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共有20条相似文献,以下是第1-20项 搜索用时 203 毫秒

1.  晶体相场法模拟纳米晶材料反霍尔-佩奇效应的微观变形机理  
   赵宇龙  陈铮  龙建  杨涛《物理学报》,2013年第62卷第11期
   采用晶体相场模型模拟获得了平均晶粒尺寸从11.61–31.32 nm的纳米晶组织, 研究了单向拉伸过程纳米晶组织的强化规律的微观变形机理. 模拟结果表明: 晶粒转动、晶界迁移等晶间变形行为是纳米晶材料的主要微观变形方式, 纳米晶尺寸减小, 有利于晶粒转动, 使屈服强度降低, 显示出反霍尔-佩奇效应.当纳米晶较小时, 变形量超过屈服点达到4%, 位错运动开启, 其对变形的直接贡献有限, 主要通过改变晶界结构而影响变形行为, 位错运动破坏三叉晶界, 引发晶界弯曲, 促进晶界迁移. 随纳米晶增大, 晶粒转动困难, 出现晶界锯齿化并发射位错的现象. 关键词: 晶体相场 纳米晶 反霍尔-佩奇效应 微观变形    

2.  体心立方多晶膜中应变能密度的各向异性分析  
   张建民  徐可为《物理学报》,2004年第53卷第1期
   根据弹性理论和多晶膜的屈服强度公式,计算了附着在基体上体心立方多晶薄膜中不同取向晶粒中的应变能密度.结果表明:1)在屈服之前,对Fe和Ta两种薄膜,4个最小的应变能密度对应的晶粒取向依次为(100),(510),(410)和(511);对Cr,Mo,Nb和V四种薄膜,4个最小的应变能密度对应的晶粒取向依次为(111),(332),(322)和(221);对W膜,应变能密度与晶粒取向无关.2)在屈服的体心立方多晶膜中,4个最小的应变能密度对应的晶粒取向依次为(100),(111),(110)和(411).从    

3.  不同孪晶界密度银纳米线拉伸形变行为的分子动力学模拟  
   孙倩  杨熊博  高亚军  赵健伟《物理化学学报》,2015年第30卷第11期
   采用分子动力学方法模拟了不同孪晶界密度银纳米线的拉伸形变行为, 分析了孪晶界密度对多晶银纳米线屈服强度、弹性模量和塑性变形机理的影响. 在弹性形变区域, 孪晶界的存在对杨氏模量变化的作用不明显. 在塑性形变阶段, 首先从表面边缘开始产生位错成核, 然后延伸并受阻于孪晶界. 在进一步拉伸载荷作用下, 孪晶界将作为位错源产生新的位错. 模拟结果表明, 银纳米线的强度与孪晶界和晶粒的尺寸有关. 孪晶界密度较小(即晶粒的长径比大于1)时, 此纳米线的屈服应力比单晶纳米线还要小, 只有当孪晶界密度较大时(即晶粒的长径比小于1), 孪晶界使得纳米线得到强化. 综合分析了孪晶界和晶粒尺寸对银纳米线的影响, 为构建高强度金属纳米线打下基础. 最后讨论了温度和拉伸速度对孪晶纳米线屈服应力所产生的影响, 随着温度的升高, 孪晶纳米线与单晶纳米线的屈服应力差先升高后趋于稳定; 当拉伸速度逐渐增大, 孪晶纳米线与单晶纳米线的屈服应力差先稳定后增大.    

