氖光电流效应中的反常信号与尾部小峰

本文采用无极射频光电流实验对目前在空阴极中所存在的一些有争议的同题进行讨论.发现在同样气压下射频光电流信号中不存在1S_2-2P_k的反常信号;尾部小峰在射频光电流信号中仍存在,证明与阴极无关.本文用双极扩散效应讨论了尾部小峰的出现规律.     

射频场控制的磁子能级中单色激光吸收抑制

理论上研究了射频场作用下多塞曼能级系统中单色激光的吸收抑制现象.一束单色线偏振或者椭圆偏振的激光作用于铷原子两能级间,线或椭圆偏振矢量方向与磁场方向垂直.在磁场中冷铷原子能级发生分裂,通过一个射频场将这些磁子能级耦合起来.当扫描射频场频率时,计算表明原子对单色光的吸收谱中出现了透射峰,类似于电磁诱导透明现象,光吸收减弱,光场透射增强.对于线性偏振或者椭圆偏振的单色光均能得到透射增强的结果 .这种现象完全不同于通常光泵磁共振实验中射频场与磁子能级谐振时光被吸收最多的现象.这种扫描射频场频率时单色光的透射增强现象来自于磁子能级间的相干效应.计算表明在扫描射频场频率时单色光吸收谱中出现的透射峰与射频场的拉比频率和椭圆偏振光的左旋和右旋圆偏振成分相关.这种射频场控制的单色光透射增强效应在磁场测量,光信息处理等领域有潜在的应用价值.     

射频场控制的磁子能级中单色激光吸收抑制

理论上研究了射频场作用下多塞曼能级系统中单色激光的吸收抑制现象.一束单色线偏振或者椭圆偏振的激光作用于铷原子两能级间,线或椭圆偏振矢量方向与磁场方向垂直.在磁场中冷铷原子能级发生分裂,通过一个射频场将这些磁子能级耦合起来.当扫描射频场频率时,计算表明原子对单色光的吸收谱中出现了透射峰,类似于电磁诱导透明现象,光吸收减弱,光场透射增强.对于线性偏振或者椭圆偏振的单色光均能得到透射增强的结果.这种现象完全不同于通常光泵磁共振实验中射频场与磁子能级谐振时光被吸收最多的现象.这种扫描射频场频率时单色光的透射增强现象来自于磁子能级间的相干效应.计算表明在扫描射频场频率时单色光吸收谱中出现的透射峰与射频场的拉比频率和椭圆偏振光的左旋和右旋圆偏振成分相关.这种射频场控制的单色光透射增强效应在磁场测量,光信息处理等领域有潜在的应用价值.     

退火温度对低温生长MgxZn1-xO薄膜光学性质的影响

用射频磁控溅射法在80℃衬底温度下制备出MgxZn1-xO(x=0.16)薄膜,用X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)和透射谱研究了退火温度对MgxZn1-xO薄膜结构和光学性质的影响.测量结果显示,MgxZn1-xO薄膜为单相六角纤锌矿结构,并且具有沿c轴的择优取向;随着退火温度的升高,(002)XRD峰强度、平均晶粒尺寸和紫外PL峰强度增大,(002)XRD峰半高宽(FWHM)减小.结果证明,用射频磁控溅射法通过适当控制退火温度可得到高质量MgxZn1-xO薄膜.     

正交检波系统的校正

现有核磁共振波谱仪器大都采用正交检波系统. 这样可以避免谱线折叠,降低对射频功率的要求,提高信噪比. 正交检波系统如果两通道的增益不完全相同或相位不是严格相差900,会导致产生镜像峰,这种情况可以用相位循环来改善. 如果增益或相位差偏离较大,则需要手工校正. 本文通过对单峰样品实验数据进行拟合的方法计算出增益和相位调节的幅度.     

氢气、氢气/硅烷等离子体时间分辨光发射谱的研究

为了加深对等离子体增强化学气相沉积的认识,采用增强型电荷耦合器件(ICCD)研究了氢气及氢气/硅烷混合气体在不同气压条件下的时间分辨光发射谱,获得了辉光放电等离子体瞬态微观动力学过程的清晰图像。纯氢气辉光条件下,在一个射频周期内,H_β时间分辨光发射谱出现了4个峰。分析表明其中两个峰是由电子冲浪效应引起,额外两个峰的出现是由瞬时阳极时刻存在额外电场所致。另外,可观察到随着气压的增大,体欧姆加热效应增强。同氢气相比,当硅烷引入后,H_β时间分辨光发射谱由原来4个明显发射峰变成了两个明显发射峰。     

