基于掺杂压电薄膜的FBAR制备及研究

薄膜体声波谐振器(FBAR)具有体积小、工作频段高、性能强等优势,在滤波器领域有广泛的应用前景,其最核心的功能层为压电薄膜.本文采用磁控溅射方法,在6英寸硅片上制备了AlScN压电薄膜.对AlScN薄膜进行了分析表征,结果表明,AlScN压电薄膜具有良好的(002)面择优取向,摇摆曲线半峰宽为1.75°,膜厚均匀性优于0.6;,薄膜应力为10.63 MPa,薄膜应力可调.制作了基于AlScN压电薄膜的FBAR谐振器,其机电耦合系数为7.53;.在AlN中掺杂Sc能够有效提高压电薄膜的机电耦合系数,对研究FBAR滤波器的宽带化有重要意义.     

稻米及其植株器官、环境土壤中总汞的快速测定

为了快速获得稻米及其植株器官、环境土壤等系列相关样品中总汞的含量,运用直接测汞仪测量了稻米及其植株器官、环境土壤等系列相关样品中总汞含量,建立了一种快速检测稻米及其植株器官、环境土壤中总汞的方法。优化了仪器的各项参数,最佳仪器条件为裂解温度为650℃保持40 s,释放温度900℃;验证了液体或固体标准物质作外标曲线对样品检测结果无影响;考察了方法检出限、精密度、质控标准物质及加标回收等实验,方法检出限为0.13μg/kg,三次测量相对标准偏差(RSD)在0.60%～6.6%,质控标准物质测量值均在标准证书值范围内,加标回收率在90.7%～108%。结果表明,直接测汞仪能够在免化学消解样品的前提下,快速、准确地测量稻米米粒、植株器官、环境土壤等系列相关样品中总汞的含量。特别对汞含量较高的系列样品的检测有显著优势,显著降低汞的记忆效应,大大缩短了获取实验数据的周期。     

GaAs中过渡金属深杂质能级的计算

本文采用41个原子的原子族模型来模拟晶体,用电荷-组态自洽(SCCC)的EHMO方法和在边界上用"类Ga"和"类As"原子来饱和悬挂键,计算了中性过渡金属原子Cr、Mn、Fe、Co、Ni在半导体GaAs中的深杂质态,所得杂质能级在带隙中的位置与实验结果相符。     

改进型铜基甲醇含成催化剂NC208的活性相谱学表征

利用XRD和FTIR等谱学方法,对改进型铜基联醇催化剂NC208和工业催化剂C207的活性相进行了谱学表征.实验结果表明,联醇铜基甲醇含成催化剂的活性中心可能是Cu_x⁰-Cu⁺-O-Zn²⁺/Al₂O₃-MOx添加少量金属氧化物助剂的改进型NC208催化剂工作表面Cu⁺活性位的浓度比Cu－Zn－Al三组份工业催化剂C207高;NC208催化剂能维持工作表面具有较大的Cu⁺/Cu0比,即维持较高的Cu＋价态稳定性,这与该催化剂的活性和热稳定性明显优于C207有着密切联系.     

N-(对-取代苯基)氨基乙酸的离解常数

前曾报导了氨基乙酸氮原子上的氢被不同烷基、环烷基和芳基等取代后的酸碱强度的改变情况^[1,2].苯环取代后,由于氮原子上孤对电子和苯环π电子产生共轭效应,因而导致亚胺基的碱性大为降低.     

