首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
    检索          
共有20条相似文献,以下是第1-20项 搜索用时 187 毫秒

1.  合金电子谱定量分析中离子溅射修正因子的研究  
   杨得全  张韶红  范垂祯《分析测试学报》,1992年第1期
   离子溅射修正是电子谱(俄歇电子谱,AES和X射线光电子谱,XPS)、离子谱(二次离子质谱,SIMS和低能离子散射谱,ISS)定量分析中的关键问题之一。本文根据作者最近提出的离子轰击合金表面成分再分布关系,得到了表面分析中离子溅射修正因子的分析表达式,总结了近十多年来合金离子溅射修正因子的一些较普遍的实验结果,用本文报道的计算关系较好地解释了这些实验结果。讨论了溅射修正因子受轰击离子参数(入射角、能量)、组分浓度等因素的影响。同时用本文给出的分析计算关系讨论了择优溅射、离子辐照诱导偏析和增强扩散效应对溅射修正因子的影响。    

2.  离子轰击引起的表面形貌对Ag的溅射产额的影响  
   潘冀生  王震遐  陶振兰  章骥平  张慧明  赵烈《物理学报》,1991年第40卷第12期
   用捕获膜技术和卢瑟福背散射(RBS)谱仪测定Ag靶在27keV Ar+离子轰击下的溅射原子角分布,从而确定不同剂量下Ag的溅射产额,并对其靶点表面形貌进行扫描电子显微镜(SEM)观察。结果发现,所有的角分布都呈over-cosine形状,但其溅射产额却随着表面形貌不同而不同。根据溅射产额Y与轰击离子入射角φ变化关系,讨论不同轰击剂量下溅射产额的差别,肯定了表面形貌是影响溅射产额的一个重要因素,并由此提出“表观产额”的新概念。    

3.  多成分靶优先溅射的蒙特-卡罗计算  被引次数:2
   潘正瑛  陈建新  吴士明  霍裕昆《物理学报》,1990年第39卷第2期
   基于两体碰撞近似,本文用蒙特-卡罗方法研究离子轰击多成分靶引起的溅射。计算了1keV,10keV的氦离子和氖离子入射引起多成分、无定型靶表面总溅射产额和部分溅射产额;溅射粒子的能谱、角分布和深度来源分布。并计算了择优溅射引起材料表面组分相对浓度的变化。结果还表明,离子轰击多成分靶时,碰撞效应足以引起优先溅射,它是造成靶表面各种成分相对浓度变化的重要因素。    

4.  多组分固体表面的择优溅射  
   董树忠《物理》,1985年第3期
   近十多年来,由于表面分析技术发展的需要,对许多固体材料开展了离子溅射研究[1].从合金和化合物的溅射研究发现,离子轰击能改变材料的表面成分[2].研究多组分固体的表面成分在离子束作用下的变化,对阐明入射离子与靶原子间的作用,了解各成分原子在表面上的结合特性以及进行表面成分分析,都是十分必要的[3].本文将简要说明目前对多组分固体表面离子溅射的了解,并讨论择优溅射对表面分析结果的影响. 一、溅射过程和择优溅射 在表面科学研究中常使用几百至几千电子伏能量的离子进行固体表面溅射.溅射时入射离子大部分进入固体体内,与固体原子产…    

5.  Y稳定的ZrO2薄膜双轴取向生长的Monte Carlo研究  
   江炳尧  牟海川《低温物理学报》,1998年第20卷第5期
   本文采用MonteCarlo方法模拟低能Ar+离子注入ZrO2单晶所引起的原子级联碰撞过程.模拟结果表明,Ar+离子沿[111]轴沟道方向入射的溅射率低于沿[101]轴沟道方向入射的溅射率,更低于沿非沟道方向入射的溅射率.Ar+离子沿沟道方向入射的溅射率与非沟道方向入射的溅射率的差别随着Ar+离子入射能量的增大而迅速增大.因此在薄膜生长的过程中,若用一定能量的离子束以一定的入射角度进行轰击,薄膜中那些低指数晶向对准离子入射方向的晶粒,其溅射率和损伤程度较小.这些晶粒能保存下来并继续生长,而其它的晶粒由于其溅射率和损伤程度较大生长受到抑制.在薄膜生长的过程中,溅射率最少的晶粒由于生长速度较快,最终抑制了其它取向晶粒的生长.该模拟计算定性地说明了由于晶粒溅射产额的各向异性导致了Y稳定的ZrO2薄膜具有单一的取向和平面织构.    

