蜂窝状C3N4/CoSe2/GA复合光催化剂的制备及CO2还原性能

以六水金氯化钴、 硒粉和尿素为前驱体, 通过水热法合成C₃N₄/CoSe₂纳米粒子, 再将其锚定在石墨烯气凝胶（Graphene aerogel, GA）表面, 制备蜂窝状C₃N₄/CoSe₂/GA光催化剂. 采用X射线衍射(XRD)、 X射线光电子能谱(XPS)、 扫描电子显微镜(SEM)、 透射电子显微镜(TEM)和紫外-可见漫反射光谱(UV-Vis DRS)等手段对材料的结构、 形貌和光学性能进行表征. 同时以氙灯作为模拟可见光光源, 通过CO₂光催化还原为CO考察所制备纳米材料的光催化活性. 结果表明, 在C₃N₄纳米片表面引入了CoSe₂和GA并制备出蜂窝状结构 C₃N₄/CoSe₂/GA催化剂, 通过GA, CoSe₂与C₃N₄耦合可以显著提高光吸收密度以及扩展光响应范围, 呈现了更低的荧光强度和最大的电子转移速率. 在同种光催化下, C₃N₄/CoSe₂/GA对CO₂还原催化效率最大, CO产量达到5.75 μmol·g^-1·h^-1, 并且重复使用性能良好.     

Z-机制g-C3N4/Bi/BiOBr异质结光催化剂制备及其可见光降解甲醛气体研究

通过将BiOBr纳米片与g-C₃N₄复合,然后原位还原,合成了具有纳米花状结构的三元异质结光催化剂g-C₃N₄/Bi/BiOBr.对g-C₃N₄/Bi/BiOBr的结构、形貌、元素价态和光学性能等进行了表征和研究.评估了g-C₃N₄/Bi/BiOBr对气体甲醛的光催化降解活性. g-C₃N₄/Bi/BiOBr在可见光照射下降解甲醛的活性与g-C₃N₄、 BiOBr单体和g-C₃N₄/BiOBr二元复合物相比显著提高. 20%-g-C₃N₄/Bi/BiOBr复合物可以在60 min内(λ> 400 nm)降解80%的气态甲醛(初始浓度0.16 mg·L^-1).     

2D氮化碳:通过调节非金属硼掺杂C3N5阐明宽酸性及碱性pH范围的光催化析氢的反应机理(英文)

太阳能驱动水裂解产氢是一种绿色能源技术,用于制备可再生和零碳排放燃料以实现可持续能源生产.近期,氮化碳(g-C₃N₄)同素异形体C₃N₅的出现克服了g-C₃N₄的固有缺点,如光生载流子快速复合和可见光吸收差,而导致极低的光催化效率.本文将硼掺杂剂通过原子替换或间隙掺杂的方式引入到C₃N₅体系中,并利用密度泛函理论对纯C₃N₅和硼掺杂C₃N₅体系进行计算,考察了硼原子对C₃N₅电子和光学性能的影响以及其催化析氢反应(HER)机理.热力学计算结果表明,硼原子掺杂在C₃N₅体系中是可行且有利的.在N3位氮原子被硼原子取代(B_N3-C₃N₅)后,带隙(0.6 e V)变窄.与纯C     

C/g-C3N4/MoS2复合材料的制备及光催化性能

首先以尿素和葡萄糖为前驱体,通过热缩合方法制备了C/g-C₃N₄,然后利用溶剂热法合成C/g-C₃N₄/MoS₂三元复合材料。通过不同的手段对其进行了表征,结果表明,与C/g-C₃N₄相比,该三元复合材料不仅具有更强的光吸收性能和更大的表面积,而且更有利于电子的转移。同时对其可见光催化降解甲基橙性能进行研究,结果发现,C/g-C₃N₄/MoS₂-2.0%复合材料(含有质量分数为2.0%的MoS₂)表现出最高的反应速率常数(0.0086 min^-1),分别为g-C₃N₄/MoS₂-2.0%(0.0015 min^-1)和C/g-C₃N₄(0.0036min^-1)的5.7倍和2.3倍。     

