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单电子效应与单电子晶体管 总被引:2,自引:0,他引:2
由于半导体超微细加工技术的发展,在半径为几百nm的量子点结构上观察到由单个电子的阻塞和隧穿引起的电流振荡,分别称为库仑阻塞,单电子隧穿和库仑振荡,与此效应有关的现象还有库仑台阶,旋转门效应,旋转门器件可利用作为电流标准测量,单电子晶体管将是下世纪大容量存贮器的最好选择,单电子效应的研究将开辟一门新的“人造原子物理学”。 相似文献
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仲膦与直链单烯烃加成反应的原位~(31)PNMR谱研究夏春谷,宋焕玲,李达刚(中国科学院兰州化学物理研究所,羰基合成与选择氧化国家重点实验室,兰州730000)三价有机磷化合物(叔鳞PR3)具有较强的配位能力,可与过渡金属元素配位形成磷配位的配合物,... 相似文献
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化学文摘社和国际科技信息检索网 总被引:1,自引:0,他引:1
化学文摘社和国际科技信息检索网张立群(美国化学文摘社,ChemicalAbstractsService,P.O.Box3012.ColumbusOH43210,USA)张曼平(青岛海洋大学化学系,266003)从1907年建立以来,化学文摘社(CAS... 相似文献