首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
    检索          
共有20条相似文献,以下是第1-20项 搜索用时 234 毫秒

1.  直流辉光放电光谱分析铜合金的基本特性研究  
   黄卫红  胡斌  王雷  江祖成  廖振环《武汉大学学报(理学版)》,1999年第4期
   用自行组装的直流辉光放电原子发射光谱(dc G D A E S)仪器对分析铜合金的某些基本特性进行了研究 探讨了光源放电室结构、放电气体压力、放电电压等操作参数以及试样尺寸大小对放电性能及元素谱线强度的影响,并进行了优化 考察了在不同放电气压条件下样品的溅射率和优化条件下辉光放电的稳定性最后,分析了铜合金标准样品中的 Al和 Mn,结果较满意    

2.  强短脉冲供电辉光放电发射光谱法测定铜基合金组分的研究  被引次数:3
   弓振斌 任建世《光谱学与光谱分析》,1997年第17卷第3期
   文中所述的研究用实验室组装的强短脉冲供电辉光放电发射光谱(HCMSPGD-OES)实验系统,对铜基合金中的次要组分Ni,Al,Mn,Si的含量进行了测定,辉光放电(GD)源在强短脉冲供电(HCMSP)时,原子线和离子线的发射得到增强,文中选用了Ni,Al,Mn,Si的次灵敏线作分析线,对影响分析强度的因素进行了研究,在选定的实验条件下几种组分的含量进行了测定,测定结果与样品的推荐值吻合较好,六次侧    

3.  辉光放电光谱法在深度分析上的应用现状  被引次数:1
   余兴《中国无机分析化学》,2011年第1卷第1期
   本文简单地介绍了辉光放电光谱法(GD-OES)的基本原理。分别对深度分析的定量方式、放电方式、应用领域和相关标准进行了详细地阐述。重点描述了商品化仪器中使用的SIMR深度分析定量方法。分别对三种放电方式(如直流、射频和脉冲)在深度分析中的特点进行了介绍。综述了GD-OES在金属镀层、复杂涂镀层、纳米级薄膜和样品制备领域的具体应用。最后,介绍了GD-OES在深度分析方面的标准    

4.  预试环中H_2及掺杂甲烷的辉光放电清洗  被引次数:1
   曾建尔《核聚变与等离子体物理》,1986年第2期
   本文给出了在预试环中产生和维持辉光放电的基本参数、氢气(H_2)及氢气掺杂甲烷(H_2/CH_4)辉光放电清洗过程中的质谱分析结果以及氢气辉光放电清洗处理后的样品表面SIMS(二次离子质谱)结果,并进行了讨论。    

5.  大气压电解液阴极辉光放电发射光谱技术的研究进展及应用  被引次数:1
   张真  汪正  邹慧君  施鹰《分析化学》,2013年第10期
   近十多年来,大气压电解液阴极辉光放电系统在原子光谱分析中作为一种新兴的检测工具而备受关注。大气压电解液阴极辉光放电发射光谱技术兼具了光谱测量的稳定性、分析元素选择性和传感器测量方便、简洁性等优点。本文综述了基于等离子体的大气压电解液阴极辉光放电发射光谱技术的机理研究、仪器构建及改进和最新应用研究,并总结了该技术的优势及存在的问题,展望了其应用前景。    

6.  平板CO2激光器中α型RF放电的理论研究  
   吴龟灵 王又青《计算物理》,1999年第16卷第5期
   由稳态时粒子数和电流连续性主带电粒子的能量平衡方程,建立了α型平板RF放电等离子体的理论模型,并用数值方法求得射频放电等离子体中粒子数密度、电场、功率密度、激发效率的空间分布,解释了RF放电的辉纹结构,分析了放电参数对放电特性的影响。    

7.  辉光放电原子发射光谱法快速分析生铸铁  被引次数:3
   张毅  邬君飞  陈英颖《理化检验(化学分册)》,2007年第43卷第3期
   通过对辉光光源参数-放电电流、放电电压、预溅射时间和分析时间对生铸铁标样放电强度和稳定性影响的研究,优化光源参数,建立了辉光放电原子发射光谱法同时测定生铸铁中碳、硅、锰、磷、硫等12个元素的快速分析方法。分析生铸铁试样时发现了不同灰口铸铁在碳分析结果方面存在偏差,对碳的偏差进行了讨论并通过制样条件和光源参数的调整可以有效地减小偏差。通过对不同生铸铁样品进行准确度和精密度试验,结果表明:分析结果与标准值或化学法结果一致。分析一件试样的时间仅需2~5 min。    