原位制备具有增强光催化活性的S型Bi2Se3/g-C3N4光催化剂

光催化氧化是一种应用前景良好的环境治理技术.与絮凝、物理吸附和化学氧化等常见的方法相比,光催化氧化具有环境友好、氧化完全、方便和廉价等优势.特别是可见光光催化氧化,可利用太阳能中占比最高的可见光,在应用中更具优势.因而,探索可见光响应性能优异的光催化剂一直是光催化氧化领域的一个重要研究内容.硒化铋(Bi₂Se₃)是一种带隙(带隙宽度在0.3~1.3 e V)非常窄的半导体,能吸收全部波长范围的可见光和近红外光.此外,Bi₂Se₃还具有独特的金属表面态,其表面具有良好的导电性.这些特性使其在可见光光催化氧化领域具有很大的应用潜力.然而,由于Bi₂Se₃价带位置高,氧化能力很弱,其价带上的空穴在光催化反应中难以被消耗,导致空穴大量累积,并迅速与光生电子复合,大幅降低了Bi₂Se₃的光催化性能.因此,一直以来,Bi₂Se₃很少被用于光催化反应.如何充分利用Bi₂Se₃的光响应优势,制备出性能优异的光催化剂,仍是具有挑战性和吸引力的研究方向.本文采用预先制备的Bi2O3/g-C₃N₄复合物作为前驱体,通过原位转化的方法,将前驱体置于热的Se蒸汽中,使前驱体上的Bi2O3与Se蒸汽反应,完全转化为Bi₂Se₃纳米颗粒,从而制得Bi₂Se₃/g-C₃N₄复合光催化剂(Bi₂Se₃含量约为4 wt%).透射电镜结果表明,所形成的Bi₂Se₃纳米颗粒较均匀地分布在g-C₃N₄表面.表面功函数分析发现,Bi₂Se₃与g-C₃N₄结合后,它们的费米能级分别由原来的-0.55和-0.18 e V变为平衡时的-0.22 e V,可形成指向g-C₃N₄的内建电场,有利于形成梯型(S型)异质结.在此基础上,能级位移、荧光分析、结构计算和反应自由基测试等结果表明,Bi₂Se₃和g-C₃N₄之间形成了S型异质结.在可见光光催化降解苯酚的实验中,所制备的Bi₂Se₃/g-C₃N₄复合物的光催化活性明显优于单一的Bi₂Se₃和g-C₃N₄.结合比表面、孔结构、光吸收和荧光等对比分析,认为Bi₂Se₃/g-C₃N₄的这种S型异质结构在其光催化活性增强中起到了关键作用.在光照条件下,其g-C₃N₄导带中光生电子向Bi₂Se₃的价带迁移,并与光生空穴复合,从而使Bi₂Se₃导带上可保留更多的高活性光生电子参与光催化反应,由此Bi₂Se₃/g-C₃N₄的光催化活性增强.循环性能测试和光还原实验结果表明,所制备的Bi₂Se₃/g-C₃N₄复合光催化剂具有良好的稳定性.本文工作为高可见光吸收的光催化剂制备和性能增强提供了新途径和新视野.     

B3N3H6…CO复合物中弱相互作用竞争的理论研究

本文在MP2/aug-cc-pVTZ水平下对一氧化碳(CO)和环硼氮烷(B₃N₃H₆)之间的弱相互作用进行理论研究，得到6种稳定的B₃N₃H₆…CO复合物结构。B₃N₃H₆…CO复合物中存在N—H…C/O氢键以及π…π、lp…π相互作用，其中含N—H…C氢键复合物的相互作用能(ΔE)最大，为-1.42 kcal·mol^-1。系统的理论计算结果表明π…π相互作用和N—H…C/O氢键可以成功地与lp…π相互作用竞争。取代基效应结果显示，B₃N₃X₃H₃(X=-NH₂)…CO、B₃N₃H₆…CO、B₃N₃X₃H₃(X...     

