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共有20条相似文献,以下是第1-20项 搜索用时 437 毫秒

1.  B0.44C0.27N0.29化合物的合成、表征和性能  被引次数:3
   白锁柱 姚斌 苏文辉《物理学报》,2005年第54卷第10期
   以硼酸和三聚氰胺为原料,利用化学法、真空热处理及高温高压技术对BCN化合物的形成、结构及相变进行了研究.在真空10^-3Pa条件下,经1273K高温热处理得到非晶B-C-N前驱物.这种前驱物在920K以下为绝缘体,在920K由绝缘体转变为非晶半导体.在973-1003K和1013-1073K范围这种非晶半导体表现出不同的电导一温度关系,电导激活能分别为0.34eV和1.10eV,表明在两个不同的温度区域这种非晶半导体的导电机构不同.将这种前驱物在3.5GPa,经1473K退火40min后由非晶态转化为单相六方结构的B-C-N晶体,其成分为B0.44C0.27N0.29,晶格常数为a=0.2515nm,c=0.6684nm.六方B0.44C0.27N0.29晶体在1330,1364,1588和1617cm^-1出现四个强的Raman散射峰,其中1330和1617cm^-1被认为是六方B0.44C0.27N0.29晶体特征Raman散射峰.    

2.  B0.44Co0.27N0.29化合物的合成、表征和性能  
   白锁柱  姚斌  苏文辉《物理学报》,2005年第54卷第10期
   以硼酸和三聚氰胺为原料,利用化学法、真空热处理及高温高压技术对BCN化合物的形成、结构及相变进行了研究.在真空10-3Pa条件下,经1273K高温热处理得到非晶B-C-N前驱物.这种前驱物在920K以下为绝缘体,在920K由绝缘体转变为非晶半导体.在973-1003K和1013-1073K范围这种非晶半导体表现出不同的电导-温度关系,电导激活能分别为0.34eV和1.10eV,表明在两个不同的温度区域这种非晶半导体的导电机构不同.将这种前驱物在3.5GPa,经1473K退火40min后由非晶态转化为单相六方结构的B-C-N晶体,其成分为B0.44C0.27N0.29,晶格常数为a=0.2515nm,c=0.6684nm.六方B0.44C0.27N0.29晶体在1330,1364,1588和1617cm-1出现四个强的Raman散射峰,其中1330和1617cm-1被认为是六方B0.44C0.27N0.29晶体特征Raman散射峰.    

3.  新型BCN化合物的结构表征和相转变  
   白锁柱  姚斌  郑大方  邢国忠  苏文辉《物理学报》,2006年第55卷第11期
   将石墨和六方氮化硼(h-BN)混合粉球磨120h形成的非晶B-C-N粉在4.5GPa,1600K等温退火45min. XRD,TEM和Raman散射测量结果表明,高压合成的产物由晶格常数为a1=0.2551nm,c1=0.6716nm的六方Ⅰ相和a2=1.2360nm,c2=0.8570nm的六方Ⅱ相组成,其中六方Ⅱ相为B-C-N 新相. 在室温该新相在1279,1368,1398cm-1出现三个特征Raman峰. 变温Raman测量结果表明,在测量温度T=93K时,样品中的主要相为六方Ⅰ相,随着温度的升高,六方Ⅰ相逐渐向六方Ⅱ相转变,当T>473K时,六方Ⅰ相完全转变成六方Ⅱ相. 当温度从673K降到93K过程中,样品又从六方Ⅱ相逐渐变回到六方Ⅰ相. 对这一相变的机理进行了讨论. 关键词: B-C-N 机械球磨 高温高压 相转变    

4.  纳米磷化镓粉体还原氦过程的Raman光谱分析  被引次数:2
   张兆春 岳龙义《光散射学报》,2005年第17卷第2期
   利用Raman光谱对还原氮后的纳米磷化镓(GaP)粉体进行了表征。结果表明:纳米GaP粉体表面含有Ga-O,P-O和H-O化学键。此外,进行氮还原过程后,在Raman位移约为1700~3300cm^-1范围内(相当于709~800nm或1.55~1.75eV),纳米GaP的Raman光谱出现了一个宽、强荧光发射峰;而在未进行通氮处理的纳米GaP Raman光谱中,没有观察到该荧光峰的存在。本文对该荧光发射峰的起因作了初步分析。    

