中国半导体材料科学的开拓者--林兰英

1　求学生涯林兰英院士照片林兰英 1 91 8年 2月 7日出生在福建莆田的一个工商业者家庭 .莆田一带地少人多 ,素有“地瘦载松柏 ,家贫子读书”的遗风 .虽然当地念书风气甚浓 ,科举人才辈出 ,但与女子无缘 .林兰英自幼性格倔强 ,当她懂得两个姐姐被遗弃送人的根由之后 ,对封建社会重男轻女的罪恶有所领悟 ,下定决心要上学、要读书 .为此 ,她和长辈们进行了坚决的抗争 .她不屈不挠的精神换来了求学的机会 ,6岁的小兰英终于上了小学 .1 930年 ,林兰英在砺青小学毕业 ,但母亲坚决反对她继续升学 ,要她跟堂姐、堂妹那样 ,在家绱鞋挣钱 .当时莆田私…     

ZnSe单晶质量对其高密度激发发光的影响

用经多次提纯ZnSe原料生长的ZnSe单晶在77K和高密度光激发下观测到了激子-激子(Ex-Ex)散射的P带,随激发密度增加,P带强度增加较快。而在通常的原生ZnSe单晶中只能观测到一个与激子-载流子(Ex-e)散射的Es''带,观测不到P带。经熔融锌中热处理的ZnSe单晶,在上述激发条件下,也观测到了P带。而且此带强度随热处理时间增加而增强。实验表明,P带的产生不仅与激发密度和温度有关,而且还与单晶质量有关。     

Large-Quantity Synthesis of Single-Crystalline Metal Indium Nano/Sub-Micron Wires

Large quantities of metal indium single-crystalline wires with diameters ranging from tens of nanometres to a few micrometres were synthesized on Si substrates. Unlike traditional methods for the fabrication of nanowires or nanorods, liquid indium was squeezed out of the pores and cracks from porous an InAlN layer to form the wires. Continuous pushing out of liquid metal indium under strength, lowering of liquid-solid interfaces and the confinement of the cracks all contribute to the growth of indium wires. Our experiments have shed some light on the possibility of synthesizing large quantities quasi-1D nano/sub-micron structures with specified cross-sectional geometry using the similar method.     

Bi2212超导单晶中的一级融化相变的研究

在干净的Ｂｉ２２１２超导单晶样品中,使用四引线法进行输动性质的研究（电流方向沿ＣｕＯ２层）,发现当外磁场（⊥ａｂ面）小于０．０９Ｔ时电阻在正常态电阻的１‰时发生突变,电阻陡降了２到３个量级,对应着一级融化的发生;当外磁场超过临界点（ＣＰ）时,电阻随温度的变化曲线出现展宽,磁通液体到磁通固态的相变为二级相变。我们认为临界点（ＣＰ）是晶体中缺陷的函数,缺陷驱动Ｂｉ２２１２超导单晶的相变由一级向二级转变     

Bi2Sr2CaCu2O8＋Y单晶生长机制及缺陷的观察

在采用熔体生长加电极方法生长 Bi_2Sr_2CaCuO_(8+δ)单晶的基础上,利用 X 光衍射、扫描电镜和透射电镜等手段对 Bi_2Sr_2CaCu_2O_(8+y) 单晶进行了结构观察。结果表明:Bi 系2212相单晶属螺旋位错生长机制;观察到在晶体中除存在着大量位错外,还存在微裂缝;往往以一种迭层形态存在,中间夹在少量杂质,对其晶体生长机制及缺陷形成的原因进行了讨论。     

Bi2Sr2CaCu2Oy超导单晶的研究进展

近两年来对氧化物高临界温度超导体的研究巳取得了很大的进展．本文总结了Ｂｉ２Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏｙ超导单晶的研究成果，从若干方面对这种单晶材料的性质作了全面的阐述，例如电子结构、磁性质、输运性质、二维涨落性质等；对一些关键性的实验作了深入的讨论，并指出了一些还需要进一步研究的问题．     

MOCVD生长GaN:Si单晶膜的研究

获得高质量的ｎ型ＧａＮ单晶膜是制作ＧａＮ基光电子器件的关键之一。采用立式ＭＯＣＶＤ系统生长ＧａＮ：Ｓｉ单晶膜,通过优化生长工艺,获得了电子载流于浓度高达２ ×１０１９ｃｍ－３,迁移率达１２０ｃｍ２／Ｖ·ｓ的ｎ型ＧａＮ：Ｓｉ单晶膜;并有效地抑制了ＧａＮ中由深能级引起的黄带发射,大大提高带边发光强度。研究结果还表明：随着Ｓ掺杂量的增大,ＧａＮ：Ｓｉ单晶膜的电子载流于浓度增加,迁移率下降,Ｘ光双晶衍射峰半高宽增大。首次报道了随掺Ｓ量增大,ＧａＮ：Ｓｉ单晶膜的生长速率显著下降的现象。     

用粉末衍射仪观察高温超导单晶微结构的方法与特点

从正格子与倒格子的关系出发，详细地讨论了正交空间的布拉格反射与倒易空间劳厄方程的等价关系，并清晰地给出了两个空间中它们相互统一的物理图象，分析了用粉末衍射仪观察高温超导单晶结构的多级衍射、摇摆曲线、β扫描所反应的结构信息，并着重讨论了用来观察超导结构单昌调制结构的摇摆曲线在倒易空间的反映，指出调制峰的形状、强弱、反映的倒易空间中倒格点的拉长效应。     

