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本文利用基于密度泛函理论的第一性原理研究了不同浓度的Mo掺杂BiVO4的V位的电子结构、光学性质和光催化性能.缺陷形成能的计算结果说明BiMoxV1-xO4(x=0.0625, 0.125, 0.25)三种掺杂体系都是可以稳定存在的.电子结构计算结果表明:BiMoxV1-xO4(x=0, 0.0625, 0.125, 0.25)四种体系的带隙分别为2.123 eV,2.142 eV,2.160 eV和2.213 eV.掺杂BiVO4体系的带隙值均大于本征BiVO4,且带隙随着Mo浓度的增加而增大. BiMoxV1-xO4(x=0.0625, 0.125, 0.25)三种掺杂体系的能带结构全部向低能量区域移动,导致掺杂体系导带底越过费米能级,Mo掺杂BiVO4后具... 相似文献
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