Au/N-g-C3N4复合材料的制备及其可见光催化产氢性能

首先以尿素和柠檬酸作为前驱体,通过热处理工艺合成N掺杂的g-C₃N₄(N-g-C₃N₄),然后利用化学还原的方法将Au沉积到N-g-C₃N₄表面,形成Au修饰的N掺杂的g-C₃N₄复合光催化材料(Au/N-g-C₃N₄)。通过XRD、XPS、TEM、UV-Vis和光电流测试对其进行了表征,与同等条件下制备的N-g-C₃N₄和g-C₃N₄相比,Au/N-g-C₃N₄具有更强的光吸收性能和更大的光电流。同时对材料的可见光产氢性能进行了研究,结果发现：当Au含量为1%时,复合材料呈现最佳的光催化产氢性能,其产氢速率为974μmol·g^-1·h ^-1,为N-g-C₃N₄     

熔盐辅助法制备g-C3N4纳米结构及其光催化制氢性能

以尿素作为原料, 采用熔盐辅助热聚合法在KCl-NaCl-BaCl₂体系中制备了带隙可调的g-C₃N₄纳米结构. 采用X射线衍射仪、 扫描电子显微镜、 X射线光电子能谱仪、 紫外-可见漫反射光谱仪及荧光光谱仪对产物的结构、 形貌、 成分及光学性能进行了表征. 对g-C₃N₄纳米结构可见光条件下的光催化制氢性能进行了测试, 研究了不同的尿素/熔盐比对其光催化性能的影响. 结果表明, 熔盐辅助热聚合法制备的g-C₃N₄ 纳米结构吸收光谱出现明显宽化, 吸收边由普通热聚合法制备g-C₃N₄的约450 nm红移至约500 nm左右. 同时光生载流子复合几率明显降低, 从而有效提升其光催化制氢性能. 最优化的g-C₃N₄(60)样品析氢速率达到12301.1 μmol?g^?1?h^?1, 为普通热聚合法制备g-C₃N₄析氢速率的4倍.     

亚甲基蓝嵌入的供体受体型g-C3N4纳米片光催化剂用于产H2(英文)

石墨相氮化碳(g-C₃N₄)是一种优异的产H₂光催化剂,但是其存在载流子分离效率低、光吸收能力较差和比表面积小的问题。本研究通过对二氰二胺和亚甲基蓝(MB)进行热共聚合,结合后续热剥离策略,成功合成了一种新型分子内供体-受体(D-A)结构g-C₃N₄纳米片光催化剂。实验结果和密度泛函理论(DFT)计算表明,将亚甲基蓝掺入g-C₃N₄框架中扩大了光吸收范围,促进了载流子的分离。此外,热剥离增加了催化剂的比表面积且进一步促进了载流子的分离。因此,D-A结构g-C₃N₄纳米片显示出大幅提升的光催化产氢活性(2275.6μmol·h^-1·g^-1),分别是块状g-C₃N₄、D-A结构g-C₃N₄、g-C₃N₄纳米片的5.30,2...     

一步热聚合法制备K、Mn共掺杂g-C3N4复合光催化剂应用于CO2还原

以尿素和KMnO₄为原料,采用一步热聚合法制备了K、 Mn共掺杂g-C₃N₄复合催化剂,并将其应用于光催化CO₂还原. XRD、 FT-IR、 TEM-EDS、 XPS表征结果表明, K和Mn元素成功地共掺杂到g-C₃N₄骨架构成n-π*共轭形式,部分Mn元素以MnO₂的形式存在.通过色谱对产物进行检测,所有样品的主要产物为CO和CH₄,其中K、Mn共掺杂g-C₃N₄样品较纯的g-C₃N₄样品表现出更高的CO和CH₄产率,最高分别是纯g-C₃N₄的1.82倍和2.18倍.表征发现, K、 Mn共掺杂g-C₃N₄复合催化剂的CO₂还原性能的提升得益于扩展的可见光利用率和光致载流子的加速分离和转移.     

