Ba(Co1/3Nb2/3)O3微波介质陶瓷预烧温度研究

采用传统固相法制备Ba(Co1/3Nb2/3)O3微波介质陶瓷。研究了预烧温度对其物相组成、显微结构、烧结性能、微波介电性能的影响。结果表明:在不同预烧温度下制备的陶瓷样品主晶相为复合钙钛矿结构的Ba3CoNb2O9,900℃、1000℃有微量Ba3Nb5O15生成。最佳预烧温度为1100℃,在1380℃烧结4 h时,εr=31.8,Q×f=60164GHz,τf=-15×10-6/℃。合适的预烧温度能有效抑制第二相的生成,提升材料致密度,促使主晶相B位有序排列,进而降低介电损耗。     

Al2O3掺杂对Ca0.2Sr0.05Li0.375Sm0.375TiO3微波介电性能的影响

采用固相烧结法制备了掺杂Al2O3的Ca0.2Sr0.05Li0.375Sm0.375Ti O3微波介质陶瓷。研究了Al2O3掺杂对Ca0.2Sr0.05Li0.375Sm0.375Ti O3的助烧效果、物相结构、显微组织和微波介电性能的影响规律。结果表明:Al2O3的添加降低了Ca0.2Sr0.05Li0.375Sm0.375Ti O3陶瓷的烧成温度,但对物相基本无影响。此外,高含量Al2O3的添加能促进晶粒细化。此体系陶瓷的最佳介电性能为:Al2O3含量为0.9wt%且烧成温度为1250℃时,εr=110.8、Q·f=4159.6 GHzτf=49.4 ppm/℃。     

掺杂和包覆H_3BO_3对BZN陶瓷烧结和介电性能的影响

以Bi2O3、ZnO和Nb2O5粉末为原料,通过固相反应合成了以(Bi1.5Zn0.5)(Zn0.5Nb1.5)O7(BZN)为主晶相的陶瓷。分别以液相包覆法和固相混合法引入助烧剂B2O3降低BZN的烧结温度。研究了B2O3对BZN陶瓷的烧结和介电性能的影响。结果表明,液相包覆B2O3后,BZN陶瓷的烧结温度从1100℃降至900℃。H3BO3溶液的浓度为0.9 mol/L,900℃烧结3 h所制BZN陶瓷的介电性能良好:εr=150,Q×f=228,τf=-362 ppm/℃。     

烧结助剂MnCO_3对0.80Sm(Mg_(1/2)Ti_(1/2))O_3-0.20Ca_(0.8)Sr_(0.2)TiO_3微波介质陶瓷的性能影响

采用传统固相反应法,研究了烧结助剂MnCO3对0.80Sm(Mg1/2Ti1/2)O3-0.20Ca0.8Sr0.2TiO3微波介质陶瓷的烧结性能和介电性能的影响。结果表明,烧结助剂MnCO3的引入未改变陶瓷的晶相组成。添加适量的MnCO3可以降低体系的烧结温度,获得较优的性能;添加过量的MnCO3或烧结温度过高会产生微裂纹,增加了陶瓷的介电损耗,降低致密性。在1500℃烧结,保温3 h,添加0.50wt%MnCO3,0.80Sm(Mg1/2Ti1/2)O3-0.20Ca0.8Sr0.2TiO3陶瓷获得最佳的介电性能:εr=29.80,Q×f=56900 GHz,τf=7.53 ppm/℃。     

退火工艺对0.9Al2O3-0.1TiO2微波介质陶瓷性能与结构的影响

采用反应烧结法制备0.9Al2O3-0.1Ti O2微波介质陶瓷,研究了退火时间,退火气氛对其物相组成、显微结构、微波介电性能的影响。结果表明:经过退火后,第二相Al2Ti O5分解,陶瓷的表面规整,致密度高;延长退火时间以及合适的退火气氛可以有效地提高0.9Al2O3-0.1Ti O2陶瓷的Q×f值。在空气气氛下,1350℃烧结4 h,氧气气氛下1100℃退火20 h的0.9Al2O3-0.1Ti O2微波介质陶瓷具备优异的介电性能:εr=12.50,Q×f=79812 GHz,τf=0.13 ppm/℃。     