4.  不同孪晶界密度银纳米线拉伸形变行为的分子动力学模拟  
   孙倩  杨熊博  高亚军  赵健伟《物理化学学报》,2014年第11期
   采用分子动力学方法模拟了不同孪晶界密度银纳米线的拉伸形变行为,分析了孪晶界密度对多晶银纳米线屈服强度、弹性模量和塑性变形机理的影响.在弹性形变区域,孪晶界的存在对杨氏模量变化的作用不明显.在塑性形变阶段,首先从表面边缘开始产生位错成核,然后延伸并受阻于孪晶界.在进一步拉伸载荷作用下,孪晶界将作为位错源产生新的位错.模拟结果表明,银纳米线的强度与孪晶界和晶粒的尺寸有关.孪晶界密度较小(即晶粒的长径比大于1)时,此纳米线的屈服应力比单晶纳米线还要小,只有当孪晶界密度较大时(即晶粒的长径比小于1),孪晶界使得纳米线得到强化.综合分析了孪晶界和晶粒尺寸对银纳米线的影响,为构建高强度金属纳米线打下基础.最后讨论了温度和拉伸速度对孪晶纳米线屈服应力所产生的影响,随着温度的升高,孪晶纳米线与单晶纳米线的屈服应力差先升高后趋于稳定;当拉伸速度逐渐增大,孪晶纳米线与单晶纳米线的屈服应力差先稳定后增大.    

5.  面心立方多晶薄膜中应变能密度对晶粒取向的依赖  被引次数:6
   张建民  徐可为《物理学报》,2002年第51卷第11期
   对附着在基体上面心立方多晶薄膜中不同取向晶粒的应变能密度进行了计算.结果表明:在屈服之前,5个最小的应变能密度对应的晶粒取向依次为(100),(510),(410),(511)和(310);在屈服膜中,5个最小的应变能密度对应的晶粒取向依次为(110),(100),(511),(411)和(211).仅考虑应变能,这些取向的晶粒将依次优先生长    

6.  增强相/夹杂内螺位错偶极子与含共焦钝裂纹椭圆夹杂的干涉效应  
   余敏  刘又文《固体力学学报》,2012年第33卷第3期
   运用弹性力学的复势方法,研究了纵向剪切下增强相/夹杂内螺型位错偶极子与含共焦钝裂纹椭圆夹杂的干涉效应,得到了该问题复势函数的封闭形式解答,由此推导出了夹杂区域的应力场、作用在螺型位错偶极子中心的像力和像力偶矩以及裂纹尖端应力强度因子的级数形式解.并分析了位错偶极子倾角φ、钝裂纹尺寸和材料常数对位错像力、像力偶矩以及应力强度因子的影响.数值计算结果表明:位错像力、像力偶矩以及应力强度因子均随位错偶极子倾角做周期变化;夹杂内部的椭圆钝裂纹明显增强了硬基体对位错的排斥,减弱了软基体对位错的吸引,且对于硬夹杂,位错出现了一个不稳定平衡位置,该平衡位置随钝裂纹曲率的增大不断向界面靠近;变化φ值将出现改变位错偶极子对应力强度因子作用方向的临界值.    

7.  晶体相场法研究晶粒缩小过程中的位错湮灭与晶界迁移  
   李尚洁  陈铮  员江娟  张静《物理学报》,2014年第12期
   通过晶体相场法模拟了与基体三种不同取向圆形晶粒在缩小过程中晶界上的位错湮灭机制与晶界迁移机制.研究结果表明:当圆形晶粒和基体的取向差17°时,圆形晶粒和基体形成位错核心重叠的大角晶界,用位错模型难以解释该演化过程,但结果表明圆形晶粒半径的平方与演化时间成线性关系,该关系与弯曲晶界迁移理论相互印证;当取向差为4°时,圆形晶粒和基体形成由分离位错构成的小角晶界,在该晶粒缩小的过程中,位错以径向攀移为主且会发生晶粒转动以调整位错间距,随着位错间距的减小相互靠近的位错发生反应;当取向差为10°时,晶界既有位错核心重叠较小的部分也有由分离位错构成的部分,在晶粒缩小时晶界演化表现为位错径向攀移和切向运动,两种运动的耦合运动使得能相互反应的位错相互靠近并发生反应.    