Ueber die Adsorption,X

Ohne Zusammenfassung     

Quantum Chemical Study of X@BikPbm,BikPbm∙X,X@SbkSnm,and SbkSnm∙X Clusters

Russian Journal of General Chemistry - Clusters (Ih)-(Cd, Hg, Yb)@(Pb12, Sn12), (C5v)-(Ag, Au)@BiPb11, (C5v)-Ag@SbSn11, (D5d)(Ni, Pd, Pt)@Bi2Pb10, (D5d)-Pd@Sb2Sn10, (C3v)-(Pb12, Sn12)·(Pb, Sr,...     

HCHO+X(X=F、Cl、Br)的反应机理

采用CCSD/6-311++G(d,p)//B3LYP/6-311++G(d,p)方法研究了HCHO与卤素原子X(X=F、Cl、Br)的反应机理. 计算结果表明, 卤素原子X(X=F、Cl、Br)主要通过直接提取HCHO中的H原子生成HCO+HX(X=F、Cl、Br). 另外还可以生成稳定的中间体, 中间体再通过卤原子夺氢和氢原子直接解离两个反应通道分别生成HCO+HX(X=F、Cl、Br)和H+XCHO(X=F、Cl、Br). 其中卤原子夺氢通道为主反应通道, HCO和HX(X=F、Cl、Br)为主要的反应产物; 且三个反应的活化能均较低, 说明此类反应很容易进行, 计算结果与实验结果符合很好. 电子密度拓扑分析显示, 在HCHO+X反应通道(b)中出现了T型结构过渡态, 结构过渡态(STS)位于能量过渡态(ETS)之后. 并且按F、Cl、Br的顺序, 结构过渡态出现得越来越晚.     

Electronic Structure of Fe+X Alloys (X = Si, Ge, Co)

The electronic structure of Fe–Ge, Fe–Si, and Fe–Co alloys has been investigated by X-ray photoelectron spectroscopy. In Fe–Ge alloys with less than 10 at.% Ge, the Fe–Ge bond is mainly formed by the Fe 4sp- and Ge 4p-electrons. The results obtained for this system are identical to those for the Fe–Si system. The form of the valence band reflects the density distribution of both iron d-electronic states the and p-electronic states of the second component, having more extended density distribution of valence electrons. In FeCo alloys, strong spatial localization of d-electron density takes place in the vicinity of the corresponding atoms, which is stronger on the iron atoms compared to pure iron; the valence band has a two-band structure reflecting the density distribution of the d-states of each component. X-ray photoelectron spectroscopy data are in good agreement with kinetic data for the alloys.     

Trigonal-planare CuX3-Gruppen in Cu2Mo6X14, X = Cl,Br, I

Trigonal Planar CuX₃-Groups in Cu₂Mo₆X₁₄, X = Cl, Br, I Cu₂Mo₆Cl₁₄ (I), Cu₂Mo₆Br₁₄ (II) and Cu₂Mo₆I₁₄ (III) were synthesized by thermal treatment of corresponding mixtures of copper(I) and molybdenum(II) halides. The crystal structures were determined by single crystal X-ray analyses. I and II show isotypism, cubic, Pn3 (no. 201, sec. setting), Z = 4, I: a = 12.772(3) Å, II: a = 13.350(2) Å. III shows a new structural type, orthorhombic, Pbca (No. 61), Z = 4, a = 16.058(3) Å, b = 10.643(2) Å, c = 16.963(3) Å. Trigonal planar CuX₃ units were found in I? III. Structural behaviour relations are discussed, especially with regard to ionic conductivity.     

Gleichgewichtsmessungen mit den Systemen PdX2,f + Al2X6,g = PdAl2X8,g (X = Cl,Br, I)

Equilibrium Measurements with the Systems PdX_2.f + Al₂X_6.g = PdAl₂X_8.g; (X = Cl, Br, I) The equilibria mentioned on the title have been measured by a simple flow method. In contrast with the data measured with X = Cl or Br, for X = I only less accurate, informing values could be obtained. Even so differences in the stability of chloride and bromide complexes on one hand and iodide complexes on the other hand can be traced back on differences in the structures of the solid dihalides.     

