磁光材料磁圆二向色性的测量

采用磁光旋转测量装置与1/4波片组合而成的实验装置测量了(BiTm)_3(FeGa)_5O_(12)单晶薄膜样品的磁圆二向色性(椭圆率tanhθ″),以及θ″与磁场强度H、样品厚度2h的关系。测量密度达0.01°。实验证明了磁光旋转的虚部θ″与实部θ′一样,是与磁化强度M相联系的,且随样品厚度线性增加。     

交变磁场下法拉第效应研究

介绍了交变法拉第效应的磁光调制测量原理和方法，分析了亚铁磁材料法拉第Ｆｒａｄａｙ效应和磁光调制深度与交变磁场频率间的关系，证明了交变法拉第旋转幅值θ０的实部θ０小于静磁场下的θ＇ｓ，而虚部θ＇＇０大于θ＇＇ｓ，理论和实验结果相吻合，由此得出结论，采用具有磁圆二向色性的磁光材料做成的调制器不可能达到彻底的开关状态。     

双层膜极向Kerr效应的增强与其本征值之间的关系

应用相干光迭加的普遍原理，从理论上导出了双层膜情况下，介质增强后的极向Ｋｅｒｒ角（θ_k）与磁光介质本征的极向Ｋｅｒｒ角（θ⁰_k）之间关系的解析表达式，指出了光经玻璃衬底面入射到磁光介质时测量的Ｋｅｒｒ角θ_k与磁光介质本征Ｋｅｒｒ角θ⁰_k的不同，提出了一种简便的测量θ⁰_k的方法，并讨论了Ｋｅｒｒ角θ_k介质增强的物理原因，从理论上导出了等离子体吸收边情况下，双层膜的Ｋｅｒｒ角θ_k增强的关系式。 关键词：     

新型磁光调制器

介绍一种新型结构的磁光调制器。这种磁光调制器的显著优点是减小了磁光材料的温升, 从而减小了因温度效应引起的测量偏移。偏振角测量的实验表明, 其分辨力可达3.3×10- 7rad, 长期稳定性偏差为1.7×10- 6 rad     

电子自旋交换作用对极向磁光Kerr效应的影响——能带跃迁模型

用微观量子理论和能带跃迁模型,研究了极向磁光Kerr效应对电子自旋交换劈裂能依赖性.结果表明,磁光Kerr转角θ_K与自旋劈裂能Δ之间仅当Δ很小时才有线性关系;θK的展开式中只出现Δ奇次项而不出现偶次项.     

关于磁光调制倍频法的讨论和改进

从理论上证明了磁光调制倍频的原理,着重论述了调制幅度对实验波形的影响,证明了为得到理想的结果,应将调制幅度0θ控制在π/4处.根据磁光调制倍频法的工作原理,分别给出了磁光调制器和测量光路的一种变形,通过改进,利用法拉第效应的非互易性,旋转角变为了原来的2倍.     

克尔磁光效应的经典理论分析

本文引入与自旋-轨道相互作用等有关的有效场概念,运用经典电磁场理论,推导了磁光克尔旋转的明确表达式.证明了各种磁光介质的极向克尔旋转θ_k的实部θ′_k和虚部θ″_k均与有效场H_i成正比,在铁磁性介质中近似与vM成正比,M为磁化强度,在亚铁磁性等介质中近似与(?)v_iM_i成正比,M_i为i次点阵的磁化强度.同时还证明了近似的横向克尔旋转θ_k~t与H_i~2正比;θ_k和θ_k~t的温度特性取决于H_i的温度特性.     

固体材料的磁光效应及其应力、温度和色散特性

本文应用经典电磁场理论推导了磁光效应的基本关系式,运用有效场概念得到了适用于各种磁光介质情形的法拉第旋转θ的明确表达式.证明了θ与有效场H_(?)成正比关系并具有强的色散特性;在弱磁介质中外应力对θ具有明显的影响;逆磁性介质的费尔德常数V与温度T无关,有些顺磁性介质的费尔德常数V_p与磁化率x的比值V_p/X=G(1+RT);在反铁磁性和亚铁磁性介质中,θ与各次点阵磁化强度M_(?)有关,其温度特性不仅取决于次点阵磁化强度,而且取决于磁光系数与温度的依赖关系.计算结果与实验符合得很好.计算还表明,当光的传播方向与H_(?)方向垂直时,入射到磁光介质中的线偏振光会分解成一个椭圆偏振光和一个线偏振光,这种磁双折射的相位延迟率的实部和虚部均与H_(?)~2成正比.     

磁光Kerr效应的温度特性研究

从磁光Kerr效应的微观量子表述出发，分别研究了铁磁材料和亚铁磁材料的磁光Kerr效应的温度特性。结果表明，磁光Kerr转角θK与材料磁化强度随温度变化关系不同。铁磁材料θK对磁化强度M的级数展开式中仅含M奇次项。亚铁磁材料可以出现磁化强度M≠0而磁光Kerr转角θK=0情况。     

动态法拉第效应及其损耗机制

在磁光介质中，法拉第磁光效应的动态特性与静态特性具有明显的差别．交变法拉第旋转θ_t的实部θ′_t恒小于静态法拉第旋转θ_ｓ的实部θ′_ｓ，θ′_t＜θ′_ｓ，而虚部θ″_t＞θ″_ｓ．分析(BiTm)₃(FeGa)₅O₁₂磁光单晶薄膜法拉第效应的测量结果表明，在交流磁场频率ω＞10 关键词：