6.  静态随机存储器单粒子效应的角度影响研究  
   张庆祥  侯明东  刘杰  王志光  金运范  朱智勇  孙友梅《物理学报》,2004年第53卷第2期
   利用兰州重离子加速器加速的高能离子研究了入射角度对IDT71256的单粒子翻转截面和多位翻转比例的影响.研究表明:在大角度掠射轰击下单粒子翻转截面的增大包括了多位翻转的贡献;离子在器件敏感层中沉积的能量及其横向分布是影响多位翻转的两个重要参数,IDT71256发生三位以上多位翻转的比例随着离子入射角度的增大而增加.    

7.  溅射的同位素迷惑  
   郑里平《原子核物理评论》,1998年第15卷第1期
   影响多元材料溅射的机制是复杂的,在多元材料溅射中,同位素溅射是最简单的,虽然仅有质量效应面位素溅射中起优势作用,但是在离子轰击溅射中,至今是“同位素迷惑”争论的焦点有:(1)在零剂量时,同位素富集度是与出射角无关,还是与出射角有关?(2)同位素角效应是一次溅射效应,还是二次溅射效应?如何理解碰撞级联中的一不对称性对同位的作用?文中综述了这些争论,并阐明了本小组的观点。    

8.  离子束修形中光学元件表面热量沉积数值模拟  
   袁征  戴一帆  解旭辉  周林《物理学报》,2012年第61卷第22期
   根据Sigmund溅射能量沉积理论建立了低能离子入射光学元件引起的能量扰动层厚度模型.理论推导了离子束倾斜入射时光学元件表面的束流密度,并建立了低能离子束对光学元件的热量沉积模型.采用MonteCarlo方法模拟了低能离子与熔石英光学表面的相互作用.分析了离子能量、离子类型、入射角度等参数对光学元件热量沉积和扰动层深度的影响规律.以离子束沉积在工件的能量作为热源,采用有限元分析软件ANSYS模拟了离子束入射工件的温度场分布、温度梯度场分布和温度应力分布.入射表面温度和热梯度呈高斯分布,束斑中心最高并向工件边缘逐渐减小.入射表面束斑区域受热膨胀,其膨胀受到外环区域的制约,从中心区域到大约束斑半峰值半径的区域,所受环向应力为压应力,在大致束斑半峰值半径以外区域为拉应力.    

9.  非平衡磁控溅射系统离子束流磁镜效应模型  被引次数:1
   牟宗信  李国卿  秦福文  黄开玉  车德良《物理学报》,2005年第54卷第3期
   为了研究非平衡磁控溅射沉积系统的等离子体特性,采用常规磁控溅射靶和同轴约束磁场构成非平衡磁控溅射沉积系统.在放电空间不同的轴向位置,Ar放电,02Pa和150V偏压条件下,采用圆形平面离子收集电极,测量不同约束磁场条件下的饱和离子束流密度.研究结果表明,在同轴磁场作用下,收集电极的离子束流密度能达到饱和值9mA/cm2左右,有利于在沉积薄膜的过程中产生离子轰击效应.根据磁流体理论分析了同轴约束磁场形成的磁镜效应和对放电过程的影响机理.实验与模型计算结果的比较表明,模型从理论上表达了同轴磁场约束对非平衡磁控溅射等离子体特性的影响规律.    

