小颗粒Si的振动特性及熔化温度

用Stillinger-Weber势计算了Si_n(N=2—7)小颗粒的基态几何结构及基态能量。由Keating模型描述原子间的弹性能,计算了这些结构的振动谱。并从物态方程出发,估计了小颗粒Si的熔化温度,发现Si₄和Si₆的熔化温度相对较高。关键词：     

多孔硅尺寸的理论研究

研究了球形纳米硅的振动特性及Raman谱,建立了Raman移动与尺寸的对应关系．用球形纳米硅来模拟多孔硅,发现多孔硅的尺寸比通常认为的尺度要小得多关键词：     

晶格振动对Ti-Al系统相稳定的影响

在电子结构计算的基础上,利用集团变分方法（ＣＶＭ）研究了Ｔｉ－Ａｌ系统的高温相稳定,并且动用两种方法考虑晶格振动对相稳定的影响。结果发现,利用连续介质模型考虑的晶格振动对系统相稳定几乎无影响,而利用Ｍｏｂｉｕｓ反演对势并计算晶格振动谱的方法考虑的晶格振动对系统相稳定有明显的影响,说明在讨论晶格振动对合金相稳定的影响时,晶格振动的光学模是很重要的。     

KTP单晶的晶格振动特点

测量了性能优良的非线性光学材料KTP单晶的Raman谱,并从群论、晶格动力学理论和配位场理论对其特点进行了详细的讨论。     

纳米晶体线的晶格动力学格林函数及晶格振动

通过求解差分方程,推导了纳米晶体线的晶格动力学格林函数,分析了其晶格振动,并推导了声子数表象中的原子位移及晶格振动哈密顿公式.研究结果表明,纳米晶体线的晶格振动能带分裂为一系列的子带,格波只能沿纳米晶体线的纵向传播,沿纳米晶体线的横截面只存在驻波.     

双能谷效应对N型掺杂Si基Ge材料载流子晶格散射的影响

性能优越的Si基高效发光材料与器件的制备一直是Si基光电集成电路中最具挑战性的课题之一.Si基Ge材料不仅与成熟的硅工艺相兼容,而且具有准直接带特性,被认为是实现Si基激光器最有希望的材料.对Si基Ge材料N型掺杂的研究有利于提示出其直接带发光增强机理.本文研究了N型掺杂Si基Ge材料导带电子的晶格散射过程.N型掺杂Si基Ge材料具有独特的双能谷(Γ能谷与L能谷)结构,它将通过以下两方面的竞争关系提高直接带导带底电子的占有率:一方面,处于Γ能谷的导带电子通过谷间光学声子的散射方式散射到L能谷;另一方面,处于L能谷的导带电子通过谷内光学声子散射以及二次谷间光学声子散射或者直接通过谷间光学声子散射的方式跃迁到Γ能谷.当掺杂浓度界于10~(17)cm~(-3)到10~(19)cm~(-3)时,适当提高N型掺杂浓度有利于提高直接带Γ能谷导带底电子占有率,进而提高Si基Ge材料直接带发光效率.     

晶格振动行波解和简正坐标

以一维单原子链为例,对晶格振动的行波解和简正坐标进行了分析和讨论,给出了一种新的格波解。     

晶格振动、载流子与高温超导电性的关系

系统地从红外光谱的结果论述了晶格振动、载流子与高温超导电性的关系。指出,在高温超导体中,载流子对晶格振动的作用不是屏蔽作用,而是两者之间的局域强耦合相互作用,这种局域的耦合不同于普通的电声子耦合。在此基础上,通过理论和实验研究,论述了局域耦合强度及其整体效应与超导电性的关系。关键词：     

基态非简并的聚合物中的晶格振动频谱

反式聚乙炔[trans-(CH)_x]和顺式聚乙炔[cis-(CH)_x]的振动谱在弱耦合情况下,光谱声子ω₀(k=0)随电子-晶格耦合系数λ的变化关系反映出完全不同的规律。这是由于在顺式聚乙炔中存在禁闭势垒的原因,使基态呈非简并态。关键词：     

金属卤化物中的晶格振动

运用紧束缚双带模型对MX化合物晶格振动的计算发现,晶格振动谱由一条声频支和三条光频支组成,进一步得到了出现元激发时,晶格振动色散关系中的分立频率和相应的定域振动模.在MX化合物红外吸收谱的计算中发现对应不同元激发红外谱具有不同的特征.关键词：电荷密度波晶格振动红外吸收