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相似文献
 共查询到10条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
应用改进的格点哈密顿量和保持连续极限的耦合集团展开方法计算了2+1维SU(3)0+和0胶球的质量.计算到三级近似,标度行为已经很好.与未改进的格点哈密顿量作的同样近似比较,改进的结果较快地进入标度区,而且标度性也较好.  相似文献   

2.
郑希特  陈洪  卢昭  何原 《中国物理 C》1995,19(2):137-142
对格点上基础表示的定模Higgs场与SU(2)规范场耦合系统的相图进行解析计算至累积展开的第四级,用扫瞄确定变分参数的方法,得到与Monte Carlo模拟很好符合的相图.计算了N_τ=1的有限温度情形下SU(2)-Higgs系统和纯SU(2)模型的Polyakov线,对后者得到迄今最佳的近似解析结果βc.  相似文献   

3.
张鑫  潘峰 《中国物理 C》2002,26(12):1228-1237
利用无穷维李代数方法得到了相互作用sl玻色子体系在U(2l+1)→O(2l+2)过渡区的能谱和波函数的严格解. 给出了该系统Bethe假定方程的数值解法.  相似文献   

4.
质子-中子相互作用玻色子模型(简称IBM-2)具有很好的壳模型微观基础,是描述中重质量偶偶核结构的标准模型之一。对比早期建立在弱耦合U(5)基底的NPBOS算法,本文介绍基于弱耦合SU(3)基底求解IBM-2模型哈密顿量的新算法结构,通过举例典型相互作用项在SU(3)基底下矩阵元说明如何利用SU(3)群代数技术求解IBM-2哈密顿量,并应用该算法求解常Q形式哈密顿量来拟合过渡区核素152, 154Sm低激发实验数据,提供了一个展示SU(3)算法可靠性和利用IBM-2描述过渡区核素的应用实例。  相似文献   

5.
We theoretically evaluate the decay rates of a scalar glueball up to the order O(αs), where only two Feynman diagrams contribute and a special attention is paid on possible flavour SU(3) symmetry breaking in the process. It is concluded that the SU(3) flavour symmetry may be respected in any case. However, due to chiral suppression in Go →qq, F(Go →qq qq) very likely is larger than F(Go→qq). These results are supported by the experimental data on the decays of xco(1P) (0^++). Based on this result, we propose a criterion to identify the scalar glueball.  相似文献   

6.
本文通过对 [Fe3 O(Ala) 6(H2 O) 3 ](Cl O4) 7和 [Fe3 O(Gly) 6(H2 O) 3 ](NO3 ) 7· 3H2 O的 ESR谱的解析及变温磁化率的研究 ,得出它们的 ESR谱具有各向同性的特点 ;朗德因子分别为 2 .0 19和 1.997;两种配合物中铁离子间有反铁磁相互作用  相似文献   

7.
本文提出以四 (4 -甲氧基 - 4 -磺酸基苯基 )卟啉 (p- OCH3TPPS4 )为显色剂 ,在 p H=3.5— 5 .5的条件下测定痕量铁的新体系 ,络合物最大吸收波长为 4 4 6nm,表观摩尔吸收系数ε=2 .0× 10 4 L· mol-1· cm-1,Fe3+ 在 0— 10 μg/ 2 5 m L 范围内符合比耳定律 ,应用本法测定花生仁皮中铁 ,回收率可达 95 .0 %—10 8.4 %  相似文献   

8.
采用氨水、双氧水和磷酸氢二铵溶液作沉淀剂,通过共沉淀法制备出Y(P,V)O4∶Tm3+荧光粉,利用XRD、SEM、紫外以及真空紫外激发下的发射光谱对其进行研究。结果表明:共沉淀法制备的Y(P,V)O4∶Tm3+荧光粉的颗粒形貌好,在147nm真空紫外光和254nm紫外光激发下,荧光粉发射主峰位于476nm,色坐标范围为: 0. 167≤x≤0. 200; 0. 146≤y≤0. 183。从这些结果来看,Y(P,V)O4∶Tm3+体系还不能满足实际应用的要求,仍需进一步的深入研究以改善其性能。  相似文献   

9.
曾伦武 《大学物理》2007,26(4):12-15
推导了Goos-H(a)nchen位移的表达式,讨论了光线从双正介质(电容率ε>0,磁导率μ>0)或双负介质(ε<0,μ<0)中入射到双正介质、双负介质或单负介质(ε>0,μ<0或ε<0,μ>0)界面的Goos-H(a)nchen效应.  相似文献   

10.
根据现有的关于(ΩΩ)0+的生成截面的理论计算, 利用HIJING事例产生器研究 了s nn=200GeV下Au-Au中心碰撞中(ΩΩ)0+和NΩ022产生过程, 分别对(ΩΩ)0+的电磁作用产生过程和两步产生过程中的第一步过程进行了(ΩΩ)0+产率的计算, 给出了(ΩΩ)0+产额的上限. 对于电磁作用过程, 其产率为(1.097±0.293)×10-10. 同时我们也对(NΩ)022进行了初步的模拟, 初步给出了它的产率为(0.894±0.005)×10-4.  相似文献   

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