Bi-Sr-Ca-Cu-O2212相超导单晶的定向生长

用定向凝固法已成功地生长出Bi-Sr-Ca-O2212相的超导大单晶,最大的单晶尺寸达到19×3×2mm³。定向生长的单晶(001)面平行于生长方向,[100]方向为单晶的定向生长方向。劳厄像表明大晶体确为单晶,其质量比其它方法生长的单晶要高。氧气中退火后的单晶电阻测量和交流磁化率测量表明,零电阻温度T_c(0)=81.5k。 关键词：     

Study on the in—plane electrical resistivity and thermoelectric power in single crystals of La2—xBaxCuO4

The in-plane electrical resistivity and thermoelectric power have been measured on single crystals of La_2-xBa_xCuO₄ at around x=0.125. The room temperature resistivity and thermopower have their maximum values at x=0.125, indicating that the carrier concentration is the minimum and the carriers are most strongly localized at x=0.125. The observed semiconductor-like behaviour can be well described by the weak-localized quasi-two-dimensional state. The steep rise in electric resistivity of the sample at x=0.125 below 70K is attributed to the formation of static stripe-order of holes and spins, which are pinned by the low-temperature tetragonal (LTT) structure, as discovered in La_1.48Nd_0.4Sr_0.12CuO₄. The temperature dependence of electric resistivity below 70K is still well described by the formula ρ∝ lnT. A definite change in the slope of thermopower is observed at the low-temperature orthorhombic-LTT structural phase transition temperature. The origin of the 1/8 anomaly is discussed in the text.     

Bi2Sr2CaCu2Ox单晶的磁性质研究

测量了单晶 Bi_2Sr_2CaCu_2O_x 的磁化强度随磁场和温度的关系.发现样品除在 TT_c 还有较弱的抗磁性:|X_n|～10~(-7)cm~3/g.|X_n|随温降低或外场增加而增加,在外场平行于 b 和 c 轴时 X_n 也是不同的:测量前用纯 N_z 气处理过的样品或在纯He 气中长时间测量过的样品 T_c 较高,转变较剧烈,且后一种情况下 T_c 是随测量时间增加而增高的.所以认为 Bi 系高温超导体的 T_c 与样品的氧含量有关.初步讨论了上述性质的机制.     

光纤激光器

分别论述稀土掺杂光纤激光器、单晶光纤激光器、塑料光纤激光器、非线性光纤激光器，并展望了光纤激光器的未来。     

TS单晶非公度相变的研究

测量了 TS 单晶从77～300K 的介电常数和热膨胀系数,结果表明 TS 在发生非公度相变时介电常数和热膨胀系数均有反常,说明在相变过程中不仅侧链极性基团的取向发生变化,同时还存在原子的位移.     

单晶光纤及其在激光技术中的应用

阐述了单晶光纤的性质，生长方法及其在晶纤激光器，非线光学，光纤传感器等方面的应用，介绍了国内外发展概况。     

Bi2Sr2CaCu2Oy单晶在强磁场下的交流磁化率研究

本文研究了 Bi_2Sr_2CaCu_2O_y,单晶在磁场 H 垂直于 c 轴情况下的交流磁化率,得到了交流磁化率虚部峰温度 T_p 和外加直流磁场 H_(DC)的关系为:(1-T_P/T_c)∝H_(DC)~(0.2).本文还对不可逆线进行了讨论,并和用其他方法测量的不可逆线作了比较.     

Magnetic Pair-Breaking in Y1-xHoxNi2B2C （x = 0, 0.25, 0.5, 0.75） Single Crystals

Temperature-dependent resistivity and magnetic susceptibility were studied for quaternary borocarbide intermetallic compounds Y1-xHoxNi2B2C （x = 0, 0.25, 0.5, 0. 75）, which show coexistence of superconductivity with magnetism. In a normal state, the compounds exhibit conventional metallic behaviour. The Debye temperature θD is derived by fitting the temperature dependence of resistivity to the Bloch-Gruneisen expression, i.e. θD scales with M^-0.5 （M is the averaged atomic mass on the Y^3＋ site）, which means that the acoustic mode of the lattice vibrating spectrum is influenced by the Y^3＋ site atoms. Fitting the temperature-dependent magnetic susceptibility above TN to the Curie-Weiss law, effective magnetic moment μeff is deduced, and then de Gennes factor dG is calculated. It is found that as Ho content increases, μeff as well as dG increases and Tc decreases. Moreover, the decrease of Tc scales with dG, i.e., △Te ∝ -nI^2 N （EF ）dG, which is consistent with the prediction of the Abrikosov-Gor＇kov theory. We suggest that pair-breaking effect of magnetic Ho^3＋ ions. The significant impact on To. the depression of Tc could be mainly ascribed to the magnetic change of Debye temperature with Ho content may not have significant impact on Tc.     

高纯CdS单晶生长及光学性质

本文报道用物理蒸气输运(PVT)法,通过对原料的提纯和控制组分蒸气压生长出高纯CdS单晶.叙述了控制晶体化学比的方法并通过比较CdS的激子光谱以评价材料的纯度.     

用MOCVD技术在Al2O3衬底上外延GaN的光致发光研究

本文通过变温和变激发强度的光致发光研究了用ＭＯＣＶＤ在Ａｌ２Ｏ３上生长ＧａＮ单晶薄膜的带边发射，通过分峰拟合得到Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ四个谱峰，其中半峰宽分别为１３．８ｍｅＶ，１０．８ｍｅＶ，１５．６ｍｅＶ，和５０ｍｅＶ。Ａ对应自由激子谱，Ｂ，Ｃ为两种束缚激子的跃迁，Ｄ与氧杂质谱有关。