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122.
在石墨电极上脱氧核糖核酸与米托蒽醌嵌入作用的电化学研究 总被引:11,自引:0,他引:11
本文研究了单链DNA分子在石墨电上的固定方法,采用核酸分子杂交技术,使具有电化学活性的米托蒽酯嵌入DNA分子双螺旋结构的碱基对中,在电极上形成dsDNA-MS层,通过伏安法研究DNA分子和MX相互作用的电化学行为。 相似文献
123.
TiO2/Pt/glass纳米薄膜的制备及对可溶性染料的光电催化降解 总被引:68,自引:0,他引:68
TiO2/Pt/glas纳米薄膜的制备及对可溶性染料的光电催化降解符小荣*张校刚**宋世庚王学燕谭辉陶明德(中国科学院新疆物理研究所乌鲁木齐830011,**新疆大学化学系乌鲁木齐)关键词光催化,TiO2,光电化学,薄膜,溶胶-凝胶法1996-09-... 相似文献
124.
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正则Dirichlet形式的正则子空间问题,即存在性及其刻画等问题,是作者关注近20年的问题,该问题来自第二作者对于Markov过程的Killing变换的Dirichlet形式刻画问题的研究,这个问题是Dirichlet形式理论的一个基本问题,在最近10年中取得了一点进展.本文将主要叙述问题及其背景,并介绍围绕该问题得到的一些结果与遗留的问题. 相似文献
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129.
以4T PPD(4个晶体管的钳位光电二极管)型CMOS图像传感器为研究对象,开展注量为1×1011,3×1011,5×1011,7×1011,1×1012 neutron/cm2的中子辐照下损伤模拟的研究,建立CMOS图像传感器的器件模型和不同注量中子辐照后位移损伤的缺陷模型;采用相关双采样技术测量由亮到暗连续两帧时序脉冲下浮置节点(FD)的输出值,建立测量电荷转移损失(CTI)的模拟方法;获得CTI随中子辐照注量的变化关系,分析CTI随中子累积注量的变化规律,结合中子辐照效应实验验证中子辐照诱发CTI退化的理论模拟计算结果的有效性。研究结果表明,CMOS图像传感器的位移损伤敏感区域为空间电荷区域,中子辐照后会在空间电荷区中引入位移损伤缺陷,这些缺陷通过不断俘获和发射载流子,使信号电荷不能快速转移到FD中,造成电荷转移损失;电荷转移损失随着中子辐照注量的增加而增大,二者在一定范围内呈线性关系。 相似文献
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An arylhydrazono-containing coumarin derivative(1) can undergo chemical conversions in two modes. When in the presence of Cu~(2+), a Cu~(2+)-promoted cyclization reaction was observed in aqueous acetonitrile and gives compound 2, while a ring-opening reaction occurs to give compound 3 in the absence of Cu~(2+). Both 2 and 3 were characterized by single-crystal X-ray diffraction. Compound 2 crystallizes in monoclinic C2/c space group with a = 26.606(5), b = 5.8142(12), c = 26.906(5) ?, β = 103.41(3)°, Z = 8, F(000) = 1696, μ = 0.186 mm~(-1), R = 0.0487 and wR = 0.1129. Compound 3 crystallizes in monoclinic P21/n space group with a = 9.917(2), b = 13.644(3), c = 15.912(3) ?, β = 95.38(3)°, Z = 4, F(000) = 896, μ = 0.182 mm~(-1), R = 0.0769 and w R = 0.1617. The spectroscopic studies show that compound 2 exhibits strong fluorescence emission. 相似文献