首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到19条相似文献,搜索用时 46 毫秒
1.
易解石族矿物的Raman光谱和光致发光谱研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
测定并讨论了中国白云鄂博矿区变生及退火晶态易解石族矿物Raman光谱和光致发光谱,与退火晶质矿物相比,变生态易解石的Raman光谱和光致发光谱的强度降低,谱线宽化弥散,说明在变生过程中,矿物的结构发生畸变,元素分布趋于无序。分析表明,易解石族矿物在514.5nm激光激发下的所有光致发光谱峰均出自Nd^3+的辐射跃迁。  相似文献   

2.
方容川  杨嘉玲 《发光学报》1992,13(4):275-280
用电化学腐蚀法制备出多孔硅系列样品.室温下具有明亮可见的光致发光.增大电解电流或延长腐蚀时间,发光光谱明显地“蓝移”;提高样品测量温度,发光光谱也明显地“蓝移”。红外吸收光谱表明多孔硅中除了硅丝骨架以外,还含有H、F及O等元素,随着腐蚀时间的增加,F和O原子的相对含量增加.实验结果表明,多孔硅在可见光区的发光现象是一种量子尺寸效应.  相似文献   

3.
金—多孔硅光致发光和红外光谱研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
郭亨群 《光学学报》1995,15(5):58-561
报道了金-多孔硅 稳态光致发光,瞬态光致发光和傅里叶变换红外光谱的研究,讨论了金在多孔硅表面吸附产生的表面电子态对多孔硅光致发光特性的影响。  相似文献   

4.
多孔硅镍钝化处理的光致发光谱研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
报道了对多孔硅在NiCl2中电解钝化处理的一种新方法,观测了经不同时间处理后多孔硅的光致发光谱,其光谱表明,恰当的处理条件,可使峰值强度增大约2.5倍,峰值波长蓝移33nm,分析了现象发生的原因是由于多孔硅表面的SiHx中的H被Ni替换成SiNix的结果。  相似文献   

5.
本文报导了多孔硅的拉曼散射和光致发光的研究。给出了多孔硅的拉曼和光致发光谱之间的对应关系,根据拉曼峰的移动,估算了多孔硅量子线横截面的平均尺度为2.1~4.2nm。  相似文献   

6.
分别利用4种不同的表面活性剂对多孔硅进行表面修饰,结果表明油酸钠溶液、CPB溶液和乳化剂OP溶液修饰的多孔硅样品发光减弱,SDS溶液修饰的多孔硅样品发光增强,不同浓度的SDS溶液的增强倍数也不同。这种现象不仅可以为研究多孔硅的发光机制提供新的依据,还为提高多孔硅的发光效率提供了一个新的有效途径。  相似文献   

7.
多孔硅中的蓝色发光谱带   总被引:1,自引:1,他引:0  
孙甲明  韩力 《发光学报》1994,15(2):122-126
采用YAG:Nd激光器的1.06μm谱线的三倍频355nm激光激发多孔硅样品时,观测到一个峰值位于465nm的发光谱带,通过样品的发光光谱、透射光谱、以及时间分辨光谱的测量,初步探讨了新谱带的起源.  相似文献   

8.
杜松涛  鲁妮 《物理实验》2002,22(8):45-48
采用电化学腐蚀的方法制备多孔硅。对不同实验条件下所得到的多孔硅的拉曼光谱进行了分析,确认多孔硅是具有纳米晶结构特征的材料,肯定了量子限制效应在多孔硅光致发光中的作用。  相似文献   

9.
自然氧化引起的多孔硅光致发光光谱移动问题   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
吴晓薇  鲍希茂  郑祥钦  阎锋 《物理学报》1994,43(7):1203-1207
多孔硅发光是激发电子通过表面态间接的复合过程。自然氧化引入新的表面态,改变了表面态的分布,从而引起了多孔硅光致发光光谱的移动。 关键词:  相似文献   

10.
使用正电子湮没寿命谱和正电子寿命-动量关联谱对水蒸气和真空条件下退火的多孔硅样品的微观缺陷结构进行表征,结合发射光谱测量结果,对影响多孔硅发光性能的因素进行了讨论.实验结果表明,水蒸气退火后样品孔壁表面的悬挂键减少,并出现新的E′γ和EX类缺陷.水蒸气退火后样品中两种缺陷数量发生变化是导致多孔硅样品发光增强的直接原因;真空退火未使样品中发光相关缺陷发生变化,样品的发光性能没有显著改变.  相似文献   

