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共有20条相似文献,以下是第1-20项 搜索用时 171 毫秒

1.  V3+∶YAG晶体的生长、色心与光谱性能研究  
   苏良碧  张 丹  李红军  钱小波  沈 冏  周国清  徐 军《物理学报》,2006年第55卷第11期
   采用石墨电阻加热的温梯法生长了V∶YAG晶体,晶体的不同部位呈现两种不同的颜色:浅绿色和黄褐色.通过对比分析不同颜色V∶YAG晶体的室温吸收光谱,推断出石墨发热体高温下扩散出来的C可以起到还原作用,提高晶体中V3+tetra离子的浓度,同时诱导了F心的形成.在1300℃下,对不同颜色的V∶YAG晶体进行真空退火处理,发现处于八面体格位中的V3+离子在热激发作用下与近邻的四面体格位Al3+离子存在置换反应,由此产生一定浓度的四面体格位V3+离子.同时,F心在退火过程中被完全消除,释放出来的自由电子被高价态的V离子俘获,可以进一步提高晶体中四面体格位V3+离子的浓度.    

2.  Cr4+在八面体格位中的光谱特性研究  
   张 丹  苏良碧  徐 军  杨秋红  张连翰  李红军《物理学报》,2006年第55卷第6期
   采用提拉法生长了Cr单掺和Cr,Mg共掺Al2O3晶体,后者具有900—1600nm的宽带吸收.研究了该吸收带在不同气氛、不同温度退火下的变化规律.通过建立合理的晶格缺陷模型,成功地解释了所有的实验结果,并确定Cr,Mg共掺Al2O3晶体红外波段宽吸收带属于八面体格位中的Cr4+离子.    

3.  (CrO4)络离子中Cr-O距离的研究  
   祝生祥  杨宝成  林远齐  潘佩聪  祝继康《物理学报》,1992年第41卷第8期
   通过MS-Xα方法的计算详细地讨论当Cr—O距离变化时(CrO4)络离子的电子结构和能级分布。给出铬离子三种不同价态(Cr2+,Cr3+,Cr4+)的单电子轨道能量、电荷分布、基态电子组态、低激发态的光学跃迁,以及能级示意图。当配位体与中心离子的距离R≤2?时,用晶场理论得出的结果不能令人满意。这时必须考虑配位体与中心离子距离的影响,以及中心离子(对于过渡族金属离子而言)的4s或4p原子轨道的作用。    

4.  Cr3+:Al2O3透明多晶陶瓷光谱特性分析  被引次数:4
   曾智江  杨秋红  徐 军《物理学报》,2005年第54卷第11期
   对透光性良好的Cr3+:Al2O3透明多晶陶瓷的光谱性能 进行了研究,其吸收光谱中吸收峰与单晶红宝石相一致,按吸收光谱和Tanabe-Sugano能级 图,算出其晶场强度参数Dq及Racah参数B分别为1792cm-1, 689cm -1,Dq/B=2.6,陶瓷中Cr3+离子所处格位的晶体场强 比单晶弱一些,但Cr3+:Al2O3透明陶瓷仍属于强场晶 体材料;当Cr3+掺杂浓度到达0.8wt%时,陶瓷的发射谱仍保持较好的R线发射 ;随Cr3+掺杂浓度的增大,激发峰位发生“红移”.在Cr3+:Al2O3透明多晶陶瓷的荧光谱上,发现一个波长为670nm的发射峰,经激发 谱确认为Cr3+的发射峰.    

