Fermi—Dirac关联与Q－v)Kv(Q)分布

根据非微扰理论提出一种源分布─—Q^－v)K_v(Q)分布.由此计算两质子的Fermi-Dirac关联.拟合的曲线与实验数据吻合得较好,这是Q^－v)K_v(Q)分布比Gauss源分布优越之处.由全同质子的F—D关联计算出发射源半径及Fermi场的反常量纲.     

400GeV/c pp碰撞两粒子关联的角度依赖性

利用400GeV/c pp碰撞多重产生的实验数据计算了粒子-粒子关联(PPC)及其不对称性(PPCA)的角度依赖性.结果与L3的e⁺e^－数据有明显的差别,但与NA22强子碰撞的实验数据符合得很好;领头粒子对强子碰撞的PPCA分布有很大影响.通过计算两粒子方位角差的分布观察到了方位角关联.     

Fermi—Dirac关联与Q~（－v）K_v（Q）分布

根据非微扰理论提出一种源分布─—Ｑ－ｖＫｖ（Ｑ）分布．由此计算两质子的Ｆｅｒｍｉ－Ｄｉｒａｃ关联．拟合的曲线与实验数据吻合得较好，这是Ｑ－ｖＫｖ（Ｑ）分布比Ｇａｕｓｓ源分布优越之处．由全同质子的Ｆ—Ｄ关联计算出发射源半径及Ｆｅｒｍｉ场的反常量纲．     

e+e－湮灭成两喷注中的末态强子快度分布和BB关联

本文在文献[1]给出的模型中,进一步赋给夸克简单的四动量分布,通过Monte-Carlo计算,不但得到了与实验符合得很好的轻夸克喷注事例末态强子快度分布等,还给出了与实验基本一致的末态重子之间的快度和角度关联.     

~(39)K_2分子C~1Ⅱ_u-X~1∑_9~+(J′=105)Q支激光诱导荧光光谱及电偶极跃迁矩变化率研究

用4415.6(?)CW激光线获得了~(39)K_2分子C~1II_u(v′=0,J′=105)-X~1∑_g~+(v″=1～10,J″=105)Q支激光诱导荧光(LIF)光谱.用最小二乘法拟合出了~(39)K_2分子X~1∑_g~+态振动常数和C~1II_u态电子谱项值T_e.光谱分析表明C~1II_u态T_e=22968cm~(-1)是合适的.用~(39)K_2分子Morse势计算了(V′=0,J′=105)-(v″=1～10,J″=105)跃迁的Franck-Condon因子和跃迁强度,强度计算值和激光诱导荧光光谱测量值之间有令人满意的符合,进一步的r重心近似分析给出了~(39)K_2分子C~1II_u→X~1∑_g~+电偶极跃迁矩R_(?)随核间距r的归一化变化率为-0.157～-0.168 debye/(?)(4.22(?)相似文献   

光引发F_2/H_2链反应激光的时间分辨光谱研究

首次定量地研究了氧对F_2/H_2链反应化学激光谱线输出数目、单谱线出现时间和谱线强度的影响。各振动能级的单谱线出现次序均呈现正J移规律。v=1至v=6的转动能级都存在非平衡分布。实验测定到P_6(4)→P_1(9)和P_6(6)→P_1(11)激光的级联跃迁。模型计算结果与实验结果相当符合。     

相对论重离子碰撞中π源密度分布和小相对动量区域2π干涉学分析

用2π关联函数在小相对动量区域的幂级数展开,得到了不同π源密度分布下源的空间参数、平均半径和均方根半径间关系,与相对论重离子中心碰撞1.8A GeV Ar+Pb的实验结果一致. 给出了上述反应中π源的平均半径和均方根半径.对不同的源密度分布,计算了K_t的值.     

B.C.S.超导基态渐近正确性的证明

许多工作讨论了B.C.S.超导基态的渐近准确性。在文献[1]中指出,B.C.S.哈密顿经uv变换后,剩余相互作用的贡献每一项都有限,而且反比于体积Q的n次方(n≥0),但是此工作没有证明这些渐近小项之和收敛。文献[2]利用微扰方法证明了剩余相互作用的主要贡献(与Q~0成正比的梯形图)是收敛的,但未能对非梯形图(反比于Q~n,n>0)求和。文献[3]利用格林函数证明了三体和四体关联正比于Q~0,然而没有证明任意体关联都正比于Q~0。所以迄今还未能严格地证明B.C.S.基态是渐近正确的。本文利用文     

30MeV/u 40Ar+natAg反应中中等质量碎片的发射源

在6°─110°范围内测量了30MeV/u的⁴⁰Ar轰击^natAg靶产生的中等质量碎片(3≤Z≤16)能谱,利用运动源模型拟合能谱,并详细讨论了类弹、类靶和中速这三种源的特性及其随角度和中等质量碎片电荷的变化规律.从前角区中等质量碎片的符合测量中得到关联测得的两个中等质量碎片分别来自于两个发射源,即一个来自于类弹源,另一个来自于中速源的几率占绝大多数.     

