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共有20条相似文献,以下是第1-20项 搜索用时 562 毫秒

1.  硒化技术对CuInSe2薄膜表面形貌和晶相的影响  
   李健  朱洁《物理学报》,2007年第56卷第1期
   以共溅射法制备的Cu-In预制膜为衬底材料,以硒粉为原料,尝试了几种特殊的硒化方案,包括单源硒化法、双源硒化法、表面喷粉硒化法、分步硒化退火和同步硒化退火等5种具有代表性和创新性的方案,研究了硒源的摆放方式、升温方法对薄膜质量的影响,比较了不同方法制备的CuInSe2(CIS)薄膜在形貌、成分、相结构等方面的异同.系统地分析了硒化温度、退火温度和退火时间对CuInSe2薄膜成分的影响,研究了各元素的百分含量随硒化退火条件的变化规律,为更准确地把握CIS薄膜的成分和相结构提供有益的借鉴.    

2.  宽带隙Cu(In,Al)Se2薄膜的制备及表征  
   黄灿领  胡彬彬  王广君  李洪伟  龚时江  杜祖亮《高等学校化学学报》,2011年第32卷第12期
   以特殊脉冲电沉积方法制备CuInSe2(CIS)前驱体薄膜, 通过真空蒸镀法在CIS薄膜上沉积Al膜, 经硒化退火后在氧化铟锡(ITO)基底上制备了Cu(InAl)Se2(CIAS)薄膜. 采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱(EDS)、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)对其形貌、结构、成分及光学吸收性质进行了表征. 结果表明, 制备的CIAS薄膜颗粒均匀, 表面平整致密, 呈黄铜矿结构. 薄膜在可见光区具有良好的吸收, 带隙约为1.65 eV.    

3.  CuInSe2薄膜的电化学沉积及其形成机理  
   吴免利  李劼  刘芳洋  刘军  赖延清  张治安  刘业翔《高等学校化学学报》,2010年第31卷第2期
   采用电化学沉积法制备了太阳电池用CuInSe2薄膜. 利用循环伏安法(CV)、X射线能谱(EDS)和X射线衍射技术(XRD)研究了电沉积过程中CuInSe2的形成机理, 并研究了制备工艺对膜层成分、形貌和物相结构的影响. 研究结果表明, 铟进入固相是通过In3+受Cu3Se2诱导作用欠电势还原或者In3+与H2Se反应这两种途径实现; 先沉积的Cu3Se2与新生成的铟或铟硒化合物反应最后生成CuInSe2. 在阴极电位为-0.58~-0.9 V(vs. SCE)时出现了不随电位变化的极限还原电流, 在该电位范围内进行电沉积获得了化学计量组成稳定可控且相对致密平整的CuInSe2薄膜. 电沉积的CuInSe2薄膜经真空退火处理后结晶质量得到明显改善.    

4.  硒化技术对CuInSe2薄膜表面形貌和晶相的影响  
   李 健  朱 洁《物理学报》,2007年第56卷第1期
   以共溅射法制备的Cu-In预制膜为衬底材料,以硒粉为原料,尝试了几种特殊的硒化方案,包括单源硒化法、双源硒化法、表面喷粉硒化法、分步硒化退火和同步硒化退火等5种具有代表性和创新性的方案,研究了硒源的摆放方式、升温方法对薄膜质量的影响,比较了不同方法制备的CuInSe2(CIS)薄膜在形貌、成分、相结构等方面的异同. 系统地分析了硒化温度、退火温度和退火时间对CuInSe2薄膜成分的影响,研究了各元素的百分含量随硒化退火条件的变化规律,为更准确地把握CIS薄膜的成分和相结构提供有益的借鉴.    

5.  用磁控溅射和真空硒化退火方法制备高质量的铜铟硒多晶薄膜  被引次数:2
   谢大弢  赵夔  王莉芳  朱凤  全胜文  孟铁军  张保澄  陈佳洱《物理学报》,2002年第51卷第6期
   用双靶磁控溅射的方法在玻璃衬底上制备了Cu11In9合金薄膜,然后将Cu11In9合金薄膜封闭在石墨盒中进行真空硒化退火得到CuInSe2薄膜.用扫描电子显微镜(SEM)和X射线粉末衍射(XRD)对CuInSe2薄膜进行了表征,结果表明CuInSe2薄膜具有单一的晶相,均匀、致密的结构,以及粒径超过了3μm的晶粒.    