硼酸对BaAl2Si2O8陶瓷相转变和微波介电性能的影响

采用传统固相烧结工艺制备BaAl2Si2O8(BAS)基微波介质陶瓷。研究添加H3BO3对BaAl2Si2O8基微波介质陶瓷的烧结特性、相转变、微波介电性能以及微观结构的影响。结果表明,H3BO3可以将BAS陶瓷烧结温度降低200℃左右,可以有效促进六方钡长石向单斜钡长石转变。当H3BO3添加量为10mol%时,具有最佳的综合微波介电性能,εr=6.3,Q×f=14700 GHz。H3BO3添加量为30mol%时,τf值最接近零值,为-13 ppm/℃。     

CuO对(Zn_(0.5)Mg_(0.5))Nb_2O_6陶瓷的烧结温度和微波介电性能的影响

本文研究了助烧剂CuO对(Zn0.5Mg0.5)Nb2O6陶瓷的烧结特性、微观结构、相结构及微波介电性能的影响。研究结果表明,助烧剂CuO可以将(Zn0.5Mg0.5)Nb2O6陶瓷的烧结温度降低到950℃。添加3 wt%CuO,在950℃烧结的(Zn0.5Mg0.5)Nb2O6陶瓷密度达到了理论密度的97%以上,介电常数为20,Q×f值为33556 GHz。     

Zn0.99Cu0.01Al2O4-SrTiO3微波陶瓷介电性能的研究

以分析纯Zn O、Cu O、Al2O3、Ti O2以及Sr CO3为原料,采用传统固相法制备了(1-x)Zn0.99Cu0.01Al2O4-x Sr Ti O3(ZCAST,x=0~0.045)微波介质陶瓷,利用X射线衍射仪、扫描电镜和网络分析仪对其结构、形貌和微波介电性能进行表征。研究了不同x值对ZCAST陶瓷相组成、显微结构以及微波介电性能的影响。结果表明,ZCAST陶瓷的体积密度、介电常数εr随着Sr Ti O3含量的增多而增大。当x=0.04具有最佳微波介电性能:介电常数εr=14.12,品质因数Q×f=28700 GHz,频率温度系数τf=-1.8×10-6/℃。     

Fe2O3掺杂(Ba0.7Ca0.3)TiO3-Ba(Zr0.2Ti0.8)O3无铅压电陶瓷的制备与性能

采用固相合成法制备了Fe2O3掺杂(Ba0.7Ca0.3)TiO3-Ba(Zr0.2Ti0.8)O3(简称BCZT)无铅压电陶瓷。借助XRD、SEM、阻抗分析仪等对该陶瓷的相组成、显微结构以及压电和介电性能进行了研究。结果表明,Fe2O3掺杂降低了BCZT无铅压电陶瓷的烧结温度并使居里温度Tc从85℃提高到95℃;当Fe2O3掺杂为0.02wt%～0.1wt%时,陶瓷样品均为ABO3型钙钛矿结构;少量Fe2O3掺杂促进了陶瓷晶粒的生长,但随着Fe2O3掺杂量进一步增加,陶瓷晶粒随之细化;当Fe2O3掺杂量为0.04wt%时,陶瓷样品具有最优综合电性能,其压电常数d33、机电耦合系数kp、机械品质因数Qm、介电损耗tanδ和介电常数εr分别为400 pC/N,0.40,51,0.023和3482。     

B2O3对YCaZrVIG铁氧体微结构及性能的影响

采用传统固相法制备添加B2O3的YCaZrVIG铁氧体,研究了B2O3添加量对其烧结温度、微结构和磁性能的影响。结果表明,添加的B2O3对材料的物相没有影响,所有样品均为单相石榴石结构。添加B2O3显著降低了YCaZrVIG铁氧体的烧结温度,且使颗粒尺寸逐渐减小。添加1.8wt%B2O3的样品,烧结温度约为1200℃,且体积密度最大。进一步提高B2O3添加量至3.0wt%,烧结温度又略有提高,且晶粒尺寸变得不均匀。随着B2O3添加量的增加,4πMs和Br先显著增大后减小,而Hc则减小后急剧增大。适当提高烧结温度,有利于Hc的减小。B2O3添加量为1.8wt%、1290℃烧结保温4 h制得的YCaZrVIG铁氧体综合性能较佳:Db=4.80 g.cm-3,4πMs=1670 Gs,Br=682 Gs,Hc=0.86 Oe。     