5.  ZnS:Cr2+晶体中Cr2+杂质离子的EPR参量及其占位  
   吴平锋 周康巍 赵尚勃 王慧素《中国科学A辑》,1993年第36卷第10期
   本文基于 ZnS:Cr2+晶体中 Cr2+杂质离子处于八面体有效晶场(D2d畸变)理论模型,通过考虑对基态有较大影响的所有低自旋态的贡献后,建立了一组维数较大曲 d4(D2d*)不可约表示强场能量矩阵.利用矩阵的特征值、特征矢量以及相应的EPR 参量理论公式,对 ZnS:Cr2+晶体的精细光谱、基态 ZFS,EPR 参量(g,g,D,E,F,α)、基态 Zeeman 能级以及 EPR 条件(B,v)进行了系统的理论分析与计算.结果与实验值符合很好.从而确立了 ZnS:Cr2+晶体中 Cr2+杂质离子的环境晶场系 D2d畸变八面体结构.ZnS:Cr2+晶体的光、磁性质与 Cr2+杂质离子的八面体晶场结构特征密切相关.    

6.  六配位中铬离子不同价态的MS-Xα计算  
   祝生祥  杨宝成  林远齐  沈仲钧  郑一善  祝继康《物理学报》,1992年第41卷第3期
   本文采用自旋极化的MS-Xα方法,以铬离子与氧六配位形成的(CrO6)铬离子为模型,计算铬离子三种价态(Cr2+,Cr3+,Cr4+的电子结构,在D4k群下给出单电子轨道本征值和本征函数、能级分布和光学跃迁,对计算结果作了详细的讨论。    

7.  BeAl2O4:Cr3+的晶场能级  
   吴光照  张秀荣《物理学报》,1983年第32卷第1期
   金绿宝石中镜对称格位上Cr3+(Ⅱ)离子的4T2,4T12E能级与该材料的激光运转有关。4T24T1能级各分裂成三个子能级。为从偏振吸收谱上确定BeAl2O4:Cr3+的能级图,本文计算了4T24T1的分裂,找到了对谱方法,得到了表征能级分裂的参量K1和K2的值。最后给出了以低点群不可约表示标号的、BeAl2O4:Cr3+(Ⅱ)的晶场能级图。    

8.  Cr^4+离子在晶格中的结构稳定性  被引次数:4
   徐军 邓佩珍《人工晶体学报》,1996年第25卷第3期
   本文着重从以下三个方面系统论述Cr^4+离子在Y3Al5O12晶格中的稳定性:二介补偿离子的选择;生长气氛的影响;以及Cr^4+离子的退火效应和形成动力学。分析结果表明,Ca^2+离子是最佳补偿离子,氧化气氛的退火温度应高于1000K;而Cr^4+离子在Y3Al5O12晶格中的稳定性与生长气氛无关。    

9.  Cr4+在Al2O3多晶体中的光谱性能研究  
   杨秋红  曾智江  徐 军  丁 君  苏良碧《物理学报》,2006年第55卷第8期
   采用传统无压烧结工艺制备Cr:Al2O3透明多晶陶瓷.测定了其退火前后的吸收光谱和荧光光谱,发现在Al2O3六配位的八面体结构中,Cr4+的荧光发射也处在1100—1600nm波段的红外区间,荧光发射峰位于1223nm附近,类似Cr4+在四面体中的发光行为.同时由于氧化铝晶格常数较小,晶体场强较强,使Cr4+:Al2O3<    

10.  新型Q开关晶体Cr^4+:YAG的生长和退火研究  
   黄朝红 肖敬忠 等《人工晶体学报》,2002年第31卷第4期
   采用二阶Ca离子作为电荷补偿离子由提拉法生长出了具有高光学质量的调Q开关晶体Cr^4 :YAG并对该晶体进行了退火研究。吸收光谱测量表明原生态晶体中已有少量Cr^4 离子存在。晶体经空气中退火后Cr^4 离子浓度和1.06μm处的吸收系数均显著提高,晶体生长和退火实验显示出晶体中Cr^4 离子的浓度不仅取决于掺杂的Cr^3 离子的浓度,而且同晶体中的Ca/Cr浓度比密切相关。    