5.  苯海拉明的拉曼光谱和红外光谱研究  
   王吉有  郭姣  邹兆贵  孔乐  段苹《光散射学报》,2012年第24卷第4期
   测量并分析了盐酸苯海拉明的红外光谱和拉曼光谱。在Raman光谱中, 1001 cm-1出现一个极强峰, 在1030 cm-1和618 cm-1各有一个中等峰,此外,在红外光谱中, 714 cm-1和757 cm-1附近出现极强的吸收峰,认定这个化合物中存在单取代苯。C-N的对称伸缩振动出现在837 cm-1, 1433 cm-1和1470 cm-1分别为CH2和CH3的变形振动, 在红外光谱中, 1020 cm-1处明显的吸收峰属于C-O-C反对称伸缩振动。此外, 测量得到含量为25 mg苯海拉明药片的拉曼光谱与纯苯海拉明的拉曼峰比较一致, 可作为无损快速检测该药物的手段。    

6.  CuO纳米粒子的谱学特性研究  
   王丹军  郭莉  李东升  付峰  王文亮  闰宏涛《光谱学与光谱分析》,2008年第28卷第4期
   以六次甲基四胺为沉淀剂宿主、Cu(NO3)2为铜源在乙醇-水(1∶1,φ)体系中采用均匀沉淀法合成了前驱体Cu2(NO3)(OH)3,然后在不同温度下锻烧获得系列纳米CuO粉体,借助XRD,FTIR,XPS,FT-Raman和UV-Vis等测试手段对其谱学特性进行了系统研究。XRD分析表明,所得粉体为单斜晶系的纳米CuO,随锻烧温度的升高,粉体的粒径增大;XPS图谱表明,随热处理温度的升高CuO粉体的表面氧空位减少,导致表面吸附氧含量降低;FTIR图谱表明,随晶粒粒径的减小,在525cm-1附近处Cu—O键特征吸收峰明显宽化,且发生劈裂,劈裂小峰出现双移现象;FT-Raman谱图表明,随着粒径的减小,样品的拉曼散射峰出现宽化现象,并向低波数方向移动;UV-Vis吸收光谱表明,粉体在300~400nm之间有强的吸收,随着粒径的减小最大吸收发生蓝移。探讨了上述谱学规律的成因,对氧化物纳米粒子的谱学特性研究具有重要的借鉴意义。    

7.  纳米磷化镓粉体还原氮过程的Raman光谱分析  
   张兆春  岳龙义《光散射学报》,2005年第17卷第2期
   利用Raman光谱对还原氮后的纳米磷化镓(GaP)粉体进行了表征。结果表明:纳米GaP粉体表面含有Ga-O,P-O和H-O化学键。此外,进行氮还原过程后,在Raman位移约为1700~3300cm-1范围内(相当于709~800nm或1.55~1.75eV),纳米GaP的Raman光谱出现了一个宽、强荧光发射峰;而在未进行通氮处理的纳米GaPRaman光谱中,没有观察到该荧光峰的存在。本文对该荧光发射峰的起因作了初步分析。    

8.  cBN晶体的Raman光谱测量  被引次数:1
   陈立学  朱品文  马红安  郭伟力  陈洪亮  宋艳丽  贾晓鹏  邹广田《高压物理学报》,2008年第22卷第1期
    用R1000激光共聚焦Raman光谱仪研究了高温高压合成棒中的立方氮化硼(cBN)晶体、原材料六方氮化硼(hBN)和催化剂。Raman光谱测量结果表明:伴随cBN晶体生长的散射峰,出现了两条全新的Raman散射峰(约1.088 cm-1和约1.368 cm-1)。该散射峰所对应的物质可能是在高温高压条件下hBN向cBN转变时生成的不完全产物——BN的一种新相。这一结果将有助于进一步讨论cBN的生长机理。    

9.  MOCVD生长的GaN和GaN:Mg薄膜的拉曼散射  被引次数:2
   王瑞敏  陈光德  LIN J Y  JIANG H X《发光学报》,2005年第26卷第2期
   通过显微拉曼散射对用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在Al2O3衬底上生长的六方相CaN和掺Mg的P型GaN薄膜进行了研究。在两个样品的拉曼散射谱中同时观察到位于640,660cm^-1附近的两个峰。640cm^-1的峰归因于布里渊区边界(L点)最高声学声子的二倍频,而660cm^-1的峰为布里渊区边界的光学声子支或缺陷诱导的局域振动模。掺Mg的GaN在该处的峰型变宽是Mg诱导的缺陷引起的加宽或Mg的局域模与上述两峰叠加的结果。在掺Mg的样品中还观察到276,376cm^-1几个局域模并给予了解释。同时掺Mg的GaN中出现了应力弛豫的现象,掺Mg引起的失配位错和电子-声子相互作用都有可能对E2模的频率产生影响。    

