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相似文献
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1.
B_2O_3-CuO-Li_2CO_3对CSLST陶瓷微波介电性能影响的研究   总被引:5,自引:4,他引:1  
研究了添加5%B2O3-CuO基础上再添加不同含量的Li2CO3复合烧结助剂对(Ca0.9375Sr0.0625)0.3(Li0.5Sm0.5)0.7TiO3(CSLST)陶瓷的烧结行为及微波介电性能的影响。研究结果表明:添加复合烧结助剂的陶瓷烧结后其晶相仍呈斜方钙钛矿结构。在不劣化微波介电性能的条件下,陶瓷的烧结温度可降至950℃,随Li2CO3含量的增加,添加复合烧结助剂的CSLST陶瓷的体积密度和介电常数εr逐渐降低。当Li2CO3添加量为0.5%时,在950℃保温5 h,所制得的陶瓷具有优良的微波介电性能:εr=84.7,Qf=1929 GHz,τf=28.76×10-6/℃。  相似文献   

2.
研究了复合添加12.5wt% Li2CO3-B2O3-CuO (LBC)玻璃和不同含量(0~4.0wt%) Bi2O3对(Ca0.9375Sr0.0625)0.3 (Li0.5Sm0.5)0.7TiO3 (CSLST)微波介质陶瓷烧结特性、相组成和介电性能的影响,分析了CSLST陶瓷与银的共烧行为.结果表明:复合添加LBC玻璃和Bi2O3能有效降低CSLST陶瓷烧结温度至875℃,XRD分析结果显示添加0~ 1.0wt% Bi2O3有Cu3Ti3O和CaCu3Ti4O12新相产生,当Bi2O3的添加量大于2.0wt%,杂相消失.随着Bi2O3添加量的增加,陶瓷的频率温度系数Tf向负方向偏移.复合添加12.5wt%LBC玻璃和2.0wt% Bi2O3的CSLST陶瓷,在875℃保温5h烧结后,具有优良的微波介电性能:εr=78.9,Q×f=1852 GHz,τε=3×10-6/C.该材料与银共烧界面结合状况良好,无明显扩散,适合作为LTCC的材料.  相似文献   

3.
研究了不同添加量的ZnO-B2 O3 -SiO2 (ZBS)玻璃作为烧结助剂对硅酸锌陶瓷的结构及微波介电性能的影响.研究结果表明:添加ZnO-B2 O3-SiO2玻璃的陶瓷烧结后其主晶相仍呈硅锌矿结构,并且硅酸锌陶瓷的烧结温度从1300℃降低到900℃.随着玻璃添加量的增加,陶瓷的介电常数(εr)和品质因数(Qf)呈逐渐降低的趋势,当玻璃添加量为20 wt%时,900℃保温2h所制备的陶瓷具有较优良的微波介电性能:εr=6.85,Qf =31690 GHz,τf=- 28×10-6/℃,在低温共烧陶瓷领域有着潜在的应用价值.  相似文献   

4.
采用B2O3-CuO-LiCO3(BCL)玻璃料作为烧结助剂,通过增加球磨时间的方法,对(Ca18/19Sr1/19)0.2(Li0.5Sm0.5)0.8TiO3(CSLST)微波介质陶瓷进行低温烧结。研究了不同含量的BCL烧结助剂对CSLST微波介质陶瓷低温烧结特性的影响,和不同球磨时间对含2wt%BCL烧结助剂的CSLST微波介质陶瓷粉体颗粒度及低温烧结的影响。结果表明:球磨后的粉体粒径均分布在0.1~0.4μm之间,d50为0.170μm,比表面积达到35.2 m2/g且具有较高的表面活性,可以在875℃保温5 h完全烧结。该陶瓷的微波介电性能为:介电常数εr=81.3,品质因素Q×f=1886 GHz,谐振频率温度系数τf=-27.6×10-6/℃。  相似文献   

