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1.
根据Judd-Ofelt理论,测得了Tm3+ 在TmP5O14晶体中的强度参数分别为Q2=:1.50×10-20cm2,Q4=1.51×10-20cm2,Q6=0.916×10-20cm2,计算的振子强度Pcal.与实验值Pexp.符合较好,平均根方误差为2.60×10-7。求得Qλ后,计算了J多重激发态之间的振子强度,自发辐射跃迁速率,辐射寿命和荧光分支出,与YAlO3:Tm3+,YAG:Tm3+、Y2O3:Tm3+等晶体和掺Tm3+玻璃的光谱参数进行了比较,并就3H4→3H6,3F4→3H5,1D2→3H4和1G4→3H4的跃迁进行了对比和讨论。观察到Tm3+在不同介质中的Pexp.与强度参数的总和∑τλ=τ2+τ4+τ6存在Pexp=α∑τλ+b的关系。 相似文献
2.
Tm:YVO4晶体的光谱参数计算 总被引:10,自引:0,他引:10
由测量的Tm :YVO4晶体的吸收光谱 ,考虑到单轴晶体在各个方向上的吸收不同和折射率随波长的变化 ,根据Judd Ofelt理论计算了Tm3 +在YVO4中的强度参数、各个能级的振子强度、自发辐射几率、荧光分支比、积分发射截面等参数。强度参数为Ω2 =1 9416× 10 - 2 0 (cm2 ) ,Ω4=0 15 6 8× 10 - 2 0 (cm2 ) ,Ω6=0 396 3× 10 - 2 0 (cm2 )。计算结果表明 ,1 D2 → 3 F4的跃迁几率远大于1 D2 向其他各个能级的跃迁几率 相似文献
3.
Er3+/Yb3+:KG(WO4)2的熔盐提拉法生长及光谱性能 总被引:2,自引:0,他引:2
采用熔盐提拉法生长了尺寸达30 mm×25 mm×15 mm的Er3+/yb3+KGd(WO4)2透明晶体,从中切出5 mm×5 mm×3mm大小的激光器件,在室温下测试了吸收光谱,可以观察到晶体存在366,380,489,522,651,811,980 nm等吸收峰,并对之进行了能级归属.同时在980 nm激光激发下测试了荧光光谱,可以发现在1 024,1 535 nm处存在较宽的强发射峰,其半高宽分别为60和36 nm.研究结果表明,Er3+/yb3+KG(WO4)2适合于InGaAs LD(980 nm)泵浦,有可能产生1 024 nm波段及人眼安全的1 535 nm波段的可调谐激光. 相似文献
4.
钒酸钇(YVO4)晶体有高的激光损伤阈值和高的激光输出斜率效率,也有很好的机械性能和化学稳定性.从测量TmYVO4晶体的吸收谱入手,考虑该晶体的各向异性效应,拟合出Tm3+的光学强度参量,进一步得到了振子强度f,辐射跃迁速率A和积分发射截面Σ等光学参量.在350-2500nm范围内,YVO4晶体基质的吸收很小,而Tm3+在YVO4晶体中发光能力很强;特有的是蓝光1D2→3F4(约为454nm)跃迁有极大的振子强度(38×10-6)和积分发射截面(33×10-18cm),有利于实现短波长的激光输出. 相似文献
5.
报道了对Tm ,Ho双掺YVO4 晶体光谱性能的测量结果 ,包括用UV 3 65型分光光度计测出单掺Tm∶YVO4 及Ho∶YVO4 吸收谱以及双掺Tm∶Ho∶YVO4 的吸收谱 ;用Ar离子激光器 4 88nm ,LD激光器激发测量样品荧光光谱 ;用J O理论进行光谱参数计算及对能级结构进行分析 ;研究了在λ=80 5nm的激光二极管激发下Tm对Ho的敏化发光过程。发现与YAG ,YLF为基质的Tm ,Ho双掺材料相比 ,该材料中的Tm3 + 离子具有大而均匀的吸收宽度 (~ 2 6nm) ,大的峰位吸收截面和积分吸收截面 (~ 1 4× 1 0 -2 0 cm2 和 2 74 5× 1 0 -2 0cm) ,能量转换效率高 (可达 87% ) ,且泵浦阈值低 (~ 1 5mW )。表明了YVO4 晶体中Tm能有效地敏化Ho,并产生 2 μm的发射。文中对发射强度与泵浦功率及Tm ,Ho之间掺杂浓度的关系进行了初步的分析与讨论。光谱的观察结果表明∶在实现LD泵浦 ,全固体化 ,小型 ,高效的 ,2 μm激光振荡的探索中 ,Tm∶Ho∶YVO4 晶体将是一种很有实际应用潜力的材料。 相似文献
6.
