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1.	V³⁺∶YAG晶体的生长、色心与光谱性能研究

	苏良碧张丹李红军钱小波沈冏周国清徐军《物理学报》,2006年第55卷第11期
	采用石墨电阻加热的温梯法生长了V∶YAG晶体，晶体的不同部位呈现两种不同的颜色：浅绿色和黄褐色.通过对比分析不同颜色V∶YAG晶体的室温吸收光谱，推断出石墨发热体高温下扩散出来的C可以起到还原作用，提高晶体中V³⁺_tetra离子的浓度，同时诱导了F心的形成.在1300℃下，对不同颜色的V∶YAG晶体进行真空退火处理，发现处于八面体格位中的V³⁺离子在热激发作用下与近邻的四面体格位Al³⁺离子存在置换反应，由此产生一定浓度的四面体格位V³⁺离子.同时，F心在退火过程中被完全消除，释放出来的自由电子被高价态的V离子俘获，可以进一步提高晶体中四面体格位V³⁺离子的浓度.
2.	Cr⁴⁺在八面体格位中的光谱特性研究

	张丹苏良碧徐军杨秋红张连翰李红军《物理学报》,2006年第55卷第6期
	采用提拉法生长了Cr单掺和Cr，Mg共掺Al₂O₃晶体，后者具有900—1600nm的宽带吸收.研究了该吸收带在不同气氛、不同温度退火下的变化规律.通过建立合理的晶格缺陷模型，成功地解释了所有的实验结果，并确定Cr，Mg共掺Al₂O₃晶体红外波段宽吸收带属于八面体格位中的Cr⁴⁺离子.
3.	(CrO₄)络离子中Cr-O距离的研究

	祝生祥杨宝成林远齐潘佩聪祝继康《物理学报》,1992年第41卷第8期
	通过MS-X_α方法的计算详细地讨论当Cr—O距离变化时(CrO₄)络离子的电子结构和能级分布。给出铬离子三种不同价态(Cr²⁺,Cr³⁺,Cr⁴⁺)的单电子轨道能量、电荷分布、基态电子组态、低激发态的光学跃迁,以及能级示意图。当配位体与中心离子的距离R≤2?时,用晶场理论得出的结果不能令人满意。这时必须考虑配位体与中心离子距离的影响,以及中心离子(对于过渡族金属离子而言)的4s或4p原子轨道的作用。
4.	Cr³⁺:Al₂O₃透明多晶陶瓷光谱特性分析被引次数：4

	曾智江杨秋红徐军《物理学报》,2005年第54卷第11期
	对透光性良好的Cr³⁺:Al₂O₃透明多晶陶瓷的光谱性能进行了研究，其吸收光谱中吸收峰与单晶红宝石相一致，按吸收光谱和Tanabe-Sugano能级图，算出其晶场强度参数D_q及Racah参数B分别为1792cm^-1， 689cm ^-1，D_q/B=2.6，陶瓷中Cr³⁺离子所处格位的晶体场强比单晶弱一些，但Cr³⁺:Al₂O₃透明陶瓷仍属于强场晶体材料；当Cr³⁺掺杂浓度到达0.8wt%时，陶瓷的发射谱仍保持较好的R线发射；随Cr³⁺掺杂浓度的增大，激发峰位发生“红移”.在Cr³⁺:Al₂O₃透明多晶陶瓷的荧光谱上，发现一个波长为670nm的发射峰，经激发谱确认为Cr³⁺的发射峰.
5.	ZnS:Cr²⁺晶体中Cr²⁺杂质离子的EPR参量及其占位