5.
采用固相反应法,研究了V_2O_5添加量与0.6SrTiO_3-0.4LaAlO_3(简称6ST-4LA)陶瓷烧结性能及介电性能之间的变化关系。结果表明:少量V_2O_5的引入未改变陶瓷的晶相组成,主晶相仍为SrTiO_3基固溶体,适量添加V_2O_5不仅能显著降低6ST-4LA陶瓷的烧结温度,而且能增大其介电常数和品质因数(Q·f),调节谐振频率温度系数τf;随着V_2O_5添加量的继续增加,有第二相SrVO_3出现并逐渐增多。当V_2O_5添加量为0.10wt%,1450℃烧结时,6ST-4LA陶瓷获得最佳微波介电性能:εr=46.46,Q·f=59219 GHz,τf=3×10~(-6)/℃。  相似文献   

6.
以分析纯MgO、TiO2、SrCO3为原料,采用固相法制备了(1-x)MgTiO3-xSrTiO3(x=0~0.065)系列微波介质陶瓷材料,研究了添加SrTiO3后,体系的晶相组成、显微结构、微波介电性能之间的变化规律。研究表明,随着SrTiO3添加量的增加,陶瓷的体积密度、介电常数εr、谐振频率温度系数τf都呈增加趋势,但无载品质因素与谐振频率的乘积Q×f的值随添加量的增加呈下降趋势。当x=0.035时,陶瓷可在1380℃保温2 h烧结,此时陶瓷获得近零的频率温度系数:τf=-2.8×10-6/℃、高的品质因素:Q×f=16714 GHz、介电常数:εr=21.5。  相似文献   

7.
采用固相法制备了(Ca1-xSrx)0.25(Li1/2Sm1/2)0.75TiO3(CSLST-x)(x=0~1/10)系列微波介质陶瓷材料,研究不同含量的Sr2+含量对该体系的相组成、烧结性能和微波介电性能影响。在x=1/22~1/10范围内,Sr2+的掺杂不会改变晶体的结构;在1175~1200℃烧结时,相同烧结温度下随着Sr2+含量的增加,介电常数εr增大,无载品质因数与谐振频率乘积Qf值降低;置换离子Sr2+的添加使该体系的烧结温度降低了近200℃,并保持良好的微波介电性能。其中,x=1/16的CSLST陶瓷在1200℃烧结,保温5h时具有较好的微波介电性能:εr=97.2,Qf=2490GHz,τf=14.74ppm/℃。  相似文献   

8.
采用传统固相烧结工艺制备BaAl2Si2O8(BAS)基微波介质陶瓷。研究添加H3BO3对BaAl2Si2O8基微波介质陶瓷的烧结特性、相转变、微波介电性能以及微观结构的影响。结果表明,H3BO3可以将BAS陶瓷烧结温度降低200℃左右,可以有效促进六方钡长石向单斜钡长石转变。当H3BO3添加量为10mol%时,具有最佳的综合微波介电性能,εr=6.3,Q×f=14700 GHz。H3BO3添加量为30mol%时,τf值最接近零值,为-13 ppm/℃。  相似文献   

9.
采用固相反应法在1300℃烧结4 h得到了致密的具有钙钛矿结构的Ca0.16Sr0.04Li0.4Nd0.4TiO3微波介质陶瓷。通过X射线衍射仪、扫瞄电子显微镜和矢量网络分析仪系统的研究了不同含量Al2O3掺杂对Ca0.16Sr0.04Li0.4Nd0.4TiO3(CSLNT)陶瓷的烧结行为、晶体结构、显微形貌以及微波介电性能的影响。结果表明,对于CSLNT+xwt%Al2O3陶瓷,随着Al2O3掺杂量的增加,介电常数(εr)有轻微的降低,而温度系数(τf)有所增加;由于第二相的出现导致了品质因子(Q·f)先增后减。当Al2O3掺杂量为2wt%时,其介电性能最佳的致密化烧结温度为1200℃,此时具有最佳的微波介电性能:εr=112.6,Q·f=1698 GHz和τf=31.9 ppm/℃。  相似文献   