用高温熔融法制备了Tm2O3掺杂浓度为0.25,0.5,0.75,1,1.25,1.5 mol%的40 Ge O2-35Te O2-15Pb O-5Al2O3-2.5Ca O-2.5Sr O锗碲酸盐玻璃.热学性质测试表明该玻璃的转变温度为446℃,没有析晶峰.玻璃的最大声子能量约为750 cm-1.利用Judd-Ofelt理论计算了Tm3+的Judd-Ofelt参数Ωt(t=2,4,6)、不同浓度下Tm3+离子各激发态能级的自发辐射概率、荧光分支比以及辐射寿命等参数.采用808 nm波长抽运源测试了Tm3+离子的荧光光谱.发现掺杂浓度为1 mol%时约1.8μm处的荧光强度最强.根据Mc Cumber理论计算了3F4→3H6的发射截面,其峰值发射截面为6.5×10-21cm2.根据速率方程计算了玻璃中OH引起的Tm3+的3F4能级的无辐射弛豫速率,随着Tm3+浓度增加,OH对3F4能级的猝灭速率增加.这种玻璃有望研制成一种新型的约2μm的激光玻璃材料. 相似文献
7.
采用Czochralski法生长了均匀透明的Tm:YVO4, Tm:Er:YVO4和Tm:Yb:YVO4晶体, 测量了其室温下吸收光谱, 研究了晶体中掺杂稀土离子的光谱性质. 根据Judd-Ofelt理论拟合出晶体场唯象强度参数: Ω2=1.13×10-20 cm2, Ω4=1.63×10-20 cm2, Ω6=0.65×10-20cm 2. 相似文献
8.
本文报道了Cr3+:YAl3(BO3)4(Cr3+:YAB)晶体的常温吸收光谱,荧光光谱和荧光寿命的研究.对其能级、晶场强度参数Dq和拉卡参数做了近似计算,并估算了与激光性能关系密切的光谱学参数.指出它做为声子终端激光晶体材料具有一定的应用前景. 相似文献
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10.
Ln7O6(BO3)(PO4)2:Eu(Ln=La,Gd,Y)的VUV-UV激发和辐射发光 总被引:1,自引:0,他引:1
本文报道了Ln 7O6(BO3)(PO4)2:Eu(Ln=La,Gd,Y)在VUV-UV区的激发光谱及Eu3+在可见区的发射光谱.其激发光谱包括基质在真空紫外区的激发带和激活剂离子在紫外区的Eu3+-O2-电荷迁移带,随La3+,Gd3+,Y3+离子半径逐渐减小,Eu3+-O2-电荷迁移带的重心位置逐渐向高能量方向移动,Gd7O6(BO3)(PO4)2:Eu和Y7O6(BO3)(PO4)2:Eu在真空紫外区的吸收与Eu3+-O2-电荷迁移带位于紫外区的吸收的比值要高于在La7O6(BO3)(PO4)2:Eu中的这个比值.激发能可被基质吸收,传递给激活剂离子,得到Eu3+的红光发射.在Gd7O6(BO3)(PO4)2:Eu中,5D0→7F1的发射强度较强,在Y7O6(BO3)(PO4)2:Eu中,5D0→7F2和5D0→7F3的跃迁较强. 相似文献
11.
BaMgAl10O17:Eu^2 , known as BAM, is a very important blue-emitting phosphor used in plasma display panels (PDP) and three band fluorescent lamps. In this paper, the Ba0.s5MgAl10O16.94:Eu^2 0.09 phosphors with different fluxes (BaF2, MgF2, AIF3, BaCl2, MgCl2, AICl3, H3BO3) were prepared by high temperature solid-state reaction method and the influence of different fluxes on the luminescence of Ba0.85MgAl10O16.94:Eu^2 0.09 phosphor was studied under 254nm excitation and vacuum ultraviolet (VUV) excitation. It was found that fluorides have better flux effects than chlorides and H3BO3. The mechanism of particle growth in the presence of flux in the process of phosphor preparation is discussed in detail. Particle size distribution and the crystal structure of the phosphors are also analysed. 相似文献
12.