11.
多孔硅发光峰温度行为的研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
李清山  马玉蓉 《发光学报》1999,20(3):265-269
实验研究了多孔硅(Porous Silicon)光致发光峰随测量温度的变化,发现发光峰位随温度的移动与发光峰的能量有关。随温度升高,发光峰波长较长的样品它们的发光峰都移向高能,面发光峰能量较高的样品它们的发光峰都移向低能,发光峰波长位于740nm附近的样品,它们的发光峰与测量温度无关。对上术结果的起源作了讨论。  相似文献   

12.
李清山  李鹏 《发光学报》1995,16(4):325-329
在微秒范围内测量了多孔硅的光致发光衰减,研究了衰减参数与发光波长、样品制备条件的关系,发现衰减参数与发射波长有关,但不依赖于样品制备条件。用发光三层模型解释了实验结果。  相似文献   

13.
光学声子色散关系对多孔硅喇曼谱的影响   总被引:2,自引:0,他引:2  
王晓平  赵特秀 《发光学报》1995,16(2):113-118
测量了多孔硅的喇曼光谱,观察到谱峰有明显的红移和非对称性展宽效应。用微晶模型对此现象进行了解释:认为谱峰的这种变化不完全是由尺寸的空间限制效应和多孔硅的应变造成的,更主要的是多孔硅的色散关系发生了变化。采用不同的色散关系对谱峰进行了拟合,发现色散关系对喇曼谱的拟合有较大的影响。  相似文献   

14.
发光不衰减的多孔硅   总被引:2,自引:0,他引:2  
李新建  张裕恒 《物理》1999,28(4):195-197
用一种新的方法制备出了具有不同衰减的光致发光特性的多孔硅。如此制备的多孔硅新鲜样品,其发光峰位强度比普通多孔硅高2 ̄2.5倍,将样品在室温下暴露于空气中,其发光强度在前4个月中单调增加,然后达到饱和。在随后的8个月中,没有观察到发光衰减,发光峰位也没有发生变化,这种发光稳定性被归因子于多孔硅表面所形成的稳定的Fe-Si键。文章探讨了发光不衰减、峰位不蓝移的机理,并为多孔硅发光的量子限域模型提供了强  相似文献   

15.
多孔硅的形成与发光   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
方容川  李清山 《发光学报》1993,14(2):107-118
本文综述了有关多孔硅(Porous Silicon,简称PS)某些新近的研究成果,包括多孔硅的形成、光致发光和电致发光,着重介绍多孔硅的形成和发光过程的量子尺寸效应.  相似文献   

16.
氧化处理多孔硅的光致发光和发光衰减   总被引:3,自引:3,他引:3  
李清山  李鹏 《发光学报》1995,16(3):211-216
用沸硫酸对多孔硅进行了处理,测量了它们的红外吸收光谱、光致发光光谱和发光衰减.对氢、氧的作用进行了讨论,发现氧的加入可使发光强度增加两个数量级,发光衰减变快.用三层发光模型对结果进行了讨论.  相似文献   

17.
王冠中  中峰 《发光学报》1999,20(3):270-273
采用溶液电镀方法在多孔硅表面制备纳米尺寸的银颗粒,测量了不同镀银多孔硅表面吸附的RhB染料分子以及固态的RhB染料的Raman散射谱。在相同的激发强度下,固态RhB染料的Raman散射最弱,而镀银的多孔硅表面具有明显的增强效果(~10^4)。  相似文献   

18.
利用X射线双晶衍射方法,对从同一Si(111)基片上切割的两块样品,在不同电解电流密度下,腐蚀形成的多孔硅层相对于基体硅的晶格畸变进行了分析。这两块样品晶格的畸变明显不同。其中电流密度较小的样品畸变较大,其多孔硅层对于基体硅在垂直和平行于晶体表面的方向上,晶格有不同程度的膨胀,搁置一段时间后,两者晶格渐渐匹配,但存在着弯曲。两者的(111)晶面取向亦有偏差。电流密度较大时多孔硅层较厚,其双晶反射强度很低,且弥散地迭加在基体硅反射峰上。  相似文献   

19.
周咏东  金亿鑫 《光子学报》1996,25(5):428-433
用电化学方法制备了不发光多孔硅和发光多孔硅,用X射线双晶衍射对两类多孔硅表面进行了微结构分析和晶体质量表征,实验表明两类多孔硅的微结构间存在着很大差别。不发光多孔硅表面对X射线的双晶衍射摇摆曲线可解叠成两个峰,它们分别来自样品多孔层和单晶硅衬底,而发光多孔硅对X射线的双晶衍射摇摆曲线呈高斯对称分布,不可解叠。发光多孔硅比不发光多孔硅表面晶体质量差,且电化学腐蚀越严重,表面晶体质量下降也越严重。  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号