退火对多晶ZnO薄膜结构与发光特性的影响

用射频反应溅射法在Si（111）衬底上制备了C轴取向的多晶ZnO薄膜，通过不同温度的退火处理，研究了退火对多晶ZnO薄膜结构和发光特性的影响.由x射线衍射得知，随退火温度的升高，晶粒逐渐变大，薄膜中压应力由大变小至出现张应力.光致发光测量发现，样品在430nm附近有一光致发光峰, 峰的强度随退火温度升高而减弱，联合样品电阻率随退火温度升高而逐渐变大的测量及能级图，推测出ZnO薄膜中的蓝光发射主要来源于锌填隙原子缺陷能级与价带顶能级间的跃迁. 关键词： ZnO薄膜 退火 光致发光 射频反应溅射     

外场作用下BaF分子发射光子累积量及等待时间分布的研究

利用产生函数方法对BaF分子在激光场与射频场作用下发射光子的累积量及等待时间分布进行了研究. 累积量κ₁ 和κ₂ 表明在固有偶极和射频场的作用下, 系统表现出外场辅助吸收的现象, 即当Δ₁=nω_rf时, 系统存在吸收峰. 二阶、三阶等待时间分布呈现出明显的振荡现象.     

射频驱动下电磁诱导透明窗口的分裂和增益的出现

在Λ型三能级系统的基础上引入两个共振射频场, 通过详细讨论系统的探测吸收特性随两个射频场Rabi频率取不同值时的变化规律, 得出电磁诱导透明(EIT)的分裂规律以及EIT上出现增益现象的产生条件.研究结果表明: 两个射频场对系统所起的控制作用不同, 控制基态精细结构能级之间跃迁的射频场对EIT的分裂起作用, 而控制激发态精细结构能级之间跃迁的射频场不会导致EIT的分裂; 而且, 只有当控制基态精细结构能级之间跃迁的射频场的Rabi频率大于控制激发态精细结构能级之间跃迁的射频场的Rabi频率时, 才能产生EIT与增益相叠加的新特性. 关键词： 射频场 电磁诱导透明 增益 精细结构能级     

磁控溅射功率对β-Ga2O3薄膜特性的影响

近年来,第三代宽禁带半导体材料β-Ga₂O₃受到越来越多的关注,在材料制备、掺杂、刻蚀等方面都有广泛研究.射频磁控溅射是常用的β-Ga₂O₃薄膜制备方法之一,而磁控溅射法制膜往往需要进行退火处理以提高薄膜质量.本文研究溅射功率对射频磁控溅射在C面蓝宝石基底上制备得到的β-Ga₂O₃薄膜特性的影响. X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)表征结果表明,随着溅射功率的增大,半峰宽呈现先增大后减小再增大的趋势,晶粒尺寸变化与之相反.此外,通过积分球式分光光度计,研究了溅射功率对β-Ga₂O₃薄膜光学特性的影响.光学特性方面,薄膜吸光度随着波长的增加,先升高后下降、再升高再下降,最后吸收边在700 nm附近截止,不同溅射功率制备的薄膜吸收光谱都存在两个吸收峰.     

核磁共振碳谱研究:烷烃化学位移和(CSS)与分子路径指数矢量(VPM)

系统研究了核磁共振碳谱和化学位移规律及其定量构谱关系(QSSR).本文研究了一组十元素分子路径指数矢量VPM,并发现它与烷烃化学位移和CCS有良好线性相关性.采用多元线性回归进行准确估计与预测,结果优良.     

Reduced s-d model with antiferromagnetically coupled impurity spins

An antiferromagnetic equivalent-neighbour Heisenberg interaction H_i between impurity spins is added to the reduced s-d Hamiltonian H_r previously introduced by simplifying the Kondo s-d exchange Hamiltonian H_K. Asymptotic mean-field theory is developed for H_r + H_i, in the presence and absence of external magnetic field, and applied to (La_1−xCe_x)Al₂ alloys. Specific heat c_i(T) and zero-field susceptibility χ_i(0,T) curves for (La_1−xCe_x)Al₂ are depicted. The coupling constants of H_r + H_i and conduction bandwidth are adjusted so that T_c temperatures for x = 0.2, 0.1 are equal to the experimental values. c_i(T) exhibits a jump at T_c and is decreasing for T < T_c. χ_i(0,T) has a first order pole at T_c which corresponds to the maximum of experimental susceptibility and χ_i(0,0) > 0. These results improve those obtained earlier on the grounds of H_r theory.     