8.  2014全国大学生数学建模竞赛“高教社杯”获奖感言  
   程双泽《数学建模及其应用》,2014年第3卷第4期
   通过对不同温度下单晶薄膜的拉伸性能的分子动力学模拟,从微观角度揭示了温度效应对材料性能的影响. 结果表明温度效应对材料的变形机理影响很大.0K温度下由于缺乏热激活软化的影响, 粒子运动所受到的阻碍较大, 薄膜的强度较高, 塑性变形主要来自于粒子的短程滑移.温度升高,粒子的热运动加剧,屈服强度降低, 塑性变形将主要来自于大范围的位错长程扩展.多晶薄膜的模拟结果表明, 虽然其晶粒形状较为特殊, 但是它仍然遵循反Hall-Petch关系.在模拟过程中,侧向应力最大值比拉伸方向应力的最大值滞后出现.位错只会从晶界产生并向晶粒内部传播,晶粒间界滑移是多晶薄膜塑性变形的主要来源.    

9.  纳米单晶与多晶铜薄膜力学行为的数值模拟研究  
   徐洲  王秀喜  梁海弋  吴恒安《物理学报》,2004年第53卷第11期
   通过对不同温度下单晶薄膜的拉伸性能的分子动力学模拟,从微观角度揭示了温度效应对材料性能的影响. 结果表明温度效应对材料的变形机理影响很大.0K温度下由于缺乏热激活软化的影响, 粒子运动所受到的阻碍较大, 薄膜的强度较高, 塑性变形主要来自于粒子的短程滑移.温度升高,粒子的热运动加剧,屈服强度降低, 塑性变形将主要来自于大范围的位错长程扩展.多晶薄膜的模拟结果表明, 虽然其晶粒形状较为特殊, 但是它仍然遵循反Hall-Petch关系.在模拟过程中,侧向应力最大值比拉伸方向应力的最大值滞后出现.位错只会从晶界产生并向晶粒内部传播,晶粒间界滑移是多晶薄膜塑性变形的主要来源.    

10.  纳米单晶与多晶铜薄膜力学行为的数值模拟研究  
       王秀喜  梁海弋  吴恒安《数学建模及其应用》,2005年第2期
   通过对不同温度下单晶薄膜的拉伸性能的分子动力学模拟,从微观角度揭示了温度效应对材料性能的影响. 结果表明温度效应对材料的变形机理影响很大.0K温度下由于缺乏热激活软化的影响, 粒子运动所受到的阻碍较大, 薄膜的强度较高, 塑性变形主要来自于粒子的短程滑移.温度升高,粒子的热运动加剧,屈服强度降低, 塑性变形将主要来自于大范围的位错长程扩展.多晶薄膜的模拟结果表明, 虽然其晶粒形状较为特殊, 但是它仍然遵循反Hall-Petch关系.在模拟过程中,侧向应力最大值比拉伸方向应力的最大值滞后出现.位错只会从晶界产生并向晶粒内部传播,晶粒间界滑移是多晶薄膜塑性变形的主要来源.    

11.  2014“高教社杯”全国大学生数学建模竞赛颁奖仪式在海军航空工程学院青岛校区举行  
   生汉芳《数学建模及其应用》,2014年第3卷第4期
   通过对不同温度下单晶薄膜的拉伸性能的分子动力学模拟,从微观角度揭示了温度效应对材料性能的影响. 结果表明温度效应对材料的变形机理影响很大.0K温度下由于缺乏热激活软化的影响, 粒子运动所受到的阻碍较大, 薄膜的强度较高, 塑性变形主要来自于粒子的短程滑移.温度升高,粒子的热运动加剧,屈服强度降低, 塑性变形将主要来自于大范围的位错长程扩展.多晶薄膜的模拟结果表明, 虽然其晶粒形状较为特殊, 但是它仍然遵循反Hall-Petch关系.在模拟过程中,侧向应力最大值比拉伸方向应力的最大值滞后出现.位错只会从晶界产生并向晶粒内部传播,晶粒间界滑移是多晶薄膜塑性变形的主要来源.    