10.
采用固相反应法,以0.7CaTiO3-0.3SmAlO3(CSTA)为基础配方,研究了Li2CO3对CSTA微波介质陶瓷性能的影响。结果表明:添加适量的Li2CO3可有效的降低CSTA的烧结温度,由1500℃降低到1380℃。XRD分析表明:Li2CO3的引入未改变陶瓷的的晶相组成。SEM分析表明,添加Li2CO3会抑制晶粒长大,当添加0.1wt%时,晶粒尺寸小,分布均匀;随着添加量的增加,玻璃相增加,部分晶粒长大,分布不均匀,从而降低品质因数。添加0.1wt%的Li2CO3的CSTA陶瓷在1380℃烧结时获得最佳介电性能:εr=45.09,Q·f=61600 GHz(f=6.417 GHz),τf=+7.54×10-6/℃。  相似文献   

11.
微波烧结法制备0.85(Mg_(0.7)Zn_(0.3))TiO_3-0.15(Ca_(0.61)La_(0.26))TiO_3((Mg_(0.7)Zn_(0.3))TiO_3-Ca_(0.61)La_(0.26)TiO_3)系介质陶瓷,研究微波烧结工艺对(Mg_(0.7)Zn_(0.3))TiO_3-Ca_(0.61)La_(0.26)TiO_3陶瓷烧结性能、微观结构、相组成和微波介电性能的影响。结果表明:(Mg_(0.7)Zn_(0.3))TiO_3-Ca_(0.61)La_(0.26)TiO_3陶瓷的主晶相为(Mg_(0.7)Zn_(0.3))TiO_3、Ca_(0.61)La_(0.26)TiO_3,第二相为(Mg_(0.7)Zn_(0.3))Ti_2O_5;升温速率15℃/min,烧结温度1275℃,保温时间20 min时,陶瓷微波介电性能优良:ε_r=27.01,Q·f=103500 GHz,τ_f=+2 ppm/℃。  相似文献   

12.
尖晶石型微波介质陶瓷因高品质因数和可调的谐振频率温度系数在无线通信等领域应用广泛。本文通过无压烧结制备了MgO·nGa2O3(n=0.975、1.00、1.08和1.17)尖晶石陶瓷,采用XRD Rietveld全谱拟合研究了化学计量比对晶体结构的影响,并结合键价理论模型探究了微波介电性能与晶体结构的关系。结果表明:MgO·nGa2O3陶瓷相对介电常数(εr)的变化与晶格常数和离子极化率有关;品质因数(Q×f)受键强和阳离子有序度的共同影响,随n值增大从165 590 GHz下降至109 413 GHz;而谐振频率温度系数(τf)与晶体热膨胀系数相关。制备的MgO·0.975Ga2O3陶瓷具有优异的微波介电性能:εr=9.69、Q×f=165 590 GHz(频率14 GHz下)和τf=-7.12×10-6/℃。  相似文献   

13.
采用传统固相反应法制备了xLi0.5Bi0.5MoO4-(1-x)Li2Zn2(MoO4)3 [xLBM-(1-x)LZM]复合陶瓷,研究添加不同质量分数(x=25%,30%,35%,40%和45%)的LBM对LZM陶瓷的烧结特性、物相组成、微观结构以及微波介电性能的影响。结果表明:添加一定量的LBM不仅能将LZM的谐振频率温度系数(τf)调节近零,还能降低LZM的烧结致密化温度;LBM可与LZM共存,且不发生化学反应生成其他新相。随着LBM添加量增加,复合陶瓷的烧结致密化温度逐渐降低、体积密度先增大后减小、介电常数(εr)与τf逐渐增大而品质因数(Q×f)逐渐减小。当LBM添加量为40%时,LZM-LBM复合陶瓷在600 ℃烧结2 h获得最大体积密度为4.41 g/cm3,以及优异的微波介电性能:εr为13.8,Q×f为28 581 GHz,τf为-4×10-6/℃。  相似文献   

14.
采用固相反应法,研究了WO_3掺杂对Ba_4Sm_(9.33)Ti_(18)O_(54)(简称BST)微波介质陶瓷相组成、显微结构、烧结性能与介电性能的影响。结果表明:适量添加WO_3能通过不等价离子取代Ti位,产生晶格缺陷,促进离子扩散,不仅能有效降低BST陶瓷的烧结温度至1280℃,而且能减少氧空位的产生,降低介电损耗。同时适量WO_3时有新相BaWO_4生成,它的出现也有利于改善其介电性能。添加0.25wt%WO_3的BST陶瓷在1280℃烧结3 h时取得最佳介电性能:ε_r=80.4,Q·f=11740.85 GHz,τ_f=-23.3×10~(-6)/℃。  相似文献   

