首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到19条相似文献,搜索用时 46 毫秒
1.
本文中采用脉冲激光沉积的方法原位制备了结构完整的La1.89Ce0.11CuO4(LCCO)/Ba0.7Sr0.3TiO3(BST)/La0.67Sr0.33MnO3(LSMO)三层膜,并在此基础上制得了类似P-I-N型的全钙钛矿结构材料异质结.在不同的温度区间对其电输运性质进行了测量.测量结果表明随着充当绝缘层的Ba0.7Sr0.3TiO3的厚度的变化,异质结的电输运机制也在变化.当其厚度到达25纳米时,整个结在低温区呈现良好的整流特性.  相似文献   

2.
O484.1 2005010406 R.F.溅射Ba0.5Se0.5TiO3/RuO2薄膜及其介电特性研究= Dielectric propertics of sputtered Ba0.5 Sr0.5 TiO3 thin film on RuO2 bottom electrode[刊,中]/张柏顺(湖北大学物理学与电子技术学院.湖北.武汉(430062)),章天金…∥光电子技术与信息,-2004,17(2).-19-22 用R.F.磁控溅射法在p-Si(100)衬底上沉积Ba0.5 Sr0.5TiO3/RuO2异质结,BST薄膜的晶相和表面形貌用 XRD和SEM分析,表明在衬底温度为550℃时。薄膜的结晶度高、表面粗糙、晶粒较大。电容器InGa/BST/RuO2的  相似文献   

3.
金奎娟  韩鹏  陆珩  吕惠宾  杨国桢 《物理》2007,36(5):365-369
文章介绍了一个基于弱Hund耦合规则以及载流子漂移扩散机制所提出的关于钙钛矿氧化物p-n异质结构的自旋极化输运机制的物理模型.该理论不仅可以很好地解释由具有负磁阻效应的La0.9Sr0.1MnO3(LSMO)与非磁性的SrNb0.01Ti0.99O3(SNTO)所组成的异质结中所存在的正磁电阻效应,同时揭示了该体系中LSMO在界面区域的载流子与远离界面区域的载流子具有不同的自旋极化方向.这一结果将为理解钙钛矿氧化物异质结及多层膜的自旋极化输运机制开辟了一条新的途径.  相似文献   

4.
对La5/8-xPrxCa3/8MnO3(x=0,0.13,0.20,0.25)体系的电输运特性进行了系统研究.结果表明随着Pr含量的增大金属一绝缘转变温度(TMI)减小,在高于TMI的温度区域,该体系的电输运行为具有绝缘体特性,符合可变程跳跃模型;而在较低温度(50K以下),其电阻率存在极小值现象,且随磁场的增大而逐渐受到抑制.对这种电阻率极小值现象从强电子-电子相互作用角度进行了分析讨论.  相似文献   

5.
采用脉冲激光沉积方法,在SrTiO3(STO)基片上原位制备了电子型掺杂高温超导体La1.89Ce0.11CuO4(LCCO)与超大磁电阻(CMR)材料La0.7Ca0.3MnO3(LCMO)异质结.使用X射线衍射和透射电镜分析,表明异质结是c轴取向外延生长.LCCO层的超导转变温度了TC0是18.5K,LCMO层的金属一绝缘转变温度为195K.我们研究了这种异质结的界面微分电导,得到LCCO的能隙大小是4.2meV.  相似文献   

6.
我们测量了La2-xMxCuO4(LMCO,M=Sr,Ba,x=0.05,0.10,0.125,0.15,0.2)体系的室温正电子寿命谱,研究了正电子湮没机制与超导电性之间的关系.实验结果表明在x=1/8附近电子密度(ne)出现峰值响应,说明在掺杂浓度不断增加的过程中,当x〈1/8时,正电子-空穴反关联起决定性的作用.而在x〉1/8时,化学掺杂引起的电子损失是决定电子密度的最重要的原因.  相似文献   

7.
双异质结双极晶体管(DHBT)的性能与发射区-基区(E.B)异质结和基区.集电区(B.C)异质结的能带突变类型关系密切,本文基于热场发射.扩散模型,对两类不同能带结构类型的新型DHBT的性能做了比较分析.结论表明:与作为当今研究热点的E.B和B.C异质结构均为全交错II型能带结构的InP/GaSbAs/InPDHBT的性能相比,E.B异质结采用传统I型、B.C异质结采用交错II型的一类新型能带结构的InAlAs/GaSbAs/InPDHBT虽然在开启电压上更高,但具有更好的电流驱动能力、直流增益和高频性能.  相似文献   

8.
采用对靶磁控溅射方法在P型晶体硅(c—Si)衬底上沉积n型富硅氮化硅(SiNx)薄膜,形成了富硅SiNx/c—Si异质结.异质结器件呈现出较高的整流比,在室温下当V=4-2V时为1.3×10^3.在正向偏压下温度依赖的J—V特性曲线可以分为三个明显不同的区域.在低偏压区载流子的输运满足欧姆传输机理,在中间偏压区的电流是由载流子的隧穿过程和复合过程共同决定的,在较高偏压区的电输运以具有指数陷阱分布的空间电荷限制电流(SCLC)传输机理为主.  相似文献   