	吴平锋周康巍赵尚勃王慧素《中国科学A辑》,1993年第36卷第10期
	本文基于 ZnS:Cr²⁺晶体中 Cr²⁺杂质离子处于八面体有效晶场(D_2d畸变)理论模型,通过考虑对基态有较大影响的所有低自旋态的贡献后,建立了一组维数较大曲 d⁴(D_2d^*)不可约表示强场能量矩阵.利用矩阵的特征值、特征矢量以及相应的EPR 参量理论公式,对 ZnS:Cr²⁺晶体的精细光谱、基态 ZFS,EPR 参量(g,g,D,E,F,α)、基态 Zeeman 能级以及 EPR 条件(B,v)进行了系统的理论分析与计算.结果与实验值符合很好.从而确立了 ZnS:Cr²⁺晶体中 Cr²⁺杂质离子的环境晶场系 D_2d畸变八面体结构.ZnS:Cr²⁺晶体的光、磁性质与 Cr²⁺杂质离子的八面体晶场结构特征密切相关.
6.	六配位中铬离子不同价态的MS-X_α计算

	祝生祥杨宝成林远齐沈仲钧郑一善祝继康《物理学报》,1992年第41卷第3期
	本文采用自旋极化的MS-X_α方法,以铬离子与氧六配位形成的(CrO₆)铬离子为模型,计算铬离子三种价态(Cr²⁺,Cr³⁺,Cr⁴⁺的电子结构,在D_4k群下给出单电子轨道本征值和本征函数、能级分布和光学跃迁,对计算结果作了详细的讨论。
7.	BeAl₂O₄:Cr³⁺的晶场能级

	吴光照张秀荣《物理学报》,1983年第32卷第1期
	金绿宝石中镜对称格位上Cr³⁺(Ⅱ)离子的⁴T₂,⁴T₁和²E能级与该材料的激光运转有关。⁴T₂和⁴T₁能级各分裂成三个子能级。为从偏振吸收谱上确定BeAl₂O₄:Cr³⁺的能级图,本文计算了⁴T₂和⁴T₁的分裂,找到了对谱方法,得到了表征能级分裂的参量K_{1和K_{2的值。最后给出了以低点群不可约表示标号的、BeAl₂O₄:Cr³⁺(Ⅱ)的晶场能级图。}}
8.	Cr^4＋离子在晶格中的结构稳定性被引次数：4

	徐军邓佩珍《人工晶体学报》,1996年第25卷第3期
	本文着重从以下三个方面系统论述Ｃｒ＾４＋离子在Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２晶格中的稳定性：二介补偿离子的选择；生长气氛的影响；以及Ｃｒ＾４＋离子的退火效应和形成动力学。分析结果表明，Ｃａ＾２＋离子是最佳补偿离子，氧化气氛的退火温度应高于１０００Ｋ；而Ｃｒ＾４＋离子在Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２晶格中的稳定性与生长气氛无关。
9.	Cr⁴⁺在Al₂O₃多晶体中的光谱性能研究

	杨秋红曾智江徐军丁君苏良碧《物理学报》,2006年第55卷第8期
	采用传统无压烧结工艺制备Cr:Al₂O₃透明多晶陶瓷.测定了其退火前后的吸收光谱和荧光光谱，发现在Al₂O₃六配位的八面体结构中，Cr⁴⁺的荧光发射也处在1100—1600nm波段的红外区间，荧光发射峰位于1223nm附近，类似Cr⁴⁺在四面体中的发光行为.同时由于氧化铝晶格常数较小，晶体场强较强，使Cr⁴⁺:Al₂O_3<
10.	新型Q开关晶体Cr^4＋：YAG的生长和退火研究

	黄朝红肖敬忠等《人工晶体学报》,2002年第31卷第4期
	采用二阶Ca离子作为电荷补偿离子由提拉法生长出了具有高光学质量的调Q开关晶体Cr^4 :YAG并对该晶体进行了退火研究。吸收光谱测量表明原生态晶体中已有少量Cr^4 离子存在。晶体经空气中退火后Cr^4 离子浓度和1.06μm处的吸收系数均显著提高，晶体生长和退火实验显示出晶体中Cr^4 离子的浓度不仅取决于掺杂的Cr^3 离子的浓度，而且同晶体中的Ca/Cr浓度比密切相关。
11.	新型Q开关晶体Cr4+∶YAG的生长和退火研究