6.  通过氧化物前驱体非真空方法制备高质量CuInSe2薄膜  
   蒋帅  江国顺  刘伟峰  朱长飞《化学物理学报》,2010年第23卷第5期
   通过非真空工艺利用CuO、In2O3混合氧化物制备CuInSe2薄膜太阳能电池中的吸收层CuInSe2薄膜. 利用柠檬酸法制备出粒径在100 nm以下的CuO、In2O3混合氧化物纳米粉,在浆料中加入过量的硒,用来创造非平衡的反应条件促进氧化物的还原和硒化. 考察了影响硒化的几个反应条件,最优的硒化条件为1.9 kPa的Se蒸汽压中,550 °C硒化60 min.    

7.  电沉积CuInSe2薄膜的热处理研究  被引次数:6
   陈鸣波 尤金跨《应用化学》,1994年第11卷第1期
   报道了热处理对电沉积CuInSe2薄膜的表观形貌、结构及光电性质的影响。    

8.  H2S硫化CuInSe2生成CuIn(SxSe1-x)2薄膜的XRD及Raman分析  
   张鑫狄  江国顺《光谱实验室》,2012年第29卷第1期
   将CuInSe2薄膜在H2S与Ar的混合气体中硫化是制备CuIn(SxSe1-x)2薄膜的一种常用方法。硫化所用到的CuInSe2薄膜是用溶剂热法生成的CuInSe2纳米颗粒旋涂而成。不同于其他真空条件下制备CuInSe2薄膜的方法.溶剂热法的优点是其相对简单的制备工艺和较低廉的成本。对硫化过程进行研究后发现,硫化温度和时间直接影响CuIn(SxSe1-x)2薄膜的质量,诸如薄膜成分、结晶度、均匀性和带隙宽度都可以通过改变这些实验条件来进行控制。    

9.  电化学沉积制备半导体CuInSe_2薄膜  
   申承民  张校刚  力虎林《影像科学与光化学》,2001年第19卷第1期
   本文报道恒电位法在 pH为 1 35的Cu2 SO4、SeO2 、In2 (SO4) 3溶液中 ,在Ti电极上电化学沉积制备CuInSe2 纳米薄膜 .研究络合剂柠檬酸和酒石酸对制备CuInSe2 纳米薄膜的影响 .扫描电子显微镜 (SEM )结果表明 ,加入络合剂后 ,电化学沉积的薄膜表面颗粒分布更均匀、致密 .X射线衍射 (XRD)分析显示 ,制备的CuInSe2 薄膜是黄铜矿和闪锌矿相的混和物 ,添加柠檬酸和酒石酸后 ,衍射峰增强 ,晶形变好 .制备的薄膜颗粒尺寸大小在 2 50nm左右 ,造成粒度增大的原因是由于颗粒的团聚作用 .    

10.  电沉积Cu-In-Ga金属预制层的硒硫化研究  
   张超  敖建平  毕金莲  姚立勇  孙国忠  周志强  何青  孙云《物理学报》,2013年第62卷第23期
   以H2S气体作为硫源、固态蒸发硒蒸气作为硒源对电沉积Cu-In-Ga金属预制层进行硒硫化处理. 通过电沉积Cu-In-Ga金属预制层在不同衬底温度下硒化、硫化和硒硫化的对比实验,发现CuInS2相和CuIn(S,Se)2相优先生成,抑制了CuInSe2相的生成,促使InSe相薄膜向内部扩散,减弱了薄膜两相分离现象. 采用先硒化后硒硫化处理工艺优化了Cu(In,Ga)(S,Se)2薄膜的制备工艺,在250 ℃预硒化得到了开路电压为570 mV的太阳电池,在更高的预硒化温度得到了较大短路电流的太阳电池,最终优化得到了效率达到10.4%的电池器件. 关键词: 电化学沉积 Cu-In-Ga金属预制层 硒硫化处理 2薄膜')" href="#">Cu(In,Ga)(S,Se)2薄膜    

11.  电沉积CuInSe2上H2O2阴极还原时的电化学振荡行为  被引次数:3
   徐群杰  邓薰南《化学学报》,1995年第53卷第11期
   用电沉积方法得到的CuInSe2薄膜在阴极还原H2O2时发现了周期性的电化学振荡现象, 并研究了极化电位对该振荡和行为的影响。循环伏安测试表明电流-电势曲线中存在"电流波", 电流突变区域具有负斜率性质。用交流阻抗法研究了振荡体系的阻抗变化, 发现在振荡电势区域体系存在负电阻和电感成分, 这反映出振荡机一是中可能存在吸附中间物和自催化反应。    