12.  层厚度和应变率对铜-金复合纳米线力学性能影响的模拟研究  
   樊倩  徐建刚  宋海洋  张云光《物理学报》,2015年第64卷第1期
   采用分子动力学模拟方法, 研究了层厚度和应变率对铜-金多层复合纳米线在均匀拉伸载荷下力学性能的影响, 并分析了铜-金位错成核机理. 研究结果表明, 随着铜-金层厚度的增加, 复合材料的屈服强度也随之增大; 高应变率时复合材料的力学性能比低应变率时要强, 低应变率的塑性形变主要是位错运动和孪晶形变, 而高应变率主要以单原子运动为主, 表现出了非晶化. 该研究对制备高性能的多层复合材料提供了一定的理论依据.    

13.  单向拉伸作用下Cu(100)扭转晶界塑性行为研究  被引次数:1
   刘小明  由小川  柳占立  聂君峰  庄茁《物理学报》,2009年第58卷第3期
   应用分子动力学方法研究了在不同扭转角度下的Cu(100)失配晶界位错结构,以及不同位错结构对晶界强度的影响.模拟结果表明:小角度扭转晶界上将形成失配位错网,失配位错密度随着晶粒之间的失配扭转角度的增加而增加.变形过程中,位错网每个单元中均产生位错形核扩展.位错之间的塞积作用影响晶界的屈服强度:随着位错网格密度的增加,位错之间的塞积作用增强,界面的屈服强度得到提高.大角度扭转晶界将形成面缺陷,在变形中位错由晶界角点处形核扩展,此时由于面缺陷位错开动应力趋于一致,因此晶界的临界屈服强度趋于定值.    

14.  面心立方晶体外延膜沉积生长中失配位错的结构与形成过程  被引次数:7
   周耐根  周浪  杜丹旭《物理学报》,2006年第55卷第1期
   用分子动力学方法对5%负失配条件下面心立方晶体铝薄膜的原子沉积外延生长进行了三维模拟.铝原子间的相互作用采用嵌入原子法(EAM)多体势计算.模拟结果再现了失配位错的形成现象.分析表明,失配位错在形成之初即呈现为Shockley扩展位错,即由两个伯格斯矢量为〈211〉/6的部分位错和其间的堆垛层错组成,两个部分位错的间距、即层错宽度为1.8 nm,与理论计算结果一致;外延晶体薄膜沉积生长中,位错对会发生滑移,但其间距保持稳定.进一步观察发现,该扩展位错产生于一种类似于“局部熔融-重结晶”的表层局部无序紊乱-    

15.  高应变率下TiC_P/Ti复合材料的动态拉伸性能  
   姜芳  李艳洁  宁建国《固体力学学报》,2011年第Z1期
   采用旋转盘式杆-杆型动态拉伸试验机对TiCP颗粒增强钛基复合材料及其基体钛合金的动态拉伸性能进行了研究.同时为了比较,在MTS810试验机上做了两种材料的准静态试验.试验结果表明,复合材料及基体材料屈服后至材料的迅速失效,几乎没有应变硬化效应;复合材料的抗拉强度和屈服强度较基体明显提高,但延性明显下降;钛合金基体和复合材料均有明显的应变率强化效应,但复合材料的应变率强化效应明显高于基体;建立了复合材料率相关的本构关系.最后从位错等微观角度分析了复合材料的强化机理、复合材料的应变率敏感性以及复合材料应变率敏感性高于基体的原因.    

16.  生长温度和表面增原子对外延薄膜中失配位错形成的影响  
   潘华清  周耐根  周浪《南昌大学学报(理科版)》,2007年第31卷第5期
   用分子动力学方法模拟了三维外延铝薄膜晶体中温度和表面增原子对失配位错形成的影响,采用的原子间相互作用势是嵌入原子法(EAM)多体势.模拟再现了薄膜中位错形成过程,结果分析表明:较高的温度和表面增原子团存在对薄膜中失配位错形成都有促进或诱发作用;模拟中观察到两种不同的位错形核过程:一种是经历多余半原子面挤出过程而直接得到一个全位错,另一种是先形成由两个部分位错夹着一片层错的扩展位错,之后才得到全位错,这两个位错的伯格斯矢量都是与失配方向平行的刃型位错.    