(Y,Gd)Al3(BO3)4:Tb的真空紫外光谱特性 总被引:1,自引:0,他引:1
(Y,Gd)Al3(BO3)4属于三角晶系,具有R32的空间群,掺入Ce3 ,Tb3 杂质后,其晶格结构没有变化。(Y,Gd)Al3(BO3)4:Tb随着Gd3 摩尔浓度增大,基质吸收带红移。Gd3 和Tb3 之间存在着很有效的能量传递。Gd3 摩尔浓度在一定范围内(0~0·75mol)增大时,样品在120~300nm光谱范围内的激发强度均是增强的;但是,Gd3 浓度过高造成Gd3 的发射增强,GdAl3(BO3)4:Tb在120~240nm光谱范围内激发强度很明显下降。(Y,Gd)Al3(BO3)4:Ce,Tb在真空紫外激发下,发现Tb3 的发光明显的被Ce3 猝灭。 相似文献
13.
采用液相法和真空烧结技术制备了2.0%Nd,3.0%La共掺杂Y2O3透明陶瓷样品.样品晶粒均匀,大小在22μm左右,在晶粒和晶界处都未见气孔.元素线扫描结果表明,Nd离子和La离子均匀地分布于陶瓷晶粒和晶界处.并测试了样品的吸收光谱和荧光光谱.样品在主吸收峰821nm处的吸收截面为4.3×10-24m2,主荧光发射峰位于1078nm处,实测荧光寿命为0.287ms.采用Judd-Ofelt理论计算了Nd3+在掺La氧化钇陶瓷晶体场中的强度参数Ωλ(λ=2,4,6),自发辐射概率、辐射寿命、荧光分支比等光谱参数.通过F-L公式计算得到2.0%Nd,3.0%La共掺杂Y2O3透明陶瓷中Nd3+的4F3/2→4I11/2跃迁对应的受激发射截面大小为2.0×10-24m2.结果表明,La离子的掺入可以调节氧化钇透明陶瓷的晶体场,有助于制备符合实际需求的固体激光器材料. 相似文献
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Tm3+和Ho3+双掺氟锗酸盐玻璃的中红外发光性质质 总被引:1,自引:1,他引:0
用高温熔融法制备了Tm3+和Ho3+离子双掺的65GeO2-12AlF3-10BaF2-8Li2O-5La2O3氟锗酸盐玻璃,应用Judd-Ofelt理论,获得了Ho3+离子的强度参量(Ω2,Ω4,Ω6),自发辐射跃迁几率Ar,辐射寿命τ等光谱参量。根据McCumber理论,计算了玻璃中Tm3+和Ho3+离子的吸收截面σa、受激发射截面σe和增益光谱G(λ)。在808nm激光二极管激发下,研究分析了Tm3+离子的交叉弛豫过程和Tm3+敏化Ho3+离子的2.0µm的红外发射光谱。结果表明,一定浓度Ho3+的共掺提高了Tm3+(3F4)→Ho3+(5I7)之间的能量转移效率,增强了~2.0µm的红外发光。 相似文献
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Comparative study of spectroscopic properties of Er^3+/Yb^3+-codoped tellurite glass and fibres under 980nm excitation* 下载免费PDF全文
A tellurite fibre of TeO_{2}-ZnO-La_{2}O_{3}-Li_{2}O glass codoped with 20000 ppm ytterbium and 5000 ppm erbium was fabricated by the suction casting and rod-in-tube technologies. The absorption spectrum of Er^{3+}/Yb^{3+} -codoped bulk glass has been measured. From the Judd-Ofelt intensity parameters, the spontaneous emission probability and radiative lifetime τ_{rad} of Er^{3+}:{}^{4}I_{13/2}→{}^{4}I_{15/2} transition for the bulk glass have been calculated. The emission fluorescence spectra and lifetimes around 1.5μm, and subsequent upconversion fluorescence in the range of 500-700nm were measured in fibres and compared with those in bulk glass. The changes in amplified spontaneous emission with fibre length and pumping power was also measured. It was found that the emission spectrum from erbium in fibres is almost twice as broad as the corresponding spectrum in bulk glass when pumped at 980nm. 相似文献
16.
四硼酸铝钕晶体及其小型全固态激光器 总被引:1,自引:0,他引:1
当前,全固态激光器在向万瓦级大功率方向发展的同时,也在向微型化发展。利用碟片全固态激光器可获得千瓦级以上激光,利用微片全固态激光器则可实现小体积、高密度、中小功率激光输出。获得高功率高密度激光的关键在于激光材料。本文从碟片和微片激光器的发展和对激光基质材料的要求出发,概述自激活激光晶体的研究,特别对四硼酸铝钕[NdAl3(BO3)4,简称NAB]晶体的结构、生长、性质及其作为有应用前景的小型片状激光器的候选材料作了详细的介绍。近期,采用面积为4×4 mm2,厚度为0.39 mm的微片NAB晶体,用885 nm半导体激光器为光源泵浦,获得了4.6 W的1.063μm激光的有效输出,其斜效率达到64%,充分显示了NAB晶体作为自激活激光晶体在微片激光器中的应用前景。 相似文献
17.