9.
采用磁控溅射法制备的La1-xSrxMnO3(LSMO)/TiO2异质pn结表现出很好的整流特性.室温电流电压特性曲线显示随着Sr掺杂的增加,扩散电压增大,这可能由于Sr掺杂的增加导致载流子浓度增大所致.电流电压变温特性曲线显示随着测量温度的降低,扩散电压增大,这可能由于随着测量温度的变化导致界面电子结构的变化所致.值得提出的,异质pn结电阻随温度变化曲线表现出单层LSMO的金属绝缘相变特性,并且在低测量温度时表现出随着测量温度的降低结电阻增大,这可能是由于宽带隙的TiO2的引入导致.  相似文献   

10.
用脉冲激光沉积(PLD)的方法在多孔硅衬底上沉积了ZnS薄膜,并在室温下研究了ZnS/PS异质结的结构、光学和电学性质。X射线衍射仪(XRD)测量结果表明.制备的ZnS薄膜在28.5°附近有一较强的衍射峰,对应于β-ZnS(111)晶向,说明薄膜沿该方向高度择优取向生长。ZnS/PS复合体系的光致发光谱表明,ZnS的发光与PS的发光叠加在一起,在可见光区形成一个450-700nm较宽的光致发光谱带。呈现较强的白光发射。对ZnS/PS异质结I-V,特性曲线的测量结果表明,异质结呈现出与普通二极管相似的整流特性。在正向偏置下,电流密度较大.电压降较低;在反向偏置下,电流密度接近于零。异质结的理想因子的值为77。  相似文献   

11.
王继锁  孙金祚 《光子学报》1996,25(8):699-702
本文对光子湮没算符高次幂本征态的完备性问题进行了详细研究,给出了ak正交归一本征态的正确的完备性关系.同时,纠正了现有文献报道中所出现的一些错误.  相似文献   

12.
The branching ratio of the following three modes of K+-meaon decay K+→μ+0+ν K+→e+0+ν K+→μ++ν is calculated by using the theory of the universal Fermi weak interaction proposed by Feymann and others. Perturbation method with cut-off is used. The ratio obtained is 1:1.5:12, which is in fair agreement with the experimental value 1:1:15. It is shown, other conbinations of Fermi interactions can not give result in agreement with experiment.  相似文献   

13.
本文从Eliashberg方程出发,证明了一个计算Tc级数解收敛半径1/Λ的公式。它和作者之一及其合作者在前一篇文章中猜测的公式实际上是相符的,从而肯定了他们建议的计算Λ的方法是正确的。 关键词:  相似文献   

14.
本文通过对非晶态合金结构的计算机模拟,研究非晶态TM100-xMx合金在成分基本相同条件下,M原子与TM原子尺寸比的变化对合金结构的影响。为此,分别模拟了Fe80P20,Co81P19和Fe80B20等非晶态合金的结构,并从径向分布函数、拓扑短程序、结构的稳定性和电子迁移引起的原子尺寸变化等方面讨论了原子尺寸的变化对非晶态合金结构的 关键词:  相似文献   

15.
室温下在单晶Si中注入(0.6—1.5)at%的C原子,部分样品在C离子注入之前在其中注入29Si+离子产生损伤,然后在相同条件下利用高温退火固相外延了Si1-xCx合金,研究了预注入对Si1-xCx合金形成的影响.如果注入C离子的剂量小于引起Si非晶化的剂量,在950℃退火过程中注入产生的损伤缺陷容易与C原子结合形成缺陷团簇,难于形成Si1-xC关键词: 离子注入 固相外延 1-xCx合金')" href="#">Si1-xCx合金  相似文献   

16.
利用电子束曝光法对双层光刻胶进行曝光来制备悬空掩模结构,在此基础上利用电子束蒸发系统采用倾斜角度蒸发法制备铝超导薄膜,采用热氧化法在底层铝膜表面形成氧化铝作为势垒层,制备出铝SIS超导隧道结,并在360mK的情况下对铝结进行了Ⅰ~Ⅴ特性的初步测量.铝隧道结的成功制备为下一步构建超导量子比特器件,研究其量子特性奠定了良好的基础.  相似文献   

17.
InP/SiO2纳米复合膜的微观结构和光学性质   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
应用射频磁控共溅射方法在石英玻璃和抛光硅片上制备了InP/SiO2复合薄膜,并在几种条件下对这些薄膜进行退火.X射线光电子能谱和卢瑟福背散射实验结果表明,复合薄膜中InP和SiO2的化学组分都大体上符合化学计量配比.X射线衍射和激光喇曼谱实验结果都证实了复合薄膜中形成了InP纳米晶粒.磷气氛保护下的高温(520℃)退火可以消除复合薄膜中残存的In和In2O3并得到了纯InP/SiO2纳米复合薄膜.实验观察到了室温下纳米复合薄膜的明显的光学吸收边蓝移现象和光学非线性的极大增强 关键词: InP 纳米晶粒 微观结构 光学性质  相似文献   

18.
自1911年发现超导电性起,如何将这种神奇导体应用到与电相关的领域一直是电工科学的焦点之一.目前超导体的应用研究在多个领域取得了实质性进展,处于工业应用的前期,这其中就包括超导电机(含电动机和发电机)的应用.本文以1986年高温超导陶瓷材料的发现为界限,按国别分类,介绍了低温超导电机和高温超导电机的发展历程及研究现状,并对不同类型超导电机的优缺点及其应用前景进行了分析.  相似文献   

19.
本文用计算机制作的模拟Ni64B36非晶态合金的结构模型作为初始位形,分别在自由边界、固定边界、周期边界和准动态平衡边界条件下,用不同于以往的松弛方法进行了能量极小化计算。通过分析和对比松弛前后各模型的各种结构参数的变化,讨论了各类边界条件对松弛模型结构的影响。 关键词:  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号