Al Ⅱ~1P_1~0序列能级结构的多通道量子亏损理论分析

本文利用多通道量子亏损理论(MQDT),分析了Al II受干扰序列~1P_1~0的能级结构。分析表明,主序列3snp~1P_1~0受到了来自双激发态3p4s~1P_1~0的强烈干扰。这种相互作用使3p4s~1P_1~0分布到整个3snp~1P_1~0之中,而不再对应于一条单独的谱线。利用拟合能级实验数据所得的MQDT参数,计算了序列3snp~1P_λ~θ中n≤50的能级。对于已测得的能级,计算结果与实验值符合得很好。     

核磁共振碳谱研究:烷烃化学位移和(CSS)与分子路径指数矢量(VPM)

系统研究了核磁共振碳谱和化学位移规律及其定量构谱关系(QSSR).本文研究了一组十元素分子路径指数矢量VPM,并发现它与烷烃化学位移和CCS有良好线性相关性.采用多元线性回归进行准确估计与预测,结果优良.     

Reduced s-d model with antiferromagnetically coupled impurity spins

An antiferromagnetic equivalent-neighbour Heisenberg interaction H_i between impurity spins is added to the reduced s-d Hamiltonian H_r previously introduced by simplifying the Kondo s-d exchange Hamiltonian H_K. Asymptotic mean-field theory is developed for H_r + H_i, in the presence and absence of external magnetic field, and applied to (La_1−xCe_x)Al₂ alloys. Specific heat c_i(T) and zero-field susceptibility χ_i(0,T) curves for (La_1−xCe_x)Al₂ are depicted. The coupling constants of H_r + H_i and conduction bandwidth are adjusted so that T_c temperatures for x = 0.2, 0.1 are equal to the experimental values. c_i(T) exhibits a jump at T_c and is decreasing for T < T_c. χ_i(0,T) has a first order pole at T_c which corresponds to the maximum of experimental susceptibility and χ_i(0,0) > 0. These results improve those obtained earlier on the grounds of H_r theory.     

Interrelations of discrete Painlevé equations through limiting procedures

We study the discrete Painlevé equations associated to the affine Weyl group which can be obtained by the implementation of a special limits of -associated equations. This study is motivated by the existence of two -associated discrete both having a double ternary dependence in their coefficients and which have not been related before. We show here that two equations correspond to two different limits of a -associated discrete Painlevé equation. Applying the same limiting procedures to other -associated equations we obtained several -related equations most of which have not been previously derived.     

反向衬底偏压下纳米N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管中栅调制界面产生电流特性研究

研究了反向衬底偏压V_B下纳米N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管中栅调制界面产生(GMG)电流I_GMG特性, 发现I_GMG曲线的上升沿与下降沿随着|V_B|的增大向右漂移. 基于实验和理论模型分析, 得出了V_B与这种漂移之间的物理作用机制, 漂移现象的产生归因于衬底偏压V_B 调节了表面电势φ_s在栅电压V_G 中的占有比重: |V_B|增大时相同V_G下φ_s会变小, φ_s 的变化继而引发上升沿产生率因子g_r减小以及下降沿产生率因子g_f增大. 进一步发现I_GMG 上升沿与下降沿的最大跨导G_MR, G_MF 在对数坐标系下与V_B成线性关系, 并且随着|V_B|增加而增大. 由于漏电压V_D在I_GMG 上升沿与下降沿中的作用不同, 三种V_D下G_MR-V_B曲线重合而G_MF-V_B曲线则产生差异. 增大V_D 会增强g_f 随V_G的变化, 因此使得给定V_B 下的G_MF变大. 同时这却导致了更大V_D下G_MF-V_B 曲线变化的趋势减缓, 随着V_D从0.2 V变为0.6 V, 曲线的斜率s从0.09减小到0.03. 关键词： 产生电流 表面势 衬底偏压 N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管     

稠苯芳杂环及其烷基质子化学位移的计算

本文提出了予测稠苯芳杂环及其烷基链上质子化学位移的计算方法。 将稠苯芳杂环化合物用凯库勒式表示,计算式为为需考虑的苯环内的乙烯基效应。σ_mi,ci为各苯环的环流效应。σ_1,Hc为各芳杂环的屏蔽效应,对杂环上质子它就是该单独芳杂环上相应质子的δ值,对苯环上质子要将它分解为各结构因素的效应,即:σ_1,He=(1/2)^d-1δ_x=y(或σ_z)+σ_c-c·σ_m,H. σ_x-y与σ_z为杂原子或其基团的屏蔽效应,σ_c=c为存在于芳杂环中的乙烯基的效应,σ_m,Hc为芳杂环的环流效应,d为对不同质子所考虑的键数。有取代基时需考虑取代基的效应。计算环上烷基质子的公式为:δ=σ_p,CH3+ασ_c,CH3+βσ_t,CH3+σ_l,G σ_l,G为稠苯芳杂环基的某级效应。