12.  pH值对电沉积CuInSe2薄膜的组份、结构及光电性能的影响  
   王信春  王广君      万绍明  张兴堂  杜祖亮《无机化学学报》,2011年第27卷第12期
   本文采用一步恒电位沉积法在铟锡氧化物(ITO)基底上制备CuInSe2薄膜,研究了沉积过程中不同的离子浓度配比及pH值对CuInSe2膜结构性能的影响。利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱仪(EDS)及X射线衍射仪(XRD)研究了薄膜材料的结构性能,结果发现pH值对薄膜的化学成份、表面形貌、晶格结构都有显著影响,通过控制合适的浓度及酸度分别制备了高质量富铟与富铜薄膜。利用表面光电压(SPS)技术分别对富铟与富铜薄膜的光电分离特性进行了研究,结果发现富铟薄膜具有很强的光电响应;而富铜薄膜由于Cu-Se相的存在,在薄膜中形成了新的界面,电子-空穴对在其界面处因捕获而发生复合,从而导致其光电响应的强烈降低。所得到的结果为提高铜铟硒薄膜的光电效率提供了有价值的新思路。    

13.  n型Bi_2Te_(3-y)Se_y温差电材料薄膜的电化学制备及表征  
   王为  卜路霞《无机化学学报》,2006年第2期
   采用电化学控电位的方法在不锈钢基片上电沉积制备了Bi2Te3-ySey温差电材料薄膜。研究了电沉积溶液中硒含量与薄膜中硒含量的关系,考察了不同沉积电位对电沉积Bi2Te3-ySey薄膜的温差电性能的影响,并采用ESEM、EDS、XRD等方法对电沉积薄膜的形貌、成分及结构进行了分析。结果表明,在含有Bi3 、HTeO2 和Se4 的电沉积溶液中,采用电化学沉积的方法,可实现铋、碲、硒三元共沉积,生成Bi2Te3-ySey半导体化合物。改变电沉积溶液组成,可控制Bi2Te3-ySey化合物中硒的掺杂浓度。-0.04V沉积电位下制备的Bi2Te3-ySey薄膜较平整、致密,组成为Bi2Te2.7Se0.3。退火处理可提高电沉积Bi2Te3-ySey薄膜的塞贝克系数,且控制沉积电位为-0.04V下制备的Bi2Te3-ySey薄膜退火后的塞贝克系数为-123μV·K-1。    

14.  纯相Li2MnO3薄膜的制备及作为锂离子电池正极材料的电化学行为  
   郑杰允  汪锐  李泓《物理化学学报》,2014年第30卷第10期
   采用固相烧结法制备了纯相Li2MnO3正极材料及靶材,采用脉冲激光沉积(PLD)法在氧气气氛、不同温度下沉积了Li2MnO3薄膜.通过X射线衍射(XRD)和拉曼(Raman)光谱表征了薄膜的晶体结构,采用扫描电镜(SEM)观察薄膜形貌及厚度,利用电化学手段测试了Li2MnO3薄膜作为锂离子电池正极材料性能.结果表明,PLD方法制备的纯相Li2MnO3薄膜随着沉积温度升高薄膜结晶性变好.25℃沉积的薄膜难以可逆充放电,400℃沉积的薄膜具有较高的电化学活性和循环稳定性.相对于粉末材料,400与600℃制备的Li2MnO3薄膜电极平均放电电位随着循环次数的衰减速率明显低于相应的粉体材料.    

15.  铜铟铝硒硫薄膜的低成本非真空混合法制备  
   刘兆范  夏伟  袁晨辰  罗派峰《化学物理学报》,2015年第28卷第6期
   采用溶剂热法制备出铜铟铝硒Cu(In,Al)Se2 (CIASe)粉末,然后滴涂铜铟铝硒CIASe浆料获得前驱体薄膜,最后通过硒化/硫化过程制备出铜铟铝硒CIASe和铜铟铝硒硫CIASeS薄膜.通过XRD、SEM、XRF及光吸收等表征,发现所制备的薄膜为单相的黄铜矿结构,具有(112)择优取向.同时,在使用硫元素替代硒之后,薄膜的XRD主峰向高的2θ角度漂移,多孔薄膜也变得更加致密.薄膜带隙值也增加到更为合适的范围,从1.21 eV增加到1.33 eV,这也说明了硫化过程有利于提高CIASeS薄膜的质量.    