8.  一种用于辉光放电光谱分析小件试样的附件  
   张加民  吴剑武  邵晓红《理化检验(化学分册)》,2006年第42卷第3期
   由于辉光放电光谱仪对样品的形状尺寸要求较高,特别对小样品的检测比较困难。文中报道了一种用于辉光放电光谱仪分析小件样品的附件,提出了设计思路、产品结构和技术特性,并给出了部分小样品的检测实例。    

9.  光谱学研究硅烷钒锆复合钝化膜的结构和成膜机理  
   王雷  刘常升  石磊  安成强《光谱学与光谱分析》,2015年第2期
   在热镀锌钢板表面制备了硅烷钒锆复合钝化膜。用X射线光电子能谱(XPS)、射频辉光放电发射光谱(rf-GD-OES)和傅里叶变换衰减全反射红外光谱(ATR-FTIR)表征了钝化膜的组成结构,分析了硅烷钒锆复合钝化膜的成膜机理。结果表明:硅烷之间互联构成了硅烷钒锆复合钝化膜的主成膜成分,无机缓蚀剂均匀分布在膜层中。钝化膜表面Si2p的XPS窄幅扫描谱100.7eV处的拟合峰和红外光谱在波数1 100cm-1 Si—O吸收峰变宽加强,表明硅烷以Si—O—Zn键的形式化学吸附在锌的表面,硅烷分子之间通过Si—O—Si键相互交联;红外光谱中1 650和1 560cm-1的两个酰胺特征峰,结合910cm-1的环氧特征峰的消失,表明γ-GPT的环氧基团在氨基活性氢的诱导下开环和γ-APT的氨基之间发生聚合反应形成交联的空间网状结构;rf-GD-OES分析发现钝化膜0.3μm处存在一层富氧层,钝化反应生成的ZrF4,ZrO2和钒盐等无机物均匀分布在钝化膜中。分析膜层组成结构和成膜前后的ATR-FTIR光谱,研究了成膜过程中发生的物理过程和化学变化,提出了硅烷钒锆复合钝化膜的成膜机理。    

10.  格里姆辉光放电光源的发展和应用范围  被引次数:2
   刘湘生《光谱实验室》,1995年第12卷第2期
   本文评述了辉光放电光源的一些进展情况。对高强度辉光放电灯,磁场辉光放电灯,射频、微波辉光放电灯,同轴双重空心阳极辉光放电灯等技术在增加辉光放电光源的发光强度、降低检出限、提高逐层分析中的层间分辨率等方面的作用作了介绍。也同时介绍了这种光源在金属与合金固体样品直接分析及这些材料的表层、逐层分析中的应用范围。    

11.  ICP-AES法测定太阳能级硅中磷等12种痕量杂质元素  
   孙东亚  何丽雯  谢安《分析试验室》,2014年第7期
   用电感耦合等离子体原子发射光谱仪(ICP-AES)测定太阳能级硅(SOG-Si)中磷等12种杂质元素。实验发现,在150℃时,用HF和HNO3的混合溶液,试样在PFA烧杯中能较快溶解。在1000级洁净室中,用金属氧化物半导体(MOS)级试剂溶解电子级硅(EG-Si,纯度大于9N)可控制样品空白中各元素的含量均小于1μg/L,并能较好的补偿基体效应。在选定仪器工作条件下,被测元素检出限为5~50 ng/mL,回收率在93%~105%,相对标准偏差RSD≤9.8%(n=11)。测定结果与电感耦合等离子体原子发射质谱(ICP-MS)法及辉光放电质谱(GDMS)法进行了比对,结果吻合。    