	黄朝红肖敬忠秦青海王爱华殷绍唐《人工晶体学报》,2002年第31卷第4期
	采用二价Ca离子作为电荷补偿离子由提拉法生长出了具有高光学质量的调Q开关晶体Cr4+∶YAG并对该晶体进行了退火研究.吸收光谱测量表明原生态晶体中已有少量Cr4+离子存在.晶体经空气中退火后Cr4+离子浓度和1.06μm处的吸收系数均显著提高.晶体生长和退火实验显示出晶体中Cr4+离子的浓度不仅取决于掺杂的Cr3+离子的浓度,而且同晶体中的Ca/Cr浓度比密切相关.
12.	InSb中离子注入二次缺陷研究

	田人和卢武星李竹怀高愈尊《物理学报》,1992年第41卷第5期
	本文用平面的透射电子显微术(TEM)、剖面的透射电子显微术(XTEM)以及卢瑟福背散射和沟道谱(RBS),研究InSb中离于注入Zn⁺,Mg⁺,Be⁺产生的二次缺陷。以及它们的退火特性。结果表明,轻离子Be⁺注入产生的二次缺陷比重离子Zn⁺注入产生的要少得多,而Mg⁺离子介于Be⁺离子和Zn⁺离子之间,在中等剂量下(1×10¹³cm^-2附近),注入损伤并不严重,而且容易恢复。从360℃到440℃之间作了退火温度的研究。从研究结果发现,退火温度以360℃为佳。离子注入InSb中的二次缺陷的形貌与Si中的不同,InSb中的二次缺陷以位错网为主,位错环所占比例不大且尺寸较小,而沉淀物和层错四面体也出现在其中。
13.	空气中合成固溶体荧光粉Ba₂(Zn, Mg)Si₂O₇:Ce³⁺,Eu²⁺,Eu³⁺及其发光特性

	邓升智刘晨杨楚珺邱忠贤周文理张吉林余丽萍廉世勋《无机化学学报》,2013年第29卷第18期
	采用高温固相法在空气中合成了Ba_1.97-yZn_1-xMg_xSi₂O₇:0.03Eu,yCe³⁺系列荧光粉。分别采用X-射线衍射和荧光光谱对所合成荧光粉的物相和发光性质进行了表征。在紫外光330~360 nm激发下,固溶体荧光粉Ba_1.97-yZn_1-xMg_xSi₂O₇:0.03Eu的发射光谱在350~725 nm范围内呈现多谱峰发射,360和500 nm处有强的宽带发射属于Eu²⁺离子的4f⁶5d¹-4f⁷跃迁,590~725 nm红光区窄带谱源于Eu³⁺的⁵D₀-⁷F_J (J=1,2,3,4)跃迁,这表明,在空气气氛中,部分Eu³⁺在Ba_1.97-yZn_1-xMg_xSi₂O₇基质中被还原成了Eu²⁺;当x=0.1时,荧光粉Ba_1.97Zn_0.9Mg_0.1Si₂O₇:0.03Eu的绿色发光最强,表明Eu³⁺被还原成Eu²⁺离子的程度最大。当共掺入Ce³⁺离子后,形成Ba_1.97-yZn_0.9Mg_0.1Si₂O₇:0.03Eu,yCe³⁺荧光粉体系,其发光随着Ce³⁺离子浓度的增大由蓝绿区经白光区到达橙红区;发现名义组成为Ba_1.96Zn_0.9Mg_0.1Si₂O₇:0.01Ce³⁺,0.03Eu的荧光粉的色坐标为(0.323,0.311),接近理想白光,是一种有潜在应用价值的白光荧光粉。讨论了稀土离子在Ba₂Zn_0.9Mg_0.1Si₂O₇基质中的能量传递与发光机理。
14.	掺杂和取代对红色荧光材料SrAl₁₂O₁₉:Mn⁴⁺发光性能的影响