10.  LPE碲镉汞薄膜的显微Raman谱与显微荧光谱分析  
   黄晖  唐莹娟  许京军  张存洲  张光寅《发光学报》,2003年第24卷第3期
   利用Raman显微镜系统对4块用液相外延(LPE)方法在Cd0.96Zn0.04Te衬底上生长的Hg0.8Cd0.2Te外延薄膜样品,在100~5 000cm^-1光谱范围进行测量,在实验曲线中除了观察到与碲镉汞材料晶格振动相符的类.HgTe的光学振动横模(TO1模)和纵模(LO1模)的Raman散射峰、类-CdTe光学振动横模(TO2模)和纵模(LO2模)混合的Raman散射峰以及来源于TO1 LO1的二级Raman散射峰外,在1 000~5 000cm^-1光谱范围首次发现了LPE碲镉汞薄膜的显微荧光峰,该显微荧光的发光范围换算为电子伏特标度为1.34~1.83eV.发光中心位于2750cm^-1即1.62eV,发光峰的半高宽(FWFIM)约为0.25eV。通过分析指出.该显微荧光来源于碲镉汞外延层中阴性离子空位与材料导带底的共振能级的发光。    

11.  纯六方相氮化铝泡沫材料的合成  
   吕惠民  石振海  陈光德《物理学报》,2009年第58卷第9期
   在15 mL的不锈钢反应釜中,利用无水三氯化铝与叠氮化钠在无溶剂的条件下直接反应,合成出了六方结构氮化铝泡沫材料,反应温度650 ℃,反应时间3 h.扫描电子显微镜测试结果显示,该试样呈现泡沫状外貌特征.X射线衍射结果表明该试样为六方结构.不同温度条件下的吸收谱表明在202 nm附近存在尖锐的吸收峰.红外吸收谱中存在1381 cm-1和730 cm-1两个吸收峰.同时,提出了六方结构氮化铝泡沫材料的合成机理. 关键词: 六方氮化铝泡沫材料 合成机理 X射线衍射    

12.  PbI2厚膜的结构、形貌与光谱性质研究  
   杨定宇  朱兴华  孙辉  郝东  李旭  高秀英《光谱学与光谱分析》,2014年第11期
   毫米级厚度碘化铅(PbI2)膜是制造下一代阵列高能辐射探测器的关键材料。采用近空间升华法制备了PbI2厚膜,研究升华源温度对制备样品晶体结构、表面形貌及光谱性质的影响。结果表明,随着源温度的升高,样品厚度由1 000μm下降到220μm。X射线衍射测试表明,厚膜为沿(002)晶面择优取向生长的六方相多晶结构,其晶粒尺寸、位错密度及生长应力与源温度密切相关。扫描电子显微镜测试显示,样品由六方片状颗粒堆积而成,其颗粒直径约为248μm,厚约32.7μm,有明显的层状结构。解谱拟合发现,样品的拉曼光谱有147,169,217和210cm-1等4个散射峰,前三个峰对应于4H晶型PbI2晶体的纵光学波振动模式,210cm-1来源于衬底SnO2的相关振动模式。随源温度的升高,147cm-1拉曼峰有明显变化,其峰强高于225℃时出现大幅度的下降,峰形展宽。在340nm光激发下,样品的室温光致发光谱在2.25,2.57和2.64eV附近出现弱的发光峰,来源于与缺陷和激子相关的复合。综合结构表征与光谱测试结果,200℃时沉积的PbI2厚膜具有最佳的结晶质量,其厚度约为659μm。    

