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相似文献
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Ce:Lu2SiO5闪烁晶体生长   总被引:4,自引:3,他引:4  
《人工晶体学报》1996,25(2):175-176
  相似文献   

4.
本文总结了铝酸镥(LuAlO3:Ce简称LuAP:Ce,P表示该晶体为赝钙钛矿结构)闪烁晶体的晶体结构、闪烁性能、闪烁机理与晶体生长的研究现状,重点阐述了目前晶体生长及其性能研究取得的进展,然后分析了目前文献报道晶体中存在的问题,提出了铝酸镥闪烁晶体未来研究发展的几个方向。  相似文献   

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Ce:LiNbO3晶体的生长及其位相共轭效应   总被引:8,自引:5,他引:3  
  相似文献   

8.
Ce:Nd:LiNbO3晶体具有优良的光折变性能,它作为全息记录介质,用于实现了光学图象微分和全息关联存储。  相似文献   

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本文报道采用Ce:Fe:LiNbO3晶体由多波作用产生的相位共轭波(双泵浦、自磁浦相位共轭、四波混频);获得了44%的双泵浦相位共轭反射率。对以上现象我们理论上进行了分析。  相似文献   

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Ce:Mn:LiNbO3晶体中的自泵浦相位共轭效应   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文报道了用Ce:Mn:LiNbO3晶体构成的环形自泵浦相位共轭振荡器及其所产生的49%的自泵浦相位共轭反射率。同时,借助红外灯的加热,在晶体中引入一热涨落,使相位共轭波出现脉动,此外,又利用晶体缺陷对光的散射观察到衍射光环(锥)。  相似文献   

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Eu:Ce:LiNbO3晶体的光折变效应及其应用研究   总被引:5,自引:0,他引:5  
  相似文献   

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本文报道了Ce:Pr:LiNbO3晶体的生长。测试了晶体的指数增益系数、衍射效率、位相共轭反射率和响应时间。以Ce:Pr:LiNbO3晶体作存储元件,实现全息关联存储,图象清晰完整。  相似文献   

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可调谐激光晶体Cr^3+:LiCaAlF6的生长及原料处理   总被引:2,自引:2,他引:0  
  相似文献   

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高温闪烁晶体Ce:LSO的生长研究   总被引:2,自引:2,他引:0  
Ce:LSO晶体具有优良的闪烁性能。其主要特点是光产额大,发光衰减时间快,密度大,有效原子序数大。辐射长度短,发射峰与光电倍增管的接收范围相匹配,在γ射线探测方面有着广泛的应用。我们用提拉法生长了不同掺杂浓度的的Ce:LSO晶体,成功地解决了在生长过程中出现的晶体开裂及籽晶熔断问题,并对晶体生长过程中的表面重熔,晶体着色及Ce的偏析等现象作了讨论。荧光光谱分析表明晶体最大激发波长为353nm。发射峰由391nm和425nm处两个峰组成,吸收谱则显示晶体在209-370nm之间具有多个吸收峰。  相似文献   

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高温闪烁晶体Ce:YAP的生长研究   总被引:5,自引:2,他引:5  
Ce:YAP晶体具有优良的闪烁性能,其主要特点是光产额大,衰减时间短,发射峰与光电倍增管的接收范围相匹配,在γ射线探测,核医学等方面有着广阔的应用前景。我们用提拉法生长了不同掺杂浓度的Ce:YAP晶体,成功地解决了在生长过程中出现的晶体开裂及孪晶问题,并对晶体生长过程中的爬料,纯YAP晶体着色等现象作了讨论。X射线激发发射谱表明晶体的发射峰在388nm,吸收测试则显示晶体在254nm,366nm处在两个吸收峰。  相似文献   

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Ce:KNSBN晶体两波耦合动态过程研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文在非同时读出条件下,采用实时数据采集系统,实验研究了e偏振光写入Ce:KNSBN晶体两波耦合动态过程,发现不同的写入光强比和写入总光强对晶体中两波耦合过程产生明显的影响;当He-Ne632.8mm激光通过Ce:KNSBN晶体时,光扇效应存在明显的写入光强阈值特性,其阈值约为20mW/cm^2。依据实验结果对考虑光扇影响的耦合波方程进行了修正,其数值计算与实验结果基本符合。  相似文献   

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通过吸收光谱的研究,确诊γ射线辐照引起民的LiNbO3晶体内出现Vo等缺陷。经过γ射线辐照处理后的Ce:LiNbO3晶体型人二波耦合指数增益系数比处理前有所提高,我们认为这各光折变增强的原因是晶体现内缺陷浓度增大,使载流子的电离和迁移运动更为有利。  相似文献   

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