Al_2O_3掺杂对微波介质陶瓷Ca_(0.16)Sr_(0.04)Li_(0.4)Nd_(0.4)TiO_3烧结特性和微波介电性能的影响

采用固相反应法在1300℃烧结4 h得到了致密的具有钙钛矿结构的Ca0.16Sr0.04Li0.4Nd0.4TiO3微波介质陶瓷。通过X射线衍射仪、扫瞄电子显微镜和矢量网络分析仪系统的研究了不同含量Al2O3掺杂对Ca0.16Sr0.04Li0.4Nd0.4TiO3(CSLNT)陶瓷的烧结行为、晶体结构、显微形貌以及微波介电性能的影响。结果表明,对于CSLNT+xwt%Al2O3陶瓷,随着Al2O3掺杂量的增加,介电常数(εr)有轻微的降低,而温度系数(τf)有所增加;由于第二相的出现导致了品质因子(Q·f)先增后减。当Al2O3掺杂量为2wt%时,其介电性能最佳的致密化烧结温度为1200℃,此时具有最佳的微波介电性能:εr=112.6,Q·f=1698 GHz和τf=31.9 ppm/℃。     

Nd2O3对Al2O3基复合陶瓷耐磨性能及微观结构的影响

在Ca O-Mg O-Si O2作为复合烧结助剂降低氧化铝陶瓷温度的前提下,研究不同添加量的稀土氧化物Nd2O3对陶瓷烧结温度、磨损率、显微结构的影响。通过设计Nd2O3在六铝酸钙中固溶和Nd2O3在Al2O3单晶表面扩散的实验,探索Nd2O3对氧化铝陶瓷耐磨性能影响的机理。结果表明:加入过量的Nd2O3会破坏晶界结合强度,导致陶瓷的耐磨性能变差;而少量Nd2O3的加入能有效提高晶界间结合强度和陶瓷的致密度,改善耐磨性能,耐磨性提高幅度约42.7%。     

复合烧结助剂对CSLST微波介质陶瓷的性能影响

研究了复合添加12.5wt％ Li2CO3-B2O3-CuO (LBC)玻璃和不同含量(0～4.0wt％) Bi2O3对(Ca0.9375Sr0.0625)0.3 (Li0.5Sm0.5)0.7TiO3 (CSLST)微波介质陶瓷烧结特性、相组成和介电性能的影响,分析了CSLST陶瓷与银的共烧行为.结果表明:复合添加LBC玻璃和Bi2O3能有效降低CSLST陶瓷烧结温度至875℃,XRD分析结果显示添加0～ 1.0wt％ Bi2O3有Cu3Ti3O和CaCu3Ti4O12新相产生,当Bi2O3的添加量大于2.0wt％,杂相消失.随着Bi2O3添加量的增加,陶瓷的频率温度系数Tf向负方向偏移.复合添加12.5wt％LBC玻璃和2.0wt％ Bi2O3的CSLST陶瓷,在875℃保温5h烧结后,具有优良的微波介电性能:εr=78.9,Q×f=1852 GHz,τε=3×10-6/C.该材料与银共烧界面结合状况良好,无明显扩散,适合作为LTCC的材料.     

高品质因素MgTiO3-SrTiO3系微波陶瓷介电性能的研究

以分析纯MgO、TiO2、SrCO3为原料,采用固相法制备了(1-x)MgTiO3-xSrTiO3(x=0～0.065)系列微波介质陶瓷材料,研究了添加SrTiO3后,体系的晶相组成、显微结构、微波介电性能之间的变化规律。研究表明,随着SrTiO3添加量的增加,陶瓷的体积密度、介电常数εr、谐振频率温度系数τf都呈增加趋势,但无载品质因素与谐振频率的乘积Q×f的值随添加量的增加呈下降趋势。当x=0.035时,陶瓷可在1380℃保温2 h烧结,此时陶瓷获得近零的频率温度系数:τf=-2.8×10-6/℃、高的品质因素:Q×f=16714 GHz、介电常数:εr=21.5。     

V_2O_5掺杂对0.6SrTiO_3-0.4LaAlO_3微波介质陶瓷结构与性能的影响

采用固相反应法,研究了V_2O_5添加量与0.6SrTiO_3-0.4LaAlO_3(简称6ST-4LA)陶瓷烧结性能及介电性能之间的变化关系。结果表明:少量V_2O_5的引入未改变陶瓷的晶相组成,主晶相仍为SrTiO_3基固溶体,适量添加V_2O_5不仅能显著降低6ST-4LA陶瓷的烧结温度,而且能增大其介电常数和品质因数(Q·f),调节谐振频率温度系数τf;随着V_2O_5添加量的继续增加,有第二相SrVO_3出现并逐渐增多。当V_2O_5添加量为0.10wt%,1450℃烧结时,6ST-4LA陶瓷获得最佳微波介电性能:εr=46.46,Q·f=59219 GHz,τf=3×10~(-6)/℃。     

