首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到10条相似文献,搜索用时 46 毫秒
1.
采用化学还原法制备了非晶态Ni-B超细粒子催化剂, 所含两种粒子的粒径分别为5~20nm和150nm左右。对环戊二烯常压液相加氢反应的活性测试结果表明, 该催化剂具有很高的活性和选择性, 并且在加氢反应中具有替代Raney Ni和Pd/C催化剂的工业应用潜力。动力学测量表明, 在该催化剂上, 环戊二烯选择加氢生成环戊烯的反应为零级, 环戊烯生成环戊烷的反应为近似一级。  相似文献   

2.
采用化学还原法制备了非晶态Ni-B超细粒子催化剂, 所含两种粒子的粒径分别为5~20nm和150nm左右。对环戊二烯常压液相加氢反应的活性测试结果表明, 该催化剂具有很高的活性和选择性, 并且在加氢反应中具有替代Raney Ni和Pd/C催化剂的工业应用潜力。动力学测量表明, 在该催化剂上, 环戊二烯选择加氢生成环戊烯的反应为零级, 环戊烯生成环戊烷的反应为近似一级。  相似文献   

3.
载体对环戊二烯在负载型钯催化剂上选择加氢的作用   总被引:1,自引:0,他引:1  
制备了几种负载型的钯加氢催化剂, 考察了它们对环戊二烯加氢反应动力学行为的影响。环戊二烯对环戊烯的加氢有抑制作用, 抑制作用的主要原因是环戊二烯的配位能力远大于环戊烯, 催化剂的载体通过其配体效应可以影响两者配位能力之比(K_D/K_E)和反应速度常数之比(k_2/k_4), 从而改变催化剂的选择性和活性。  相似文献   

4.
本文合成了联接有硫醚基的二氧化硅固载的金属钯催化剂.结果表明:(1)该催化剂在常温常压下对环戊二烯具有较高的催化氢化活性,并能选择性地生成环戊烯.在环戊二烯转化100%时,生成环戊烯的选择性达97.7%.(2)该催化剂有良好的稳定性,可多次重复使用,保持高活性和选择性不变.经透射电镜观察,远红外分析以及X—光光电子能谱分析测定,催化剂的活性中心是颗粒大小为10—60(?)的钯金属微粒.  相似文献   

5.
首次用化学还原法制备了非晶态Ni-W-P合金微粒.应用X射线衍射(XRD)、差热分析(DSC)、透射电子显微镜(TEM)和X射线光电子能谱(XPS)等方法对该微粒进行了表征.考察了该微粒催化环戊二烯加氢的活性,并与Ni-P非晶态合金对比,发现少量的W的加入改变了Ni-P的加氢活性.  相似文献   

6.
部分中毒Pd/C催化剂上环戊二烯的加氢反应   总被引:3,自引:0,他引:3  
用固定床反应器考察了Pd/C催化剂硫化前后环戊二烯的加氢性能,Pd/C催化剂经硫化后,生成环戊烯的得率由75%上升到97%。确定了最佳硫化条件。应用微型脉冲反应器和程序升温表面反应(TPSR)研究了硫化特性,发现硫在Pd/C催化剂在存在着两种吸附状态,吸附在对应于TPSR中低温峰位上的硫不影响加氢反应活性,吸附在对应于高温峰位上的硫引起催化剂催化活性下降。  相似文献   

7.
用化学沉积法制备了非晶态催化剂Ni-P-SiO_2,测定了该催化剂对苯乙烯加氢的活性,并与相应的晶态Ni-P-SiO_2及Ni-SiO_2的活性作对比.结果表明,还原态的Ni是反应的活性中心.用高真空TPD-MS研究了该催化剂对氢、一氧化碳的吸附,提出了一氧化碳加氢的反应机理.  相似文献   

8.
首次用化学还原法制备了非晶态Ni-W-P合金微粒。应用X射线衍射(XRD)、差热分析(DSC)、透射电子显微镜(TEM)和X射线光电子能谱(XPS)等方法对该微粒进行了表征。考察了该微粒催化环戊二烯加氢的活性, 并与Ni0P非晶态合金对比, 发现少量的W的加入改变了Ni-P的加氢活性。  相似文献   

9.
本文用X射线光电子能谱(XPS), X射线衍射(XRD)和连续微型反应器等方法研究了以骤冷法制备的Ni-P非晶态催化剂的表面结构和加氢活性。结果表明, 非晶态Ni-P对于苯乙烯催化加氢具有很高的反应活性, 优于晶态Ni-P, 更优于Ni片, 催化剂表面不同的预处理条件, 对反应活性影响很大。XPS结果表明, 在适当的预处理条件下, 非晶态Ni-P被部分氧化;随着氧化态被还原, 反应活性逐渐下降。  相似文献   

10.
宗保宁  闵恩泽  董树忠  邓景发 《化学学报》1989,47(11):1052-1055
本文用X射线光电子能谱(XPS), X射线衍射(XRD)和连续微型反应器等方法研究了以骤冷法制备的Ni-P非晶态催化剂的表面结构和加氢活性。结果表明, 非晶态Ni-P对于苯乙烯催化加氢具有很高的反应活性, 优于晶态Ni-P, 更优于Ni片, 催化剂表面不同的预处理条件, 对反应活性影响很大。XPS结果表明, 在适当的预处理条件下, 非晶态Ni-P被部分氧化;随着氧化态被还原, 反应活性逐渐下降。  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号