10.  金属氧化物薄膜的多离子束反应共溅射模型(Ⅱ)——数值计算与结果讨论  
   肖定全  韦力凡  李子森  朱建国  钱正洪  彭文斌《物理学报》,1996年第45卷第2期
   结合实验中的工艺技术参数,以Pb,Ti两金属靶的反应共溅射为例,对我们提出的金属氧化物薄膜的多离子束反应共溅射模型进行数值计算,分别得出了各靶的溅射速率R,反应腔中反应气体分压p以及衬底Pb,Ti的金属单质和氧化物所占的有效面积百分比与反应共溅射中直接可调的物理量,即反应气体总量Q和溅射离子束流J的关系.计算结果表明,该模型揭示了反应溅射具有滞回效应的本质特征,反映了反应共溅射中相关参数的相互影响与相互耦合的特点,给出了薄膜中组分原子百分比及其氧化物的形态与溅射工艺的关系,指出了多离子束反应共溅射中稳恒溅    

11.  离子溅射的微区叠加原理  被引次数:1
   王震遐《物理学报》,1994年第43卷第1期
   荷能离子轰击固体表面在往使表面产生特定的结构,因而改变溅射总产额和微分产额。这些变化是由于表面结构改变而引起的几种效应,例如弹离子入射角、形貌对发射粒子的屏蔽以及合金表面元素按微区局域富集等的影响而产生的,本文发展了一种考虑上述诸效应的理论方法,并详细讨论该方法在元素(Cd)和合金(AlxSn100-x)靶实验微分产额方面的应用。    

12.  聚变α粒子对第一壁辐照损伤的蒙特-卡罗研究(Ⅲ)——固体中位移原子深度分布  
   邵其鋆  潘正瑛  陈建新  霍裕昆《物理学报》,1992年第41卷第9期
   本文用基于两体碰撞的蒙特-卡罗方法研究α粒子轰击固体靶的位移原子深度分布,并分析了位移原子深度分布与固体中能量沉积的关系。文中给出入射α粒子能量、入射角及靶材料的改变对位移原子深度分布的影响。结果表明,位移原子数与轰击离子在靶中的弹性能量损失密切相关。聚变α粒子在SiC中产生的位移损伤远小于它在不锈钢材料中的位移损伤。    

13.  聚变α粒子对第一壁辐照损伤的蒙特-卡罗研究(Ⅲ)—— 固体中位移原子深度分布  
   邵其鋆  潘正瑛  陈建新  霍裕昆《物理学报》,1992年第9期
   本文用基于两体碰撞的蒙特-卡罗方法研究α粒子轰击固体靶的位移原子深度分布,并分析了位移原子深度分布与固体中能量沉积的关系。文中给出入射α粒子能量、入射角及靶材料的改变对位移原子深度分布的影响。结果表明,位移原子数与轰击离子在靶中的弹性能量损失密切相关。聚变α粒子在SiC中产生的位移损伤远小于它在不锈钢材料中的位移损伤。    

14.  光束经过三棱镜的偏向角分析  
   李轩  张雪《大学物理》,2018年第4期
   首先对偏向角的公式进行了推导,重点讨论了在有出射光线的情况下,三棱镜的规格参数、棱镜顶角和折射率对入射角和折射角的影响;然后,建立了偏向角与入射角、棱镜顶角及折射率之间的关系,并阐述了关系曲线的物理意义;最后对最小偏向角进行了研究.    

15.  高速H2+离子轰击C靶诱发二次电子的发射行为与入射角的关系  
   卢其亮  周筑颖  施立群  赵国庆《中国物理》,2005年第14卷第7期
   运用Monte-Carlo方法结合半经验理论研究了高速H2+离子轰击C靶诱发二次电子的发射行为与入射角的关系。分别研究了电子发射产额与入射角以及发射统计性与入射角的关系。结果表明,由于H2+上的价电子的影响使得背向电子发射产额不遵守余弦倒数关系。斜入射时候的前向与背向电子产额的比值跟正入射时的情况不同。电子的发射统计跟入射角没有关系。标志偏离Poission分布的值 b,随入射能量的增加而增大。    

16.  一种新颖的磁控溅射纯Cr薄膜结构区域模型  
   李洪涛  蒋百灵  杨波  曹政《人工晶体学报》,2011年第40卷第4期
   磁控溅射成膜过程中,基于溅射中性原子对基片表面微区的轰击效应Ec11和各种轰击离子对基片微区表面的轰击效应Ec22两个能量因子建立了磁控溅射纯Cr薄膜的结构区域模型,研究发现磁控溅射系统中较高的离子流密度显著影响着薄膜的微观结构,且可在较低的相对温度下促进完全致密薄膜结构的形成.    