BBZS掺杂对BaO—Sm2O3-TiO2系微波介质陶瓷性能的影响

利用固相法制备BaO-Sm2O3-TiO2系微波介质陶瓷.通过复合添加氧化物ZnO、CuO和玻璃料Bi2O3-B2O3-ZnO-SiO2(BBZS),系统的烧结温度降至900℃.研究了玻璃料的添加量对介电性能的影响.按BaSm2Ti4O12 1wt%ZnO 1wt%CuO xwt?ZS(0相似文献   

溶胶-凝胶法制备Ca_(0.4)Sr_(0.6)Bi_4Ti_4O_(15)细晶陶瓷

采用凝胶预碳化处理工艺制备了颗粒粒径较小,无硬团聚的Ca0.4Sr0.6Bi4Ti4O15纳米粉体,以Ca0.4Sr0.6Bi4Ti4O15非晶团簇粉体为陶瓷素坯的原料,同组分高浓度的Ca0.4Sr0.6Bi4Ti4O15溶胶为粘结剂,制备了Ca0.4Sr0.6Bi4Ti4O15细晶陶瓷,研究了Ca0.4Sr0.6Bi4Ti4O15粉体的相结构和微观形貌以及陶瓷的显微结构和铁电性能。实验结果表明:700℃焙烧粉体呈现为非晶团簇,800℃焙烧粉体形成了纯层状钙钛矿结构,粒径在100～150nm之间,无硬团聚;950℃烧结的Ca0.4Sr0.6Bi4Ti4O15细晶陶瓷结构致密,晶粒尺寸在0.2～0.5μm之间,其铁电性能优良,剩余极化Pr=12.5μC/cm2,矫顽场强Ec=50kV/cm。     

CaO掺杂对63ST-37LA微波介质陶瓷性能的影响

采用固相反应法,研究了Ca O掺杂对0.63Sr Ti O3-0.37La Al O3(简称63ST-37LA)微波介质陶瓷结构与性能的影响。结果表明:Ca O的引入未改变63ST-37LA陶瓷的晶相组成,Ca2+进入A位与主晶相形成固溶体,降低容限因子,提高介电性能;适量掺杂Ca O不仅可有效的降低烧结温度,促进晶粒生长,而且可减少晶界及晶界带来的缺陷。当Ca O的添加量为0.25wt%,在1450℃烧结时,63ST-37LA陶瓷获得最佳综合微波介电性能:εr=45.52,Q·f=52857 GHz,τf=+2.5×10-6/℃。     

添加LCB玻璃的CSLST微波介质陶瓷低温烧结及其性能研究

采用传统电子陶瓷工艺制备了添加Li2CO3-CuO-B2O3(LCB)玻璃为烧结助剂的(Ca0.9375Sr0.0625)0.3(Li0.5Sm0.5)0.7TiO3(CSLST)微波介质陶瓷,并对其烧结特性、晶相组成和介电性能进行了系统的研究。结果表明:通过液相烧结,LCB玻璃能有效降低CSLST烧结温度至900℃。XRD分析结果显示添加LCB玻璃后材料中均产生了杂相。性能分析结果发现随着LCB添加量的增大,陶瓷的体积密度、介电常数εr、品质因数与谐振频率乘积Q×f呈现先上升后下降的趋势,频率温度系数τf则单调降低。添加质量分数为12.5%的LCB玻璃的CSLST陶瓷在900℃下保温5 h可以完全烧结,并具有最佳的微波介电性能:εr=77.7,Q×f=1845 GHz,τf=21.35×10-6/℃。     

粉体粒径对CSLST微波介质陶瓷烧结温度的影响

采用B2O3-CuO-LiCO3(BCL)玻璃料作为烧结助剂,通过增加球磨时间的方法,对(Ca18/19Sr1/19)0.2(Li0.5Sm0.5)0.8TiO3(CSLST)微波介质陶瓷进行低温烧结。研究了不同含量的BCL烧结助剂对CSLST微波介质陶瓷低温烧结特性的影响,和不同球磨时间对含2wt%BCL烧结助剂的CSLST微波介质陶瓷粉体颗粒度及低温烧结的影响。结果表明:球磨后的粉体粒径均分布在0.1~0.4μm之间,d50为0.170μm,比表面积达到35.2 m2/g且具有较高的表面活性,可以在875℃保温5 h完全烧结。该陶瓷的微波介电性能为:介电常数εr=81.3,品质因素Q×f=1886 GHz,谐振频率温度系数τf=-27.6×10-6/℃。