11.  新型Q开关晶体Cr4+∶YAG的生长和退火研究  
   黄朝红  肖敬忠  秦青海  王爱华  殷绍唐《人工晶体学报》,2002年第31卷第4期
   采用二价Ca离子作为电荷补偿离子由提拉法生长出了具有高光学质量的调Q开关晶体Cr4+∶YAG并对该晶体进行了退火研究.吸收光谱测量表明原生态晶体中已有少量Cr4+离子存在.晶体经空气中退火后Cr4+离子浓度和1.06μm处的吸收系数均显著提高.晶体生长和退火实验显示出晶体中Cr4+离子的浓度不仅取决于掺杂的Cr3+离子的浓度,而且同晶体中的Ca/Cr浓度比密切相关.    

12.  InSb中离子注入二次缺陷研究  
   田人和  卢武星  李竹怀  高愈尊《物理学报》,1992年第41卷第5期
   本文用平面的透射电子显微术(TEM)、剖面的透射电子显微术(XTEM)以及卢瑟福背散射和沟道谱(RBS),研究InSb中离于注入Zn+,Mg+,Be+产生的二次缺陷。以及它们的退火特性。结果表明,轻离子Be+注入产生的二次缺陷比重离子Zn+注入产生的要少得多,而Mg+离子介于Be+离子和Zn+离子之间,在中等剂量下(1×1013cm-2附近),注入损伤并不严重,而且容易恢复。从360℃到440℃之间作了退火温度的研究。从研究结果发现,退火温度以360℃为佳。离子注入InSb中的二次缺陷的形貌与Si中的不同,InSb中的二次缺陷以位错网为主,位错环所占比例不大且尺寸较小,而沉淀物和层错四面体也出现在其中。    

13.  空气中合成固溶体荧光粉Ba2(Zn, Mg)Si2O7:Ce3+,Eu2+,Eu3+及其发光特性  
   邓升智  刘晨  杨楚珺  邱忠贤  周文理  张吉林  余丽萍  廉世勋《无机化学学报》,2013年第29卷第18期
   采用高温固相法在空气中合成了Ba1.97-yZn1-xMgxSi2O7:0.03Eu,yCe3+系列荧光粉。分别采用X-射线衍射和荧光光谱对所合成荧光粉的物相和发光性质进行了表征。在紫外光330~360 nm激发下,固溶体荧光粉Ba1.97-yZn1-xMgxSi2O7:0.03Eu的发射光谱在350~725 nm范围内呈现多谱峰发射,360和500 nm处有强的宽带发射属于Eu2+离子的4f65d1-4f7跃迁,590~725 nm红光区窄带谱源于Eu3+5D0-7FJ (J=1,2,3,4)跃迁,这表明,在空气气氛中,部分Eu3+在Ba1.97-yZn1-xMgxSi2O7基质中被还原成了Eu2+;当x=0.1时,荧光粉Ba1.97Zn0.9Mg0.1Si2O7:0.03Eu的绿色发光最强,表明Eu3+被还原成Eu2+离子的程度最大。当共掺入Ce3+离子后,形成Ba1.97-yZn0.9Mg0.1Si2O7:0.03Eu,yCe3+荧光粉体系,其发光随着Ce3+离子浓度的增大由蓝绿区经白光区到达橙红区;发现名义组成为Ba1.96Zn0.9Mg0.1Si2O7:0.01Ce3+,0.03Eu的荧光粉的色坐标为(0.323,0.311),接近理想白光,是一种有潜在应用价值的白光荧光粉。讨论了稀土离子在Ba2Zn0.9Mg0.1Si2O7基质中的能量传递与发光机理。    