16.  铜铟镓硒薄膜的拉曼和可见-近红外光谱表征  
   徐冬梅  潘坤  刘旭炜  王学进  王文忠  梁春军  王志《光谱学与光谱分析》,2016年第10期
   采用恒电位电沉积法在 ITO上制备了铜铟镓硒(CIGS)前驱体薄膜,该前驱体薄膜在充氩气管式炉中经过高温硒化可得到结晶良好的CIGS薄膜。采用 X-射线衍射(XRD)、拉曼光谱(Raman)、扫描电子显微镜(SEM)和紫外-可见光-近红外光谱仪分别表征了 CIGS 薄膜的结构、形貌、成分以及可见-近红外光谱(Vis-NIR)吸收特性。XRD结果表明前驱体薄膜高温硒化后所得的 CIGS 薄膜具有(112)择优取向,薄膜中CIGS晶粒的平均尺寸为24.7 nm,Raman光谱表明薄膜中的 CIGS是具有黄铜矿结构的四元纯相,没有其他二元三元杂相存在。Vis-NIR测量结果表明CIGS的禁带宽度随薄膜中镓含量的增加而增加,当 Ga 含量达5.41%时,通过吸收光谱测得CIGS的禁带宽度为1.11 eV,通过理论计算得到镓铟比为 Ga/(In+Ga)=16.3%,小于 SEM测量所得的镓铟比 Ga/(In+Ga)=21.4%,这表明还需进一步提高 CIGS薄膜的结晶度。所有测量表明优化后的 ITO/CIGS非常适合用来制作高质量的双面太阳能电池。该研究提出了制备低成本CIGS前驱体薄膜及高温硒化的新方法,通过这些方法在 ITO上制备了均匀、致密、附着力好的CIGS薄膜。通过上述表征可知,在新工艺下制备的CIGS薄膜结晶度高,成分合理,无杂相,光吸收性质好。与磁控溅射法类似,电沉积法非常适合大面积工业化生产,该工作对CIGS的规模化生产具有重要的借鉴意义。    

17.  硒化前后电沉积贫铜和富铜的Cu(In1-xGax)Se2薄膜成分及结构的比较  
   敖建平  杨亮  闫礼  孙国忠  何青  周志强  孙云《物理学报》,2009年第58卷第3期
   采用电沉积法获得了接近化学计量比的贫铜和富铜的Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)预置层,研究比较了两种预置层及其硒化处理后的成分和结构特性.得到了明确的实验证据证明,硒化后富铜薄膜中的CuxSe相会聚集凝结成结晶颗粒分散在表面.研究表明:在固态源硒化处理后,薄膜成分基本不变;当预置层中原子比Cu/(In+Ga)<1.1时,硒化后薄膜表面存在大量的裂纹;而当Cu/(In+Ga) >1.2时,可以消除裂纹的产生,形成等轴状小晶粒;富铜预置层硒化时蒸发沉积少量In,Ga和Se后,电池效率已达到6.8%;而贫铜预置层硒化后直接制备的电池效率大于2%,值得进一步深入研究.    

18.  硒的分析概况  被引次数:9
   赵凤泽  沈刚哲  南极星《广东微量元素科学》,2001年第8卷第11期
   对硒分析方法进行了综述,共分硒的分析分离方法,硒的定量法两大部分。硒的分析和分离方法中,介绍了硒的分析方法及分类,硒样品采集与前处理,分离方法。硒的定量法中介绍了重量法、容量法、分光光度法、荧光法、原子吸收分光光度法、原子发射光谱法、极谱法、中子活化分析法、气相色谱法、液相色谱法等。每一分析法中介绍了测定法研究及应用实例 。本文参考了137篇有关硒与硒分析法资料。    

19.  以乙醇作溶剂电沉积制备CIGS薄膜  
   王信春  胡彬彬  王广君  杨光红  万绍明  杜祖亮《物理化学学报》,2011年第27卷第12期
   利用恒电位电沉积法在以乙醇为溶剂的溶液中制备了铜铟镓硒(CIGS)薄膜.并采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)和紫外-可见-近红外(UV-VIS-NIR)分光光度计分别对薄膜的形貌、成分、晶体结构和吸收特性进行了表征.结果表明在-1.6V(相对于饱和甘汞电极电位)工作电位下沉积的薄膜经450°C退火后能够形成形貌均匀致密、结晶性良好、带隙约为1.17eV的黄铜矿结构CuIn0.7Ga0.3Se2薄膜.实验过程中发现,以乙醇为溶剂可以有效避免在水溶液中出现的析氢现象,减小了沉积电位的限制.    

20.  氧化物薄膜的离子束溅射沉积  被引次数:1
   汤雪飞 范正修《光学学报》,1992年第12卷第5期
   用离子束溅射沉积的方法制备的TiO_2、ZrO_2薄膜的光吸收损耗明显降低,对其折射率、光吸收和抗激光损伤阈值等特性进行了分析.    

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