12.  介质阻挡放电点燃大气压直流均匀放电的光谱研究  
   李雪辰  吴凯玥  贾鹏英  鲍文婷  狄聪《光谱学与光谱分析》,2018年第3期
   由于大气压均匀放电等离子体在工业领域具有广泛的应用前景,为了获得大尺寸的大气压均匀等离子体,采用氩气作为工作气体,在大气压空气环境中利用同轴介质阻挡放电点燃了针-板电极间的大气隙(气隙宽度达到5cm)直流均匀放电。研究发现,同轴介质阻挡放电能够有效降低针-板电极间的击穿电压。该均匀放电由等离子体柱、等离子体羽、阴极暗区和阴极辉区组成。其中等离子体柱和阴极辉区都是连续放电。而等离子体羽不同位置的放电是不同时的。事实上,等离子体羽放电是由从阴极向着等离子体柱移动的发光光层(即等离子体子弹)叠加而成。利用电学方法测量了放电的伏安特性曲线,发现其与低气压正常辉光放电类似,均具有负斜率。采集了放电的发射光谱,发现存在N2第二正带系、氩原子和氧原子谱线。通过Boltzmann plot方法对放电等离子体电子激发温度进行了空间分辨测量,发现等离子体柱的电子激发温度比等离子体羽的电子激发温度低。通过分析放电机制,对以上现象进行了定性解释。这些研究结果对大气压均匀放电等离子体源的研制和工业应用具有重要意义。    

13.  辉光放电质谱研究与应用新进展  被引次数:8
   苏永选  孙大海  王小如  《分析测试学报》,1999年第18卷第3期
   简要介绍了辉光放电的基本原理,主要概述了过去4年有关辉光放电质谱研究的新进展,包括辉光放电质谱的基础研究,新装置和新方法的发展,以及辉光放电质谱的分析应用。文中最后展望了辉光放电质谱法的发展前景。    

14.  阴极溅射原子化的原子吸收光谱分析  
   任建世  张功杼《分析化学》,1983年第8期
   在原子吸收光度法中,Russell和Walsh很早就应用辉光放电中阴极溅射的原理做成原子化器。近年Gough等人采用Grimm灯的基本设计,并进行了一些改进做为原子化器对金属和合金进行直接原子吸收分析,取得了良好的结果。但是,从许多有关辉光放电灯的研究中看到,不同成份    

15.  GD-MS法和ICP-MS法测定高纯铌中痕量元素  
   李宝城  刘英  童坚  李继东  李艳芬  臧慕文《分析试验室》,2012年第6期
   采用辉光放电质谱法(GD-MS)对高纯铌中Ta,Mo,W等痕量杂质元素进行了测试,并对GD-MS工作参数进行了优化,部分元素与采用电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)定量分析的结果进行比较,对某些元素含量差别较大的原因进行了分析,论述了Element GD辉光放电质谱仪的特点及其在痕量杂质分析上的优势。    

16.  ICP等离子体鞘层附近区域发光光谱特性分析  被引次数:1
   赵文锋  陈俊芳  孟然《光谱学与光谱分析》,2009年第29卷第11期
   为了独立控制鞘层附近区域离子密度和离子能最分布,采用光发射谱(OES)测量技术,对不同射频功率、放电气压和基底偏压下感应耦合等离子体鞘层附近区域辉光特性进行了研究.原子谱线和离子谱线特性分析表明,在鞘层附近区域感应耦合等离子体具有较高的离子密度和较低的电子温度.改变放电气压和射频功率,对得到的光谱特性分析表明,鞘层附近区域离子密度随射频功率的增大而线性增大,在低压下随气压的升高而增大.低激发电位原子谱线强度增加迅速,高激发电位原子谱线强度增加缓慢,而离子谱线强度增加很不明显.改变基底直流偏压,对得到的发射光谱强度变化分析表明,谱线强度随基底正偏压的增加而增大.随着基底负偏压的加入,谱线强度先减小而后增大;直流偏压为-30 V时,光谱强度最弱.快速离子和电子是引起Ar激发和电离过程的主要能量来源.    