14.  掺杂和取代对红色荧光材料SrAl12O19:Mn4+发光性能的影响  
   辛小东  魏恒伟  赵文慧  刘中仕  李文先  焦桓  荆西平《无机化学学报》,2016年第32卷第7期
   SrAl12O19:Mn4+是一种用于高显色性白光发光二极管的候选红色荧光材料。本论文研究了Mg2+、Zn2+和Ge4+离子的掺杂效应以及Ga3+、Ca2+和Ba2+离子的取代效应对SrAl12O19:Mn4+荧光材料性能的影响。样品通过高温固相反应制备,焙烧温度在1 250~1 500 ℃之间。利用X射线衍射技术表征了材料的相纯度,用荧光激发光谱和发射光谱表征了材料的荧光性能。研究结果指出,与未进行Mg2+或Zn2+掺杂的样品相比,Mg2+或Zn2+离子对Al3+格位的掺杂可以使材料的发光强度提高~60%,其原因被认为是掺杂促进了激活剂Mn4+离子进入晶格,其过程可以表示为:MO+MnO2⇔;MAl''+MAl·+3OO×(M=Mg,Zn),电子顺磁共振谱支持这一结果。Ge4+离子的掺杂使材料的发光性能明显下降。Ga3+离子可以取代Al3+离子形成全范围的固溶体,其中少量Ga3+离子的掺杂可以使材料的荧光发射强度提高~13%,而掺杂量进一步提高使材料的荧光性能下降。Ca2+和Ba2+对Sr2+的取代仅形成有限范围的固溶体。Ca2+的取代使材料的发光性能提高;而 Ba2+的取代使材料的发光强度下降。    

15.  掺杂和取代对红色荧光材料SrAl12O19:Mn4+发光性能的影响  
   辛小东  魏恒伟  赵文慧  刘中仕  李文先  焦桓  荆西平《无机化学学报》,2013年第29卷第18期
   SrAl12O19:Mn4+是一种用于高显色性白光发光二极管的候选红色荧光材料。本论文研究了Mg2+、Zn2+和Ge4+离子的掺杂效应以及Ge3+、Ca2+和Ba2+离子的取代效应SrAl12O19:Mn4+荧光材料性能的影响。样品通过高温固相反应制备,焙烧温度在1 250~ 1 500℃之间。利用X射线衍射技术表征了材料的相纯度,用荧光激发光谱和发射光谱表征了材料的荧光性能。研究结果指出,与未进行Mg2+或Zn2+掺杂的样品相比,Mg2+或Zn2+离子对Al3+格位的掺杂可以使材料的发光强度提高~60%,其原因被认为是掺杂促进了激活剂Mn4+离子进入晶格,其过程可以表示为:MO+MnO2=MAl''+MnAl·+3OO×(M=Mg,Zn),电子顺磁共振谱支持这一结果。Ge4+离子的掺杂使材料的发光性能明显下降。Ge3+离子可以取代Al3+离子形成全范围的固溶体,其中少量Ge3+离子的掺杂可以使材料的荧光发射强度提高~13%,而掺杂量进一步提高使材料的荧光性能下降。Ca2+和Ba2+对Sr2+的取代仅形成有限范围的固溶体。Ca2+的取代使材料的发光性能提高;而 Ba2+的取代使材料的发光强度下降。    

16.  V3+:YAG晶体的生长、色心与光谱性能研究  
   苏良碧  张丹  李红军  钱小波  沈冏  周国清  徐军《物理学报》,2006年第55卷第11期
   采用石墨电阻加热的温梯法生长了V:YAG晶体,晶体的不同部位呈现两种不同的颜色:浅绿色和黄褐色.通过对比分析不同颜色V:YAG晶体的室温吸收光谱,推断出石墨发热体高温下扩散出来的C可以起到还原作用,提高晶体中V3+tetra离子的浓度,同时诱导了F心的形成.在1300℃下,对不同颜色的V:YAG晶体进行真空退火处理,发现处于八面体格位中的V3+离子在热激发作用下与近邻的四面体格位Al3+离子存在置换反应,由此产生一定浓度的四面体格位V3+离子.同时,F心在退火过程中被完全消除,释放出来的自由电子被高价态的V离子俘获,可以进一步提高晶体中四面体格位V3+离子的浓度.    