	辛小东魏恒伟赵文慧刘中仕李文先焦桓荆西平《无机化学学报》,2016年第32卷第7期
	SrAl₁₂O₁₉：Mn⁴⁺是一种用于高显色性白光发光二极管的候选红色荧光材料。本论文研究了Mg²⁺、Zn²⁺和Ge⁴⁺离子的掺杂效应以及Ga³⁺、Ca²⁺和Ba²⁺离子的取代效应对SrAl₁₂O₁₉：Mn⁴⁺荧光材料性能的影响。样品通过高温固相反应制备，焙烧温度在1 250~1 500 ℃之间。利用X射线衍射技术表征了材料的相纯度，用荧光激发光谱和发射光谱表征了材料的荧光性能。研究结果指出，与未进行Mg²⁺或Zn²⁺掺杂的样品相比，Mg²⁺或Zn²⁺离子对Al³⁺格位的掺杂可以使材料的发光强度提高~60%，其原因被认为是掺杂促进了激活剂Mn⁴⁺离子进入晶格，其过程可以表示为：MO+MnO₂⇔；M_Al^''+M_Al^·+3O_O^×（M=Mg，Zn），电子顺磁共振谱支持这一结果。Ge⁴⁺离子的掺杂使材料的发光性能明显下降。Ga³⁺离子可以取代Al³⁺离子形成全范围的固溶体，其中少量Ga³⁺离子的掺杂可以使材料的荧光发射强度提高~13%，而掺杂量进一步提高使材料的荧光性能下降。Ca²⁺和Ba²⁺对Sr²⁺的取代仅形成有限范围的固溶体。Ca²⁺的取代使材料的发光性能提高；而 Ba²⁺的取代使材料的发光强度下降。
15.	掺杂和取代对红色荧光材料SrAl₁₂O₁₉:Mn⁴⁺发光性能的影响

	辛小东魏恒伟赵文慧刘中仕李文先焦桓荆西平《无机化学学报》,2013年第29卷第18期
	SrAl₁₂O₁₉:Mn⁴⁺是一种用于高显色性白光发光二极管的候选红色荧光材料。本论文研究了Mg²⁺、Zn²⁺和Ge⁴⁺离子的掺杂效应以及Ge³⁺、Ca²⁺和Ba²⁺离子的取代效应SrAl₁₂O₁₉:Mn⁴⁺荧光材料性能的影响。样品通过高温固相反应制备,焙烧温度在1 250~ 1 500℃之间。利用X射线衍射技术表征了材料的相纯度,用荧光激发光谱和发射光谱表征了材料的荧光性能。研究结果指出,与未进行Mg²⁺或Zn²⁺掺杂的样品相比,Mg²⁺或Zn²⁺离子对Al³⁺格位的掺杂可以使材料的发光强度提高~60%,其原因被认为是掺杂促进了激活剂Mn⁴⁺离子进入晶格,其过程可以表示为:MO+MnO₂=M_Al''+Mn_Al^·+3O_O^×(M=Mg,Zn),电子顺磁共振谱支持这一结果。Ge⁴⁺离子的掺杂使材料的发光性能明显下降。Ge³⁺离子可以取代Al³⁺离子形成全范围的固溶体,其中少量Ge³⁺离子的掺杂可以使材料的荧光发射强度提高~13%,而掺杂量进一步提高使材料的荧光性能下降。Ca²⁺和Ba²⁺对Sr²⁺的取代仅形成有限范围的固溶体。Ca²⁺的取代使材料的发光性能提高;而 Ba²⁺的取代使材料的发光强度下降。
16.	V3+:YAG晶体的生长、色心与光谱性能研究

	苏良碧张丹李红军钱小波沈冏周国清徐军《物理学报》,2006年第55卷第11期
	采用石墨电阻加热的温梯法生长了V:YAG晶体,晶体的不同部位呈现两种不同的颜色:浅绿色和黄褐色.通过对比分析不同颜色V:YAG晶体的室温吸收光谱,推断出石墨发热体高温下扩散出来的C可以起到还原作用,提高晶体中V3+tetra离子的浓度,同时诱导了F心的形成.在1300℃下,对不同颜色的V:YAG晶体进行真空退火处理,发现处于八面体格位中的V3+离子在热激发作用下与近邻的四面体格位Al3+离子存在置换反应,由此产生一定浓度的四面体格位V3+离子.同时,F心在退火过程中被完全消除,释放出来的自由电子被高价态的V离子俘获,可以进一步提高晶体中四面体格位V3+离子的浓度.
17.	V~(3+)∶YAG晶体的生长、色心与光谱性能研究

