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相似文献
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1.
对偏振变动和膜厚变动脱敏的高分子波导宽带耦合器   总被引:3,自引:3,他引:0  
针对高分子光波导制造工艺中波导芯厚度的均匀性难以控制,以及材料较大的折射率各向异性引起的偏振态依赖性的实际问题,提出了采用抗波导芯厚度误差、抗偏振变动的宽带波导耦合器回路结构的解决方案,并给出了优化设计的理论和方法.在实测了含氟聚酰亚胺薄膜的色散特性的基础上,采用该方法做了中心波长为1550 nm、带宽为120 nm的3 dB含氟聚酰亚胺波导耦合器设计.该器件的三维BPM仿真运行结果表明,在上述带宽上,波导芯厚度变动在7~8 μm的范围内,两个正交偏振态均可实现(50±1.0)% 功率输出比的良好特性.  相似文献   

2.
含氟聚酰亚胺光波导120 nm宽带耦合器的抗温度变动设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
提出一种适合于宽带光波导耦合器的抗温度变动的优化设计理论和方法。使用该理论和方法 ,在 1490~16 10nm带域上 ,对含氟聚酰亚胺光波导做了宽带光波导 3dB耦合器的抗温度变动设计。器件经三维波束传播法模拟运行验证 ,结果表明 ,在 12 0nm带宽上 ,从零下 10℃至零上 40℃的温度变动中 ,器件实现了 ( 0 .5 0 0± 0 .0 0 7)功率输出比的良好特性。同时报道了含氟聚酰亚胺薄膜波导的制备工艺及其温度特性和色散特性的测试。  相似文献   

3.
宽带消波长依存波导耦合器的统计优化设计   总被引:2,自引:1,他引:1  
陈抱雪  袁一方  矶守 《光学学报》2001,21(8):96-1000
提出了一种适合于宽带消波长依存波导耦合器的统计优化设计方法。使用该方法 ,在 12 80nm~ 165 0nm带域内 ,对Si基SiO2 光波导作了包括偏振变动优化在内的 5 0 %和 2 0 %功率耦合比的消波长依存波导耦合器的设计。两个器件经三维波束传播法 (BPM)模拟运行验证 ,结果表明 ,在 370nm宽带内 ,两个直交偏振态均实现了功率耦合比为 (5 0± 2 .1) %和 (2 0± 1.4) %、偏振变动量分别小于 0 .65 %和 0 .2 0 %的良好特性  相似文献   

4.
抗偏振温度变动的聚酰亚胺波导宽带耦合器   总被引:1,自引:0,他引:1  
提出了一种适合于宽带光波导耦合器的抗偏振变动、抗温度变动的优化设计理论和方法。使用该理论和方法 ,在 14 90~ 16 10nm带域上 ,对氟化聚酰亚胺光波导做了 3dB耦合器的消偏振和温度依存设计。器件经三维波束传播法 (BPM)模拟运行验证 ,结果表明 ,12 0nm带宽上 ,在 - 10~ 4 0℃的环境下 ,两个正交偏振态均实现了(5 0± 0 .8) %功率输出比的良好特性  相似文献   

5.
针对高分子光波导在制造工艺中波导芯厚度难以控制、芯层和包层的折射率差变动时的随机性以及材料各向异性引起的偏振态依赖性等实际问题,提出了采用抗波导芯厚度误差、抗折射率差变动和抗偏振变动的宽带波导耦合器回路结构的解决方案,给出了设计的理论和方法。在实测数据的基础上,进行了带宽为120nm的3dB氟化聚酰亚胺波导耦合器设计。由该器件的三维BPM仿真结果表明,在上述带宽上,波导芯厚度的变动范围为7~8μm、相对折射率差变动范围为0 24%~0.30%,两个正交偏振态都具有(50±2.0)%功率输出比的良好特性。  相似文献   

6.
基于硅基二氧化硅阵列波导光栅宽带低串扰单纤三向器   总被引:3,自引:3,他引:0  
采用硅基二氧化硅阵列波导光栅设计并制作了宽带低串扰单纤三向器.为使三个波长间隔相差较大的输出谱获得相同的带宽,在输出波导与罗兰圆交界采用了不同结构的多模干涉器.二维有限差分束传播法的模拟结果表明,理论上1310nm、1490nm和1550nm波长的3dB带宽分别达到23nm、23.5nm和25nm,插入损耗均为4dB,1310nm波长的串扰小于-40dB,1490nm与1550nm波长间串扰小于-40dB;采用宽带光源测试结果表明,1550nm波长的3dB带宽为23nm,采用三个独立窄带光源测试结果表明,三个波长的插入损耗均为7dB,1310nm波长的串扰小于-40dB,1490nm与1550nm波长间的串扰小于-39dB,测试与模拟结果基本一致.  相似文献   

7.
高仁喜  陈抱雪  陈林  袁一方  矶守 《光学学报》2005,25(11):549-1553
提出了一种结构模型来分析由工艺引起的波导侧壁起伏对于聚合物波导光学梳状滤波器的滤波特性的影响。含氟聚酰亚胺高分子聚合物制备多级马赫一曾德尔串联型光学梳状滤波器件的工作参量为中心波长1550nm,波长间隔为0.8nm,40通道的波长交错分离。模拟计算:表明,对由高分子聚合物材料制备的多级马赫-曾德尔串联型光学梳状滤波器件,其主要影响是增大了信道之间的串扰,中心波长1550nm处的信道串扰由理想情况下的-40dB降为-12dB,极大地影响了器件的性能。在此基础上,提出一种改善光学梳状滤波器串扰性能的新结构,该结构由多级马赫-曾德尔耦合器和微环共振滤波器串接构成,40个通道的串扰改善为-0dB以下。  相似文献   