Hydrogen bridging in the compounds X2H (X=Al,Si,P,S)

X2H hydrides (X=Al, Si, P, and S) have been investigated using coupled cluster theory with single, double, and triple excitations, the latter incorporated as a perturbative correction [CCSD(T)]. These were performed utilizing a series of correlation-consistent basis sets augmented with diffuse functions (aug-cc-pVXZ, X=D, T, and Q). Al2H and Si2H are determined to have H-bridged C2v structures in their ground states: the Al2H ground state is of 2B1 symmetry with an Al-H-Al angle of 87.6 degrees, and the Si2H ground state is of 2A1 symmetry with a Si-H-Si angle of 79.8 degrees. However, P2H and S2H have nonbridged, bent Cs structures: the P2H ground state is of 2A' symmetry with a P-P-H angle of 97.0 degrees, and the S2H ground state is of 2A' symmetry with a S-S-H angle of 93.2 degrees. Ground state geometries, vibrational frequencies, and electron affinities have been computed at all levels of theory. Our CCSD(T)/aug-cc-pVQZ adiabatic electron affinity of 2.34 eV for the Si2H radical is in excellent agreement with the photoelectron spectroscopy experiments of Xu et al. [J. Chem. Phys. 108, 7645 (1998)], where the electron affinity was determined to be 2.31+/-0.01 eV.     

Crystal chemistry of AB2X4 (X = S,Se, Te) compounds

An attempt is made to correlate the crystal structures of ternary chalcogenides of composition AB₂X₄ with the cationic radius ratio and a pseudo force-constant involving their electronegativities. The resultant diagram adequately resolves structures based on the types K₂SO₄, monoclinic, olivine, MnY₂S₄, Th₃P₄, and CaFe₂O₄ but structure types based on spinel, Cr₃Se₄, and Ag₂HgI₄ are not resolved. Crystal chemical arguments are used to explain these observations and to advance reasons for the successes and failures of this method for predicting structure types.     

Geometries,vibrational frequencies,and electron affinities of X2Cl (X=C,Si,Ge) clusters

Ab initio quantum chemical calculations have been performed on X₂Cl^? and X₂Cl (X = C, Si, Ge) clusters. The geometrical structures, vibrational frequencies, electronic properties and dissociation energies are investigated at the Hartree–Fock (HF), Møller–Plesset second‐ and fourth‐order (MP2, MP4), CCSD(T) level with the 6‐311+G(d) basis set. The X₂Cl (X = C, Si, Ge) and X₂Cl^? (X = Si, Ge) take a bent shape obtained at the ground state, while C₂Cl^? has a linear structure. The impact on internal electron transfer between the X₂Cl and the corresponding anional clusters is studied. The three different types of electron affinities (EAs) at the CCSD(T) are reported. The most reliable adiabatic electronic affinities, obtained at the CCSD(T)/cc‐pvqz level of theory, are predicted to be 3.30, 2.62, and 1.98 eV for C₂Cl, Si₂Cl, and Ge₂Cl, respectively. The calculated EAs of C₂Cl and Ge₂Cl are in good agreement with theoretical results reported. The correlation effects and basis sets effects on the geometrical structures and dissociation energies are discussed. © 2006 Wiley Periodicals, Inc. Int J Quantum Chem, 2007     

C70X2(X=H, F, Cl)的稳定性和电子光谱

用INDO方法研究C70H2四种异构体的稳定性, 表明其最稳定异构体为1, 9-C70H2和7, 8-C70H2, 两者能量差为16.3KJ.mol^-^1, 与实验值及ab initio计算值接近; 光谱计算表明, 其特征吸收峰与实验值一致。在此基础上预测C70F2和C70Cl2的稳定性和电子光谱, 表明C70F2四种异构体的稳定性顺序与C70H2一致, 而C70Cl2则以21, 42-异构体最为稳定。二者的电子光谱与C70H2极其相似只是在500nm以上有细微差别。