13.  2-三苯基锗基乙基苯基酮、4-三氯锗基-4-甲基-2-戊酮及其类似物Raman及IR光谱  
   王吉有  曾宪顺  孙丽娟  张正之  徐晓轩  陆颖  张存洲《光散射学报》,2000年第12卷第3期
   我们合成有机锗化合物的重要中间体 4-三氯锗基 - 4-甲基 - 2 -戊酮 ( A)、3-三氯锗基 -3,5,5-三甲基环己酮 ( B)、2 -三氯锗基 - 2 -苯基乙基苯基酮 ( C)、2 -三苯基锗基乙基苯基酮 ( D) ,测量了他们的 Raman和 IR光谱并进行了讨论。在化合物 A- D的 Raman和 IR光谱 ,苯环中的 C- H伸缩振动 ,饱和 C- H伸缩振动 ,饱和 Ge- C伸缩振动等特征数据基本一致。C=O伸缩振动在 Raman和 IR光谱中位置基本一致 ,但在红外光谱中均为强吸收带 ,而在 Raman光谱中的峰强度差别则非常大 ,化合物 A、D的峰非常弱 ,而 C的峰则很强 ,化合物 A- C的 Ge- Cl振动均在 390 cm- 1附近出现强峰。    

14.  Si-Al-Zr-O系非晶原位晶化过程中的拉曼光谱和红外光谱研究  
   Tan XP  Liang SQ  Chai LY  Zhang GW  Zhang Y《光谱学与光谱分析》,2011年第31卷第1期
   借助Raman,IR和XRD等技术探讨了Si—Al—Zr—O系非晶在原位受控晶化过程中微结构变化。结果表明,Si—Al—Zr—O系非晶在920℃左右出现网络结构重整,形成了富Si区和富Zr和Al区。在920~950℃间,从富Zr区析出初晶相四方氧化锆,并从富Al区形成Al—Si尖晶石相。随着温度进一步升高,Al—Si尖晶石衍射峰先增强随后消失,同时在1200~1100,1000~700和650~400cm-1观察到莫来石的红外特征峰;当温度升高至1100~1150℃,出现了单斜氧化锆的拉曼特征峰179和193cm-1,同时形成了方石英,四方氧化锆和莫来石成为主晶相。说明在热处理过程中,Al不是以三氧化二铝形式析出而是先形成过渡Al—Si尖晶石相,随后与非晶二氧化硅反应形成莫来石晶相,Zr首先以四方氧化锆析出,高温下有小部分四方氧化锆发生相变转化为单斜相,其中过剩的非晶二氧化硅转化为方石英。    

15.  炸药爆轰合成纳米金刚石的拉曼光谱和红外光谱研究  被引次数:5
   文潮  金志浩  刘晓新  李迅  关锦清  孙德玉  林英睿  唐仕英  周刚  林俊德《光谱学与光谱分析》,2005年第25卷第5期
   用负氧平衡炸药爆轰法合成纳米金刚石,并用粉末X射线衍射(XRD)仪、激光Raman光谱仪和红外光谱仪等分析仪器对其结构进行表征。XRD结果表明,纳米金刚石为立方结构,由于其内部结构的高密度缺陷、杂质原子的夹杂使谱线偏离,晶格常数比静压合成的大颗粒金刚石大0.72%。由于金刚石晶粒细小,Raman光谱特征峰产生宽化,并且向小波数方向偏移了3cm^-1,此外在纳米金刚石中还含有极少量的石墨。红外光谱测试结果中,31422cm^-1吸收峰为O-H伸缩振动峰;在1634cm^-1出现了H2O的弯曲振动峰,表明在纳米金刚石样品粉末中含有水分;2930和2857cm^-1是CH2的反对称和对称伸缩振动吸收峰;2971cm^-1是CH3的反对称伸缩振动吸收峰,说明样品中存在极少量的碳氢化合物;1788cm^-1吸收峰为C=O伸缩振动吸收峰。文章从纳米金刚石的生成机理上分析了产生这些峰位的原因,结果表明纳米金刚石属于Ⅰ型金刚石,在它之中含有IaA型和Ib型金刚石,IaA型金刚石的含量比Ib型金刚石多。    

16.  非晶氧化锆水合物红外研究  被引次数:2
   王大志  罗毅  杨兰  姚琨  修向前  王正  汤洪高  袁望治《化学物理学报》,2000年第13卷第4期
   用红外吸收光谱(IR)结合X射线衍射(XRD)、差热(DTA)和理分析(TG)详细研究了氧化锆前驱物(溶胶凝胶法制得的非晶态氧化锆水合物)的结构,实验结果表明在非晶态氧化锆水合物中有三种不同的近程结构,它表现为不同条件下制得的非晶氧化锆水合物的红外吸收谱在1700~1200cm^-1水和羟基的弯曲振动吸收区出现1633、1551、1400和1340cm^-1四个不同的羟基吸收峰,这表明样品中有三种    