17.  V~(3+)∶YAG晶体的生长、色心与光谱性能研究  
   苏良碧  张丹  李红军  钱小波  沈冏  周国清  徐军《物理学报》,2006年第11期
   采用石墨电阻加热的温梯法生长了V∶YAG晶体,晶体的不同部位呈现两种不同的颜色:浅绿色和黄褐色.通过对比分析不同颜色V∶YAG晶体的室温吸收光谱,推断出石墨发热体高温下扩散出来的C可以起到还原作用,提高晶体中Vt3e+tra离子的浓度,同时诱导了F心的形成.在1300℃下,对不同颜色的V∶YAG晶体进行真空退火处理,发现处于八面体格位中的V3+离子在热激发作用下与近邻的四面体格位Al3+离子存在置换反应,由此产生一定浓度的四面体格位V3+离子.同时,F心在退火过程中被完全消除,释放出来的自由电子被高价态的V离子俘获,可以进一步提高晶体中四面体格位V3+离子的浓度.    

18.  红宝石Cr3+:Al2O3的电子云延伸效应及压力对电子云延伸效应影响(英文)  
   欧阳楚英 雷敏生《光子学报》,2001年第30卷第10期
   本文以Cr3+自由离子的3d电子径向波函数为基础,对Cr3+:Al2O3中的电子云延伸效应进行了理论研究,引入了电子云延伸效应系数κ,得到了Cr3+:Al2O3中Cr3+离子的最优化3d电子径向波函数.并研究了压力对电子云延伸效应系数κ的影响.    

19.  异戊二烯解离光电离理论研究  
   马乔  黄明强  刘宪云  盖艳波  林晓晓  阳成强  盛六四  单晓斌  张为俊《化学物理学报》,2017年第30卷第1期
   利用CBS-QB3理论计算方法研究了异戊二烯的可能解离通道.获得了主要碎片离子C5H7+,C5H5+,C4H5+,C3H6+,C3H5+,C3H4+,C3H3+的C2H3+的结构以及这些解离通道的解离能,并给出了相应的过渡态和中间体的结构和位垒.得到的异戊二烯电离势及主要碎片离子的出现势均与实验值符合的较好.最后,通过理论和实验结果的对比讨论了各通道的解离机理.    

20.  SrMoO4:Sm3+,Na+红色荧光粉的形貌调控和发光性能  
   吴锦绣  李梅  崔松松  柳召刚  胡艳宏  王觅堂《无机化学学报》,2017年第33卷第2期
   以Sm3+为激活剂,Na+为电荷补偿剂,柠檬酸为配位剂,乙二醇作为辅助配位剂,采用溶胶-凝胶法合成前驱体,然后在800℃下焙烧,成功制备了一系列SrMoO4:Sm3+,Na+红色荧光粉。用X射线衍射仪、扫描电镜、荧光光谱和傅里叶变换红外光谱等手段对样品的物相、形貌、组成、发光性能和量子效率等进行测试和表征。分析结果表明:制备的SrMoO4:Sm3+,Na+荧光粉均为四方晶系结构,掺杂离子的加入对基质晶体结构影响不大。在403 nm近紫外光激发下,产物有4个发射峰,分别位于563、600、647和707 nm处,归属于5G5/26HJJ=5/2,7/2,9/2,11/2)的电子跃迁,其中位于647 nm处的主发射峰的相对发光强度最大。当Sm3+的掺杂物质的量分数为1%~3%时,发光强度最好,当浓度超过1%~3%时,会发生荧光猝灭。对实验数据进行分析,确定荧光猝灭机理是由于钐离子间交换作用引起的,并计算了能量传递的临界距离为1.77~2.56 nm。此外,还详细研究了乙二醇对SrMoO4:Sm3+,Na+荧光粉形貌的影响,研究结果表明:乙二醇加入量为5 mL时,产物形貌均匀,呈球形或椭球形;且分散性较好;荧光强度最大。    

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