17.  斜入射离子束辅助沉积对类金刚石薄膜结构影响的分子动力学模拟  
   开花  李运超  郭德成  李双  李之杰《物理学报》,2009年第58卷第7期
   采用分子动力学(MD)模拟方法,从原子尺度上研究了离子束辅助沉积(IBAD)类金刚石(DLC)薄膜过程中离子束入射角对薄膜结构的影响.重点讨论了不同的离子束入射角所对应的薄膜表面模型,平均密度和sp3键含量.结果表明,离子束斜入射加强了入射原子的水平动能,从而加强了原子水平迁移;Ar离子斜入射时C原子迁移率均比垂直入射大,薄膜密度和sp3键含量都比垂直入射小.不同的离子束入射角随着到达比和入射能的变化,对薄膜结构的影响不同.离子束斜入射时可以得到不同结构的膜.    

18.  MeV Si离子轰击SiO2溅射行为研究  
   薛建明  二宫咎  今西信嗣《物理学报》,2004年第53卷第5期
   利用飞行时间谱仪 (TOF)技术测量了 1— 5MeVSi离子轰击SiO2 产生的Si 二次离子动能分布和溅射产额 .实验发现 ,当入射离子能量在 1— 2MeV时 ,溅射产额随离子能量上升而下降 ,这个趋势利用核溅射理论可以较好地解释 ;当入射离子能量高于 3MeV时 ,溅射产额随离子能量上升而增加 ,电子溅射机理开始占主要地位 ,并且溅射规律与热峰模型的预期符合 .通过对实验结果的综合分析 ,得到了重离子溅射SiO2 的普适溅射产额公式 .    

19.  金属氧化物薄膜的多离子束反应共溅射模型(Ⅰ)——模型建立  
   肖定全  韦力凡  李子森  朱建国  钱正洪  彭文斌《物理学报》,1996年第45卷第2期
   针对作者发明的多离子束反应共溅射技术,基于气体动力学原理,在稳恒溅射情况下,建立了多离子束多靶反应共溅射的基本模型,获得了薄膜沉积速率和薄膜成分与反应共溅射工艺参数之间的关系.该模型揭示了影响薄膜成分的本质参量.基于该模型,提出了调控溅射速率及薄膜成分的途径与方法.    

20.  基于TDLAS检测西林瓶内氧气浓度的多光束干涉抑制方法  
   朱高峰  胡鑫  朱红求  胡恩泽  朱剑平《光谱学与光谱分析》,2018年第2期
   应用可调谐半导体激光吸收光谱(TDLAS)技术开放单光路短光程检测西林瓶内氧气浓度,因玻璃瓶壁造成入射光多次反射和透射,形成多光束干涉,严重影响信号波形和检测精度。本文提出了一种改变激光入射角度来抑制瓶壁光学干扰的方法,理论分析了入射角度对透射光强分布的影响,详细推导了使两相干光束叠加部分在接收端探测范围之外的入射角度计算公式,并根据现场参数得到理论最佳入射角度。对氧气浓度1%的样瓶进行多次测量,将二次谐波信号峰值的平均值作为信号,峰值的标准差作为噪声,以信噪比(signal to noise radio,SNR)最大作为系统入射角角度的优化指标,实验获得系统的实际最佳入射角度。与决定系数较高的入射角度进行浓度预测对比,交互验证后的最小二乘拟合结果显示:相关系数分别为0.995 9和0.988 9,前者相比后者提高了0.7%,预测的均方根误差(root mean square errors of prediction,RMSEP)分别是0.003 1和0.005 3,前者相比后者降低了41.5%,说明本文方法所确定的最佳入射角,能有效抑制玻璃瓶壁引起的多光束干涉影响,改善系统检测精度。    

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号