8.
提出了一种新的高分子波导分波器结构,用以改善波长串扰以及偏振变动、波长带宽等引起的劣化影响.主要技术特征是采用两支参量不同的波导来构成非对称定向耦合器.报告了用非对称定向耦合器构成的马赫-泽德尔干涉型波导分波器的结构特点、基本工作原理和光学特性,详细讨论了器件的设计原理和器件性能优化的处理方法.采用三维波束传播法做了仿真验证,结果表明,该器件在1 550±5 nm和1 310±5 nm的波长带域上、对两个正交偏振态均实现了串扰小于-40 dB的高隔离度分波特性.  相似文献   

9.
采用低压金属有机气相外延 (LP MOCVD)设备生长并制作了 1 5 5 μmAlGaInAs InP偏振无关半导体光放大器 ,有源区为 3周期的张应变量子阱结构 ,应变量为 0 35 % ;器件制作成脊型波导结构 ,并采用 7°斜腔结构以有效抑制腔面反射 ;经蒸镀减反膜后 ,半导体光放大器的自发辐射功率的波动小于 0 3dB ,3dB带宽为 5 0nm ,半导体光放大器小信号增益近 2 0dB ,带宽亦为 5 0nm .在 1 5 30— 1 5 80nm波长范围内偏振灵敏度小于 0 5dB ,峰值增益波长的饱和输出功率达 7dBm ;器件增益随温度的升高而减小 ,当器件工作温度从 2 5℃升高至 6 5℃时 ,增益降低小于 3dB .  相似文献   

10.
为确定硅基片上系统半导体光电器件集成中绝缘层材料对器件整体性能的影响,设计并制备了带有覆层的纳米波导谐振腔.谐振透射谱功率测试表明顶层覆盖Si_3N_4薄膜和SiO_2薄膜绝缘层没有削弱环形谐振腔的品质因素,沉积后的最佳耦合间距为70~110 nm.覆层为SiO_2时谐振点波长附近的谐振峰消光比达16.5 dB,3 dB带宽为0.12 nm;覆层为Si_3N_4时谐振点波长附近的谐振峰消光比达13.9 dB,3 dB带宽为0.18 nm.该研究为片上系统集成设计中最佳绝缘层材料的选择提供参考.  相似文献   

11.
A 32 × 32 arrayed waveguide grating (AWG) multiplexer operating around the 1550 nm wavelength has been designed and fabricated using highly fluorinated polyethers. The propagation loss of the slab waveguide is about 0.3 dB/cm at 1550 nm wavelength. The channel spacing of the AWG multiplexer is 0.8 nm (100 GHz). The insertion loss of the multiplexer is 10.3-15.3 dB and the crosstalk is less than −20 dB.  相似文献   

12.
The authors propose a high-performance 980 / 1550-nm wavelength multiplexer / demultiplexer based on the restricted-resonance self-imaging effect in a buried-type waveguide system. The device functions either as a multiplexer or a demultiplexer, depending upon the direction of light propagation. Using the modal propagation analysis (MPA), characteristics of the device are investigated. We carried out the design of the device and showed that the device performance can be optimized by appreciate selection of the coupler width. A demultiplexer with an insertion loss of 0.4 dB and contrast of 25.5 dB at wavelength 1550 nm and 32 dB at 980 nm is demonstrated.  相似文献   

13.
A polarization rotator, suitable for integration in a polarization diversity optical receiver fabricated in InP technology, is proposed. The device, based on a two steps waveguide rotator, includes tapered input and output ports that provide very low insertion loss (<0.04 dB). An extinction ratio of 40 dB at 1550 nm wavelength is calculated, comparable or even superior to other state of the art polarization converters. The main advantage of the proposed design is the capability of implementation using a standard fabrication process with only two dry etch steps, significantly reducing complexity and cost.  相似文献   

14.
InP基1×4多模干涉耦合器的设计与制作   总被引:1,自引:0,他引:1  
马丽 《光子学报》2012,41(3):299-302
在密集波分复用系统中,多波长DFB激光器阵列与多模干涉耦合器集成光源器件具有重要的应用前景.为了研制多波长集成光源中的宽带可用低损耗光耦合器,利用三维有限差分光束传播法仿真设计了一种具有强限制作用的InP/InGaAsP材料的多模干涉型耦合器.输入/输出端波导均采用楔形结构以降低多模干涉型耦合器的插入损耗,提高各个输出端口的出光平衡度.根据仿真结果,结合波导芯层为采用外延生长设备,采用反应离子刻蚀工艺制作了1×乘4多模干涉型耦合器.利用自动对准波导耦合测试系统对所制作器件的插入损耗和出光平衡度进行测量.测试结果表明,该器件在1 550nm波长附近的40nm带宽范围内获得了约2.6dB的通带平坦度,在1 550nm通信波长处,器件的插入损耗低于10dB.  相似文献   

15.
在密集波分复用系统中,多波长DFB激光器阵列与多模干涉耦合器集成光源器件具有重要的应用前景.为了研制多波长集成光源中的宽带可用低损耗光耦合器,利用三维有限差分光束传播法仿真设计了一种具有强限制作用的InP/InGaAsP材料的多模干涉型耦合器.输入/输出端波导均采用楔形结构以降低多模干涉型耦合器的插入损耗,提高各个输出端口的出光平衡度.根据仿真结果,结合波导芯层为采用外延生长设备,采用反应离子刻蚀工艺制作了1×乘4多模干涉型耦合器.利用自动对准波导耦合测试系统对所制作器件的插入损耗和出光平衡度进行测量.测试结果表明,该器件在1 550 nm波长附近的40 nm带宽范围内获得了约2.6 dB的通带平坦度,在1 550 nm通信波长处,器件的插入损耗低于10 dB.  相似文献   

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