17.  四方相BaTiO_3及BaTiO_3∶Ce的拉曼散射特性研究  
   王瑞敏  赵铁男  刘竟青  朱恪  朱镛  吴星《光谱学与光谱分析》,1996年第1期
   本文报道了在室温下BaTiO3及BaTiO3:Ce的拉曼谱的特点,着重讨论了前向散射配置下两个1I(TO)模(位于275cm-1和516cm-1左右)出现在A1(TO)谱中的原因。通过设计特别的前向散射实验得到了此配置下由于晶体出射面对入射光的反射造成的背向散射的强度。在BaTiO3的前向散射谱中扣除了背向散射信号后,两个宽峰基本减掉,而掺Ce后经同样扣除背向散射信号两宽峰却依然很强。这样便证明了它们在前向散射中的出现与杂质有关系。在BaTiO3扣除背向散射后的谱中,还首次观察到一个位于492cm-1的峰。掺Ce后晶体的吸收曲线有很大变化,本文还讨论了吸收对散射强度的影响。    

18.  梯度式升温脱水制备LiBF4及其表征  
   周园  张昕岳  年洪恩  庞玉娜  王宏斌《化学学报》,2010年第68卷第14期
   用水溶液法以硼酸、氢氟酸和碳酸锂为原料制备出LiBF4水溶液,经浓缩、结晶、梯度式升温脱水得到锂离子电池电解质盐LiBF4,应用X射线衍射(XRD)、红外图谱、热分析对其进行了表征.研究结果表明:梯度式升温脱水避免了传统的迅速升温导致的部分水合物熔融包裹在晶体表面而妨碍内部晶体脱水,自制LiBF4与商品LiBF4的XRD图谱吻合,并与粉末衍射文件(PDF)卡片00-040-1431符合,确认为无水LiBF4,属六方晶系,空间群为P3121;LiBF4红外谱图分析中,1050 cm-1处的吸收峰分裂为两个分别处于1055和1038 cm-1的吸收峰,属于T2振动模式的v3(as)振动,在650 cm-1处出现中等强度吸收峰,属T2振动模式的δ3(s)振动;LiBF4的TG-DTG图谱中314.31 K处有一微弱分解峰,在516.48 K处出现强分解峰,失重率为72.33%,其分解过程可视为LiBF4分解为LiF和BF3.    

19.  2,5-二芳基噁二唑的研究(Ⅲ)──反式-2-{4-[2-(4-取代苯基)乙烯基]苯基}-5-(4-联苯基)噁二唑的合成、电子光谱与光性能  
   张文勤  杨梅  孙雁  周一民《高等学校化学学报》,1997年第1期
   2,5-二芳基二唑是具有较高的化学稳定性和激光转换效率的有机闪烁剂和紫外波段的激光染料.为了进一步研究该类化合物结构与光性能的关系,探寻吸收波长接近可见光区的激光染料,我们合成了8种具有较大的共扼体系的化合物I一Vlll:三结果与讨论正.1红外光谱与质谱化合物l-W的IR谱均在1080和730cm-’附近出现了与哈二吐环有关的较强红外吸收峰,而在966cm-‘处的C一H面外弯曲振动吸收峰则证明本文化合物具有反式结构.化合物l-Wb为芳香共扼分子,化学稳定性较高,因而其质谱图中分子离子峰均为基峰,其它碎片峰则相对较弱(表1).…    

20.  纳米六方相氮化铝的合成和光学性能研究  被引次数:1
   颜国君  陈光德  吕惠民《化学学报》,2006年第64卷第16期
   报道了以AlCl3和Mg3N2为反应物, 在500 ℃条件下, 用简易的设备, 合成六方相AlN纳米材料. 样品的XRD和XPS图谱表明, 实验得到的AlN样品是纯的六方相AlN, 其中的杂质相含量均小于仪器的探测灵敏度. TEM图表明, AlN样品呈多孔网络状结构, 网络的骨架大小在10~20 nm之间. 对AlN样品的光学性能的研究表明, AlN样品的禁带宽度值约为6.12 eV; 红外吸收谱以680 cm-1为中心形成一个很宽的红外吸收带; 其拉曼散射峰较AlN薄膜和AlN单晶向低波数方向移动.    

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