15.
采用固相反应法制备了致密的LiFeTiO_4陶瓷材料,并在此基础上系统地考察了其晶体结构、微结构等因素对其微波介电性能的影响。研究表明,当烧结温度合适时,能够制备出单相尖晶石结构的陶瓷,并且其烧结温度和保温时间对其物相组成和相应的微波介电性能具有明显的影响。通过实验确定了形成单相的LiFeTiO_4陶瓷材料所需的临界的烧结温度和保温时间参数,并且证实了当只有烧结温度和保温时间合适时,方可得到具备良好微波介电性能的材料,即在1090℃烧结2 h后所制备的材料的微波介电性能为ε=16.54,Q×f=15490 GHz(8.334GHz),τf=-60.33×10~(-6)/℃。  相似文献   

16.
本研究选择Si3N4-BN-SiO2体系,通过气氛压力烧结工艺(Gas Pressure Sintering,GPS)研制了耐高温、抗冲刷Si-B-O-N系陶瓷透波材料。系统研究了BN和纳米SiO2含量对复合材料力学和介电性能的影响,分析了该材料的显微结构特点及增强机理。实验结果表明:通过控制材料组分和工艺参数的变化,制备的Si-B-O-N系陶瓷透波材料性能良好,弯曲强度:74.7~174.83MPa;介电常数:3.5~4.2;介电损耗:0.5~4.5×10-3,可满足高性能导弹用陶瓷天线罩对透波材料的要求。  相似文献   

17.
采用固相合成法制备了Fe2O3掺杂(Ba0.7Ca0.3)TiO3-Ba(Zr0.2Ti0.8)O3(简称BCZT)无铅压电陶瓷。借助XRD、SEM、阻抗分析仪等对该陶瓷的相组成、显微结构以及压电和介电性能进行了研究。结果表明,Fe2O3掺杂降低了BCZT无铅压电陶瓷的烧结温度并使居里温度Tc从85℃提高到95℃;当Fe2O3掺杂为0.02wt%~0.1wt%时,陶瓷样品均为ABO3型钙钛矿结构;少量Fe2O3掺杂促进了陶瓷晶粒的生长,但随着Fe2O3掺杂量进一步增加,陶瓷晶粒随之细化;当Fe2O3掺杂量为0.04wt%时,陶瓷样品具有最优综合电性能,其压电常数d33、机电耦合系数kp、机械品质因数Qm、介电损耗tanδ和介电常数εr分别为400 pC/N,0.40,51,0.023和3482。  相似文献   

18.
采用固相反应方法在不同烧结升温速率下制备了BaTiO_3陶瓷,并对陶瓷样品的晶体结构、表面形貌、介电、压电和铁电性能进行了测试和分析。结果表明:当烧结升温速率为3℃/min和5℃/min时陶瓷均为四方钙钛矿晶格结构,随升温速率的增大,四方相程度增强,材料平均晶粒尺寸减小,压电系数和铁电性能随之降低,但介电常数随之增大,当烧结升温速率为5℃/min介电常数最大,其值为3144。当烧结升温速率为1℃/min时陶瓷为正交钙钛矿晶格结构d_(33)和P_r最大,其值为P_r=10μC/cm~2和d_(33)=193 pC/N。  相似文献   

19.
以高纯石英粉、氧化铝粉以及玻璃粉作为主要原料,首先通过颗粒稳定泡沫法结合离心雾化干燥装置制备得到SiO_2-Al_2O_3陶瓷微珠,然后将其紧密堆积于坩埚中,随后经1500℃下直接堆积烧结1 h,利用空心微珠高温下自发泡,成功制备孔分布均匀的多孔莫来石陶瓷。研究了SiO_2-Al_2O_3陶瓷微珠中高纯石英粉、氧化铝粉和玻璃粉组成对多孔莫来石陶瓷性能的影响。该方法简便易行,可控性强。通过该方法可制得气孔率高达85.4%,抗压强度为(3.69±0.86)MPa,低介电常数为1.70的多孔莫来石陶瓷,有望应用于透波材料领域。  相似文献   

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