射线衍射(XRD)、傅里叶变换红外(FT-IR)光谱、氮气吸附(BET)和高分辨透射电镜(HRTEM)对样品的物相结构和微观形貌进行了表征,并对复合分子筛的合成过程进行了分析.结果表明:复合分子筛β/M的形成是微孔β结构和介孔MCM-41结构的竞争生长过程,β分子筛晶种的晶化时间和晶粒度大小对β/M复合分子筛的结构有重要影响.此外,我们以甲苯为探针分子,比较研究了三类分子筛β/M、MCM-41和β的原样以及经高温水热处理后样品的吸附性能,结果表明:β/M复合分子筛的热稳定性优于介孔分子筛MCM-41,其甲苯吸附容量比MCM-41和β分子筛的高,其中以浓溶液法合成的复合分子筛吸附容量最高.     

树形结构Si/ZnO纳米线阵列的制备及光学性能

用一种低成本的方法制备出了树形结构Si/ZnO纳米线阵列。首先在室温条件下用金属辅助化学腐蚀法在Si(100)衬底上制备了Si纳米线阵列,Si纳米线的直径尺寸及分布都很均匀,通过改变腐蚀时间,能够得到高度不同的Si纳米线阵列。利用磁控溅射在Si纳米线表面制备一层ZnO薄膜,然后利用水热法在Si纳米线阵列上生长了ZnO纳米线。通过扫描电子显微镜(SEM)、能谱分析仪(EDS)和光致发光(PL)测试对样品进行了表征。通过这种方法制备的Si/ZnO复合结构在太阳能电池、光催化等领域有潜在应用价值。     

ZnO纳米线紫外探测器的制备和快速响应性能的研究

一维ZnO纳米结构由于具有比表面积大、室温下具有大激子结合能等特点而受到广泛关注. 但是如何实现纳米结构的器件一直是目前研究的一个挑战. 文章通过水热方法, 在玻璃衬底上实现了ZnO纳米线横向生长, 并制备出基于ZnO纳米线的金属-半导体-金属紫外探测器. 测量结果显示器件在365 nm处探测器的响应度达到5 A/W, 并且制备的探测器在空气中对紫外光照具有快速的响应, 其上升时间约4 s, 下降时间约5 s, 这与ZnO纳米线中的氧空位吸附和脱附水分子相关.     

Spectroscopy of the Forming Process of Quantum Dots Accompanied by the Thinning of Wetting Layer

A series of Cd0.44Zn0.56Se/ZnSe sandwich structures with different Cd0.44Zn0.56Se embedded layer thicknesses were fabricated by metal organic chemical vapor deposition. When the embedded layer thickness exceeded 3.0 nm, the photoluminescence spectra of the sample changed into the two-band structure from the one-band structure, and atomic force microscopy images indicate that Cd0.44Zn0.56Se quantum dots were formed. In the two-band photoluminescence spectrum, the band at the low energy side was attributed to be from quantum dots, and the high-energy one arose from the wetting layer. Thinning of the wetting layer with quantum dots forming was confirmed indirectly by the significant blue shift of the wetting-layer photoluminescence band compared to the photoluminescence band of the samples for which the Cd0.44Zn0.56Se layer thickness was less than 3.0nm. This thinning arose from mass migration during the Stranski-Krastanow growth of Cd0.44Zn0.56Se quantum dots.