17.  铈对铝锂合金板材屈服强度各向异性的作用及其理论预测  
   赵志龙  刘林  陈铮《中国稀土学报》,2004年第22卷第1期
   对比研究2090和2090 Ce铝锂合金板材沿轧向、横向和45°方向屈服强度的变化, 采用ODF测试分析了两合金板材形变织构的差异. 结果表明, 稀土Ce有增强Brass和S轧制织构分量, 降低Cube和Goss再结晶分量的作用, 使得含Ce板材屈服强度的各向异性程度高于2090合金板材; 本工作在采用Taylor/Bishop-Hill模型对两合金板材不同取向屈服强度预测的基础上, 利用Hall-Petch关系式对晶界的强化作用进行了估算, 通过与拉伸实验结果的拟合引入晶粒取向因子和T1相取向因子的概念, 提出了一个修订的"塑性内含物模型(PIM)".    

18.  剪切作用下Cu(100)扭转晶界塑性行为研究  
   赵雪川  刘小明  高原  庄茁《物理学报》,2010年第59卷第9期
   本文采用分子动力学方法研究了在剪切载荷作用下,Cu(100)扭转晶界对Cu柱屈服强度的影响.模拟结果发现,在加载过程中,低角度扭转晶界形成的位错网发生位错形核与扩展,位错之间的塞积作用提高了Cu柱的屈服强度;对于高角度扭转晶界,晶界发生滑动降低了Cu柱的屈服强度.同时发现,随着扭转角度的增加,Cu柱的屈服强度先增大,当扭转角度大于临界角度时,Cu柱的屈服应力逐渐减小.这表明剪切载荷作用下,两种不同的机理主导Cu柱的屈服,对于小于临界角度的扭转晶界,Cu柱的屈服由晶界位错形核和扩展机理主导,对于大于临界角度    

19.  螺型位错偶极子与界面钝裂纹的干涉效应  
   徐政坤  宋豪鹏《应用力学学报》,2011年第28卷第1期
   研究了螺型位错偶极子与界面钝裂纹的干涉效应.应用保角变换技术,得到了复势函数与应力场的封闭解析解,讨论了位错偶极子方位、臂长及裂纹钝化程度对位错偶板子屏蔽效应和发射条件的影响.结果表明,与单个螺型位错不同,螺型位错偶极子与x轴夹角在一定范围内时才可以降低界面钝裂纹尖端的应力强度因子(屏蔽效应),屏蔽效应随偶板子臂长的增大而增强,随裂纹钝化程度的增大而增强,屏蔽区域也随裂纹钝化程度的增大而增大;位错偶极子发射所需的临界无穷远加载随偶极子臂长的增加而减小,随位错方位角及裂纹钝化程度的增加而增大;最可能的位错偶极子发射角度为0.螺型位错偶极子的发射比单个螺型位错的发射要困难.本文解答的特殊情况与相关文献给出的解答一致.    

20.  堆垛层错和温度对纳米多晶镁变形机理的影响  被引次数:1
   宋海洋  李玉龙《物理学报》,2012年第61卷第22期
   本文采用分子动力学模拟方法研究了在拉伸载荷下,堆垛层错和温度对纳米多晶镁力学性能的影响,在模拟中,采用嵌入原子势描述镁原子之间的相互作用.计算结果表明:在纳米晶粒中引入堆垛层错能明显增强纳米多晶镁的屈服应力,但堆垛层错对纳米多晶镁杨氏模量的影响很小;温度为300.0K时,孪晶在晶粒交界附近形成,孪晶随着拉伸应变的增加而逐渐生长.当拉伸应变达到0.087时,一种基面与X—Y面成大约35°角且内部包含堆垛层错的新晶粒成核并快速增长.也就是说,孪晶和新晶粒的形成和繁殖是含堆垛层错的纳米多晶镁在300.0K温度下的主要变形机理.模拟结果也显示,当温度为10.0K时,位错的成核和滑移是含堆垛层错的纳米多晶镁拉伸变形的主要形式.    

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