17.  高纯钛的辉光放电质谱法多元素分析  
   张肇瑞  童坚  刘英  臧慕文  李继东  李艳芬《分析试验室》,2012年第7期
   采用辉光放电质谱法(GD-MS)测定高纯钛中Mg、Al、Cr、Fe、V、Mn、Co、Ni、Cu、Zn、As、Sn、Sb、Ta、W、Pb、Bi等痕量杂质元素,并对GD-MS工作参数及条件进行了优化。主要元素与内标校正ICP-MS法定量分析的结果一致,对结果差异的原因进行分析,论述了Element GD辉光放电质谱仪在痕量杂质元素分析方面的优势。    

18.  介质阻挡放电中单个新型放电丝放电特征和光谱测量  
   赵龙虎  潘宇扬  董丽芳  高烨楠  王永杰《光谱学与光谱分析》,2014年第35卷第1期
   在放电间隙较大(d=3.8 mm)的介质阻挡放电(DBD)中, 通过减小放电区域(S=1 cm×1 cm), 首次观察到了单个新型放电丝。与其他实验小组所观察到的单个放电丝相比, 该单个新型放电丝由体放电(VD)和沿面放电(SD)二部分构成, 其放电稳定性和持续性极好。利用高速照相机和光谱仪, 研究了单个新型放电丝在外加电压半周期单次放电中的放电特征和单个新型放电丝侧面放电柱不同位置的等离子体状态。在高速照相机不同曝光时间条件下拍摄得到了单个新型放电丝端面和侧面放电的瞬时照片, 并对其外加电压半周期单次放电的放电特征与辉光放电进行了对比。利用发射光谱法, 采集了单个新型放电丝侧面放电柱不同位置的氩原子763.26 nm(2P6→1S5)和772.13 nm(2P2→1S3)发射谱线, 并通过两条谱线强度比法, 估算出了相应的电子激发温度。实验结果得出: 单个新型放电丝由体放电和沿面放电构成, 且沿面放电在体放电四周呈枝状扩散;单个新型放电丝在外加电压半周期单次放电中与辉光放电特征相似, 且在阴极呈现出漏斗状放电;氩原子谱线强度及其相应的电子激发温度从极板两端到中间均呈减小的变化趋势, 表明单个新型放电丝侧面放电柱不同位置的等离子体状态不同。    

19.  介质阻挡放电中单个新型放电丝放电特征和光谱测量  
   赵龙虎  潘宇扬  董丽芳  高烨楠  王永杰《光谱学与光谱分析》,2015年第35卷第1期
   在放电间隙较大(d=3.8 mm)的介质阻挡放电(DBD)中, 通过减小放电区域(S=1 cm×1 cm), 首次观察到了单个新型放电丝。与其他实验小组所观察到的单个放电丝相比, 该单个新型放电丝由体放电(VD)和沿面放电(SD)二部分构成, 其放电稳定性和持续性极好。利用高速照相机和光谱仪, 研究了单个新型放电丝在外加电压半周期单次放电中的放电特征和单个新型放电丝侧面放电柱不同位置的等离子体状态。在高速照相机不同曝光时间条件下拍摄得到了单个新型放电丝端面和侧面放电的瞬时照片, 并对其外加电压半周期单次放电的放电特征与辉光放电进行了对比。利用发射光谱法, 采集了单个新型放电丝侧面放电柱不同位置的氩原子763.26 nm(2P6→1S5)和772.13 nm(2P2→1S3)发射谱线, 并通过两条谱线强度比法, 估算出了相应的电子激发温度。实验结果得出: 单个新型放电丝由体放电和沿面放电构成, 且沿面放电在体放电四周呈枝状扩散;单个新型放电丝在外加电压半周期单次放电中与辉光放电特征相似, 且在阴极呈现出漏斗状放电;氩原子谱线强度及其相应的电子激发温度从极板两端到中间均呈减小的变化趋势, 表明单个新型放电丝侧面放电柱不同位置的等离子体状态不同。    

20.  电容式射频微机电系统开关损耗机制(英文)  
   李沐华  赵嘉昊  尤政《强激光与粒子束》,2015年第2期
   插入损耗是射频微机电系统(RF MEMS)开关的关键性能指标之一。电容式RF MEMS开关是一种适合高频应用的开关器件,对其损耗机制进行了研究。电容式RF MEMS开关的射频损耗主要包括四部分:信号线的导体损耗、衬底损耗、辐射损耗以及MEMS桥损耗。对电容式RF MEMS开关建立了损耗模型并进行了数值计算,同时在HFSS有限元软件中进行了电磁仿真,数值计算结果和有限元仿真结果较好的吻合。此外,对影响电容式RF MEMS开关插入损耗的因素进行了分析,结果表明,高阻抗的衬底、200μm左右的导体宽度、较小的导体厚度以及较小的up态电容能够降低开关的插入损耗,提高开关的射频性能。    

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号