	苏良碧张丹李红军钱小波沈冏周国清徐军《物理学报》,2006年第11期
	采用石墨电阻加热的温梯法生长了V∶YAG晶体,晶体的不同部位呈现两种不同的颜色:浅绿色和黄褐色.通过对比分析不同颜色V∶YAG晶体的室温吸收光谱,推断出石墨发热体高温下扩散出来的C可以起到还原作用,提高晶体中Vt3e+tra离子的浓度,同时诱导了F心的形成.在1300℃下,对不同颜色的V∶YAG晶体进行真空退火处理,发现处于八面体格位中的V3+离子在热激发作用下与近邻的四面体格位Al3+离子存在置换反应,由此产生一定浓度的四面体格位V3+离子.同时,F心在退火过程中被完全消除,释放出来的自由电子被高价态的V离子俘获,可以进一步提高晶体中四面体格位V3+离子的浓度.
18.	红宝石Cr³⁺:Al₂O₃的电子云延伸效应及压力对电子云延伸效应影响(英文)

	欧阳楚英雷敏生《光子学报》,2001年第30卷第10期
	本文以Cr³⁺自由离子的3d电子径向波函数为基础,对Cr³⁺:Al₂O₃中的电子云延伸效应进行了理论研究,引入了电子云延伸效应系数κ,得到了Cr³⁺:Al₂O₃中Cr³⁺离子的最优化3d电子径向波函数.并研究了压力对电子云延伸效应系数κ的影响.
19.	异戊二烯解离光电离理论研究

	马乔黄明强刘宪云盖艳波林晓晓阳成强盛六四单晓斌张为俊《化学物理学报》,2017年第30卷第1期
	利用CBS-QB3理论计算方法研究了异戊二烯的可能解离通道.获得了主要碎片离子C₅H₇⁺,C₅H₅⁺,C₄H₅⁺,C₃H₆⁺,C₃H₅⁺,C₃H₄⁺,C₃H₃⁺的C₂H₃⁺的结构以及这些解离通道的解离能，并给出了相应的过渡态和中间体的结构和位垒.得到的异戊二烯电离势及主要碎片离子的出现势均与实验值符合的较好.最后，通过理论和实验结果的对比讨论了各通道的解离机理.
20.	SrMoO₄:Sm³⁺,Na⁺红色荧光粉的形貌调控和发光性能

	吴锦绣李梅崔松松柳召刚胡艳宏王觅堂《无机化学学报》,2017年第33卷第2期
	以Sm³⁺为激活剂，Na⁺为电荷补偿剂，柠檬酸为配位剂，乙二醇作为辅助配位剂，采用溶胶-凝胶法合成前驱体，然后在800℃下焙烧，成功制备了一系列SrMoO₄：Sm³⁺，Na⁺红色荧光粉。用X射线衍射仪、扫描电镜、荧光光谱和傅里叶变换红外光谱等手段对样品的物相、形貌、组成、发光性能和量子效率等进行测试和表征。分析结果表明：制备的SrMoO₄：Sm³⁺，Na⁺荧光粉均为四方晶系结构，掺杂离子的加入对基质晶体结构影响不大。在403 nm近紫外光激发下，产物有4个发射峰，分别位于563、600、647和707 nm处，归属于⁵G_5/2→⁶H_J（J=5/2，7/2，9/2，11/2）的电子跃迁，其中位于647 nm处的主发射峰的相对发光强度最大。当Sm³⁺的掺杂物质的量分数为1%~3%时，发光强度最好，当浓度超过1%~3%时，会发生荧光猝灭。对实验数据进行分析，确定荧光猝灭机理是由于钐离子间交换作用引起的，并计算了能量传递的临界距离为1.77~2.56 nm。此外，还详细研究了乙二醇对SrMoO₄：Sm³⁺，Na⁺荧光粉形貌的影响，研究结果表明：乙二醇加入量为5 mL时，产物形貌均匀，呈球形或椭球形；且分散性较好；荧光强度最大。

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