Interrelations of discrete Painlevé equations through limiting procedures

We study the discrete Painlevé equations associated to the affine Weyl group which can be obtained by the implementation of a special limits of -associated equations. This study is motivated by the existence of two -associated discrete both having a double ternary dependence in their coefficients and which have not been related before. We show here that two equations correspond to two different limits of a -associated discrete Painlevé equation. Applying the same limiting procedures to other -associated equations we obtained several -related equations most of which have not been previously derived.     

稠苯芳杂环及其烷基质子化学位移的计算

本文提出了予测稠苯芳杂环及其烷基链上质子化学位移的计算方法。 将稠苯芳杂环化合物用凯库勒式表示,计算式为为需考虑的苯环内的乙烯基效应。σ_mi,ci为各苯环的环流效应。σ_1,Hc为各芳杂环的屏蔽效应,对杂环上质子它就是该单独芳杂环上相应质子的δ值,对苯环上质子要将它分解为各结构因素的效应,即:σ_1,He=(1/2)^d-1δ_x=y(或σ_z)+σ_c-c·σ_m,H. σ_x-y与σ_z为杂原子或其基团的屏蔽效应,σ_c=c为存在于芳杂环中的乙烯基的效应,σ_m,Hc为芳杂环的环流效应,d为对不同质子所考虑的键数。有取代基时需考虑取代基的效应。计算环上烷基质子的公式为:δ=σ_p,CH3+ασ_c,CH3+βσ_t,CH3+σ_l,G σ_l,G为稠苯芳杂环基的某级效应。     

Structural phase transitions at clean and metal-covered Si(111) surfaces investigated by RHEED spot analysis

Structural phase transitions between various kinds of superlattice structures formed on a Si(111) surface have been investigated by spot analysis of reflection high-energy electron diffraction (RHEED). Reversible transitions induced by temperature changes and irreversible ones induced by metal depositions were observed. Detailed discussions on the dynamics of the phase transitions are made by quantitative analyses of integrated spot intensity and profile. For a phase transition of 7′7  1′1 structures on a clean Si(111) surface, a hysteresis with temperature difference of 5°C. between in heating and cooling processes was found in the spot intensity change, indicating a first-order transition. Hysteresis was hardly recognized, on the other hand, for transitions of Au-induced superstructures (5×2-Au or ×-Au)  1×1-Au. The spot profiles were found to be broadened during the transition of Si(111)-×-Au  1×1-Au, which was a signature of a continuous transition, while the profiles remained unchanged during the transitions of the 7×7  1×1 and 5×2-Au  1×1-Au phases. Structural conversions induced by In adsorption on the Si(111) surface kept at constant temperatures were also analyzed. The conversions at room temperature were totally dependent on the initial substrate surface structures; the 7×7 surface did not show any structural conversion with In adsorption, while the ×-In surface successively converted to a 2×2 and a × phase with coverage increase. The structural transitions at elevated temperatures were sensitively dependent on the temperatures. Sequences of transitions among the 7×7, 4×1, ×, 1×, and ×4 were quantitatively revealed as changes in RHEED spot intensity.     

ErP5O14非晶玻璃的红外量子剪裁

研究了Er_1.0P₅O₁₄铒非晶玻璃的红外量子剪裁现象. 从吸收谱和激发光谱的计算比较中肯定了Er_1.0P₅O₁₄非晶 玻璃的1537.0 nm红外荧光为多光子量子剪裁荧光. 从Er_1.0P₅O₁₄非晶玻璃的可见和红外荧光发射光谱中发现激发²H_11/2, ⁴G_11/2和⁴G_9/2能级所导致的⁴I_13/2→⁴I_15/2量子剪裁红外荧光很强;基于自发辐射速率、无辐射弛豫速率和能量传递速率等参数的计算,对其量子剪裁机理进行了分析.发现起源于基态的强下转换能量传递{²H_11/2→⁴I_9/2,⁴I_15/2→⁴I_13/2},{⁴G_11/2→⁴I_13/2, ⁴I_15/2→²H_11/2},{⁴G_9/2→⁴F_7/2,⁴I_15/2→⁴I_13/2}和{⁴G_9/2→⁴I_13/2, ⁴I_15/2→²H_11/2}是导致Er_1.0P₅O₁₄非晶玻璃具有强的三光子和四光子量子剪裁红外荧光的原因.研究结果对改善太阳能电池效率有一定意义.