高分辨核磁共振谱计算机解析方法

本文应用哈密顿矩阵范数逼近方法,利用计算机计算了三自旋、四自旋系统高分辨核磁共振谱的化学位移和偶合常数。与一般迭代程序相比,简化了计算过程,提高了计算精度,并保证了解的唯一性。选择实验能级值作为哈密顿矩阵零级近似,避免了选取初始δ,J值的麻烦。本方法在图谱定量分析中取得了较好效果。     

铽-钆-钛铁试剂体系荧光光度法测定铽

研究了铽－钆－钛铁试剂协同发光体系的荧光光谱特性,确定了各种试验条件对体系荧光强度的影响,由于钆对铽－钛铁试剂荧光体系有协同发光效应,在铽－钛铁试剂荧光体系中引入适量的钆可使体系的荧光强度提高３０倍,体系的荧光强度与铽的浓度在２．０×１０＾－９－－６．０×１０＾－６ｍｏｌ／Ｌ范围内呈线性关系,检测限达５．０×１０＾－１１ｍｏｌ／Ｌ。采用标准加入法测定混合稀土样品中痕量的铽,测定满意结果。     

Rational synthesis, structural characterization and the third-order nonlinear optical properties of two new M-Cu-S (M = Mo or W) clusters

By the additional reaction of binuclear compounds (Me4N)2M2S4 (TDT)2 (M = Mo, W; H2TDT= H2CH3C6H3S2) with mononuclear cuprous complex, two new M-Cu-S clusters Mo2Cu2S4(TDT)2-(PPh3 )2·CH3CH2OH (1) and W2Cu2S4(TDT)2(PPh3)2·0.5CH3CH2OH-0.5H2O (2) have been prepared and characterized by IR, UV-Vis, 31P NMR spectroscopy, cyclic voltammetry and single crystal X-ray structure analysis . Both compounds crystallize in space group P 21 / n with lattice parameters a = 1.0956(3), b = 2.2072(3), c = 2.4340(3) nm, β= 100.36(2)°, V= 5.790(3) nm3 and Z = 4 for 1 and a = 1.0965(9),b= 2.2135(3), c = 2.4317(4) nm, β = 99.63(8)°, V= 5.819(8) nm3 and Z = 4 for 2. Both molecular structures contain a cubane-like cluster core [M2Cu2S4] (M = Mo, W) and their skeletons are almost the same except for M atoms. The syntheses, structures and spectrum characterizations of these two clusters are discussed. The third-order nonlinear optical (NLO) property of the two clusters was studied by the technique of forward degenerate four     

邻近基坑开挖顺序对既有隧道的变形影响分析

以邻近轨道交通2号线鼓外区间隧道的宁波绿地中心项目基坑为案例, 研究了基坑开挖对隧道水平位移、结构沉降、道床沉降的影响规律, 并利用PLAXIS程序分析了基坑分坑、分块开挖顺序对隧道变形的影响. 结果表明: 对隧道变形影响较大的是基坑与隧道之间的距离以及基坑分坑面积的大小, 两者呈线性关系; 开挖面积越大, 隧道变形越大; 基坑与隧道之间的距离越大, 变形越小. 邻近轨道交通的基坑开挖时, 应先远坑后近坑, 先小坑后大坑, 并采取跳挖的施工顺序. 具体研究成果可以为类似工程提供借鉴.     

微结构表面上FC-72的强化沸腾换热研究

针对电子器件的高效冷却问题,对表面加工有微结构的硅片上FC-72的池沸腾换热性能进行了实验研究。测试了四种表面微结构,采用化学蒸汽沉积法在芯片表面生成-SiO2薄层所形成的亚微米粗糙面(Chip CVD),采用溅射方法在芯片表面生成-SiO2薄层,然后再对SiO2层进行湿式腐蚀技术处理形成的亚微米粗糙面(Chip E),采用一系列微电子加工技术生成的微米级双重入口洞穴(Chip CAVITY)以及采用干式腐蚀方法生成的方柱微结构(Chip PF)。实验所得的沸腾曲线表明,所有微结构表面与光滑面(Chip S)相比都显示出较大的强化沸腾换热效果,临界热流密度按芯片 S、E、CVD、CAVITY和PF的顺序增大。对于芯片PF来说,随着壁面过热度的增加,热流量呈剧烈的增加趋势且临界热流密度时芯片的表面温度低于芯片回路正常工作的临界上限温度85℃,最大临界热流密度可达80 W／cm2。