北京谱仪μ计数器的宇宙线数据分析

通过分析北京谱仪μ计数器的宇宙线实验数据,确定了μ计数器阵列的整体信号-噪声阈,单丝层探测效率,粒子探测效率,z向和γ-φ平面上的定位精度;并将实验数据与蒙特卡洛模拟计算作了比较,两者的一致性令人满意.     

簇射计数器模型的宇宙线测试结果

本文报告了自猝灭流光放电模式气体取样簇射计数器的宇宙线测试结果. 实验表明该探测器能清晰地重建宇宙线带电粒子径迹, 位置分辨率好于0.6%(450cm全长); 讨论指出该项指标可进一步改善到0.3%. 由最小电离粒子的信号电荷量谱的研究估算这类计数器对电磁簇射的能量分辨率约为15%/√E.     

北京谱仪μ计数器的宇宙线数据分析

通过分析北京谱仪μ计数器的宇宙线实验数据,确定了μ计数器阵列的整体信号-噪声阈,单丝层探测效率,粒子探测效率,z向和γ-φ平面上的定位精度;并将实验数据与蒙特卡洛模拟计算作了比较,两者的一致性令人满意     

在海平面宇宙线中寻找小电荷粒子

用符合计数器望远镜测量电离损失的方法,在海平面宇宙线中寻找相对论性的小电荷粒子。实验中用厚碘化钠（铊）计数器测量粒子的很小电离损失,来确定粒子电荷。用反符合环形计数器排除侧面进入的粒子本底,实验测量了电荷范围从1/12到1/4电子电荷的小电荷区域。测量的初步结果给出:海平面宇宙线中的（非大气簇射中心区的）小电荷粒子通量的上限,在电荷0.08到0.19电子电荷范围内及0.19到0.25电子电荷范围内,分别小于4×10^-5粒子/平方厘米·秒·立体孤度及2×10^-5粒子/平方厘来·秒·立体弧度（置信水平90％）。     

北京谱仪μ子计数器离线数据刻度研究

介绍了北京谱仪(BES)μ子计数器的结构,分析了μ子计数器z向位置分辨变坏的主要因素,通过研究μ子计数器离线数据刻度基本原理和刻度方法,采用新的刻度方法解决了μ子计数器z向位置分辨变坏的问题,使μ子计数器z向位置分辨提高了20%.     

一种在宇宙线实验中应用取样保持电路的触发方法

本文报告了取样保持电子学系统用于宇宙线实验的一种触发判选方法.实验证明,这种方法能完整地收集随机出现的宇宙线事例信号的全部电荷,解决了由于取样门延迟打开所造成的信号电荷丢失问题.讨论了将这种方法用于北京谱仪宇宙线实验的问题.     

一种在宇宙线实验中应用取样保持电路的触发方法

本文报告了取样保持电子学系统用于宇宙线实验的一种触发判选方法.实验证明,这种方法能完整地收集随机出现的宇宙线事例信号的全部电荷,解决了由于取样门延迟打开所造成的信号电荷丢失问题.讨论了将这种方法用于北京谱仪宇宙线实验的问题.     

北京谱仪中心漂移室45°模型性能的束流测试结果

本文描述利用日本KEK 12GeV质子同步加速器K2试验束测量北京谱仪(BES)中心漂移室45°模型性能的主要结果.单丝空间分辨率σ_x可达160μm.电荷分配定位积分非线性小于0.5%,当输出电荷量为1.4±0.2pC时,z向分辨率可达2.3%.     

闪烁计数器在宇宙线探测中的应用

用闪烁计数器完成对宇宙线信号的采集和转换工作，其输出信号作为原始数据被记录．提出利用动态分析仪进行记录的新方法，应用该方法能够观测到宇宙线与探测器作用的详细情况，并得出一些新的结果．本文介绍这种方法的应用情况，并对观测结果进行分析．     

金属-氧化物-半导体场效应管辐射效应模型研究

基于氧化层陷阱电荷以及界面陷阱电荷的产生动力学以及辐射应力损伤的微观机理,推导出了金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET)中辐射应力引起的氧化层陷阱电荷、界面陷阱电荷导致的阈值电压漂移量与辐射剂量之间定量关系的模型. 根据模型可以得到:低剂量情况下,氧化层陷阱电荷与界面陷阱电荷导致的阈值电压漂移量与辐射剂量成正比;高剂量情况下,氧化层陷阱电荷导致的阈值电压漂移量发生饱和, 其峰值与辐射剂量无关,界面陷阱电荷导致的阈值电压漂移量与辐射剂量呈指数关系. 另外,模型还表明氧化层陷阱电荷与界面陷阱电荷在不同的辐射剂量点开始产生饱和现象, 其中界面陷阱电荷先于氧化层陷阱电荷产生饱和现象.最后,用实验验证了该模型的正确性. 该模型可以较为准确地预测辐射应力作用下MOSFET的退化情况.