采用高温固相法合成了(La,Ce,Tb)BO3绿色发光粉,并对该发光粉进行了XRD和SEM分析。结果表明:(La,Ce,Tb)BO3的晶体结构和LaBO3相同,Ce3+、Tb3+的掺入并没有改变晶体的结构,发光粉颗粒大小均匀,形貌规则,粒度在5 μm左右。研究了(La,Ce,Tb)BO3的光谱性质,在(La,Ce,Tb)BO3的发射和激发光谱中除了有Tb3+的特征发射和激发峰外,还有Ce3+的特征发射和激发峰。比较了(La,Ce)BO3发射光谱和(La,Tb)BO3的激发光谱,两者存在重叠,这为Ce3+→Tb3+的能量传递提供了条件。将(La,Ce,Tb)BO3的发射光谱与商品粉(La,Ce,Tb)PO4进行比较,两者的发射主峰都在541 nm处, (La,Ce,Tb)BO3在489 nm处的峰位稍有红移,通过计算表明,(La,Ce,Tb)BO3的发光亮度达到商品粉(La,Ce,Tb)PO4的94.7%。因此,(La,Ce,Tb)BO3是一种很有应用前景的绿色发光粉。 相似文献
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利用硝酸铝、硝酸钡、尿素为原料,以一定比例H_2O/正丁醇及H_2O/正丁醇/SBS的混合液作传递压力的介质,进行反应,然后将得到的前驱体在还原气氛下高温煅烧,得到亮度高,余辉时间长的BaAl_2O_4:Eu~(2+),Dy~(3+)纳米棒状长余辉发光材料。TEM和SEM测试表明高温煅烧后得到的BaAl_2O_4:Eu~(2+),Dy~(3+)为棒状结构,其激发光谱和发射光谱均为宽带,主发射峰分别为498 nm,是典型的Eu~(2+)5d→4f跃迁。该方法的特点在于:采用水热法合成的BaAl_2O_4:Eu~(2+),Dy~(3+)长余辉发光材料一般需经过高温煅烧,容易结块,而在合成制得的产品经1 300℃高温煅烧后仍呈现分散性良好的棒状结构,不需球磨,且发光性能良好,可直接应用。同时将2种不同的实验条件进行比较,发现在不使用表面活性剂的条件下依然可得到分散性良好的棒状BaAl_2O_4:Eu~(2+),Dy~(3+)长余辉发光材料。该制备方法有望在其他铝酸盐和硅酸盐系长余辉发光材料的制备中得到应用。 相似文献
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流动注射-氢化物发生-原子吸收光谱分析中氧化剂对铅增敏作用的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
本文提出了用流动注射喷射式氢化法直接测定Pb的方法,并对测定条件及共存元素的允许存在量进行了研究,还就K_3Fe(CN)_6对Pb的增敏作用机制进行了探讨并提出了以下反应模式:①K_3Fe(CN)_6首先将Pb~Ⅱ在碱性条件下氧化至Pb~Ⅳ:②K_3Fe(CN)_6再与Pb~Ⅳ发生化学反应:③上述的生成物在用NaBH_4还原时可大大提高Pb的转化率。 相似文献
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Thickness Effect on (La_(0.26)Bi_(0.74))_2Ti_4O_(11) Thin-Film Composition and Electrical Properties 下载免费PDF全文
Highly oriented(00l)(La_(0.26)Bi_(0.74))_2Ti_4O_(11 )thin films are deposited on(100) SrTiO_(3 )substrates using the pulsed laser deposition technique.The grains form a texture of bar-like arrays along Sr Ti O_3110directions for the film thickness above 350 nm,in contrast to spherical grains for the reduced film thickness below 220 nm.X-ray diffraction patterns show that the highly ordered bar-like grains are the ensemble of two lattice-matched monoclinic(La,Bi)_4Ti_3O_(12 )and TiO_(2 )components above a critical film thickness.Otherwise,the phase decomposes into the random mixture of Bi_2Ti_2O_(7 )and Bi_4Ti_3O_(4 )spherical grains in thinner films.The critical thickness can increase up to 440 nm as the films are deposited on LaNiO_3-buffered SrTiO_(3 )substrates.The electrical measurements show the dielectric enhancement of the multi-components,and comprehensive charge injection into interfacial traps between(La,Bi)_4Ti_3O_(12 )and TiO_(2 )components occurs under the application of a threshold voltage for the realization of high-charge storage. 相似文献