光谱法测量等离子体离子温度和旋转速度

分析多普勒展宽和多普勒频移的区别，讨论了弦积分的线形分布和高斯分布的差异，利用光谱多道分析仪测量了碳227．1nm谱线的线形分布，通过选点拟合得出辐射粒子的离子温度和旋转速度径向分布。     

CT-6B托卡马克装置上电流上升阶段电子温度的光谱测量

在CT-6B托卡马克装置上,用一米掠入射真空紫外单色仪测量了氧杂质各阶离子OII-OVI的谱线辐射的时间变化,用HCN远红外激光干涉仪测量了电子密度的时间变化。利用谱线时间史的方法,由谱线起始时间估算了放电初期电流上升阶段电子温度的时间变化。用数值计算分别考察了氧杂质进入通量和约束时间对谱线峰值强度和起始时间的影响。估算得到的电子温度在放电开始后0.36,0.56,0.66,0.90和1.4ms,分别为3.6,5.6,7.3,10.8和21eV,它们反映了放电初期等离子体中心区电子温度的变化。 关键词：     

用同电离态离子的光谱线对测量等离子体离子温度

 利用压电晶体驱动Fabry-perot干涉仪并选择合适的板距,通过测量托卡马克等离子体同电离态杂质离子光谱线对的叠加轮廓分布,给出对应的离子温度。该方法的优点是光谱分辨率高,待测谱线有更广泛的选择范围。     

用同电离态离子的光谱线对测量等离子体离子温度

利用压电晶体驱动Fabry-perot干涉仪并选择合适的板距,通过测量托卡马克等离子体同电离态杂质离子光谱线对的叠加轮廓分布,给出对应的离子温度。该方法的优点是光谱分辨率高,待测谱线有更广泛的选择范围。     

低温等离子体的光谱测量研究

采用光谱测量法研究低温等离子体特性具有突出的优点.阐述了目前光谱测量用于低温等离子体研究的原理和分析方法,将运用光谱描述等离子体的方法概括成直接分析和间接分析两类.本文采用光谱测量的方法对常压空气辉光放电(APGD)等离子体进行了研究,得到了APGD等离子体光辐射特性随所加功率呈线性关系的结果,为常压空气辉光放电等离子体的光谱诊断建立了基础.     

HL—1M装置等离子体离子温度测量

在ＨＬ－１Ｍ托卡马克装置上，利用８通道中性粒子能谱仪测量的等离子体离子温度。在等离子体电流和密变化、激光吹气、弹丸注入，超声分子束注入和低混杂波加热等实验条件下，观测了Ｔｉ的变化。     

等离子本离子温度和角向旋转速度的测量

利用多道光学分析仪测量了ＨＴ－６Ｍ托卡马克ＣＶ２２７．１ｎｍ谱线线形分布,通过选点拟事得到了等离子体离子温度和旋转速度。     

多光谱测量材料冲击辐射特性的温度反演算法

材料的冲击辐射温度是高温-高压作用下状态方程研究的重要物理参量,对武器研制、科学研究和工业制造意义重大。针对冲击辐射温度具有瞬时非接触、测量环境噪声复杂、温度反演发射率不可测等特点,设计了一种新的温度反演方法,以提高温度获取精度。根据约束优化理论,将乘子罚函数法与粒子群算法相结合,实现两种模型的串联,并改进粒子群-乘子罚函数算法。结果表明该混合模型求解方法充分结合了两种单一算法的优势,提高了冲击辐射测试数据的温度反演精度与运算效率,为研究材料冲击辐射的真实温度提供了保障。     

汞谱线的塞曼效应分析与朗德g因子的测量

对汞谱线塞曼效应进行了理论分析,通过利用CCD观测系统获取了塞曼效应实验分裂干涉圆环图像,证明了实验现象与理论分析完全一致,并对实验数据进行处理,定量测量了朗德g因子,发现误差较小。     

非圆截面托卡马克等离子边缘磁场结构的快速Mapping方法

介绍利用等离子体磁面的傅里叶及边缘泰勒展开的解析表达式，得到非圆截面托卡马克等离子体边缘磁面结构的快速ｍａｐｐｉｎ方法。最后作为例子给出在ＴＥＸＴ－Ｕ装置实验中上的ｍａｐｐｉｎｇ图。     

Zeeman效应中光偏振的实验研究

介绍一种永磁式塞曼效应实验仪，用其研究了任意方向上塞曼效应的光偏振态和光强问题，并测定了电子的ｅ／ｍ，给出了测量方法和结果．     

Zeeman效应实验一定能推断出原子的g_J值吗?

本文以实例对Zeeman效应一定能推断原子的gJ值问题做了否定的回答。     

塞曼效应实验的CCD测量法

本将CCD摄像技术及电视显微技术引入塞曼效应实验，方便了学生测量，激发了学生的学习兴趣。     

J＇K耦合的Zeeman效应

在分析光谱数据基础上，本文以Ｎｅ原子６３２８谱线为Ｊ’Ｋ耦合Ｚｅｅｍａｎ效应实例计算了谱线在较弱磁场中的分裂情况；从而廓清了有关教材中不正确的论述。     

塞曼效应校正光谱背景吸收技术

论述了塞曼效应校正光谱背景吸收技术的物理原理，讨论了仪器结构及工作原理、特点，以及磁场强度对校正背景效果的影响。     

塞曼效应实验中应注意的几个问题

本付论了塞曼效应实验中容易忽视的几个问题。并提出了解决问题的办法。     

塞曼调制磁旋转分子光谱特征的研究

以Ｎ２第一正带（Ｂ３Πｇ－Ａ３Σ＋ｕ）为对象，研究塞曼调制磁旋转光谱技术的主要特征，对谱线的线型和位相做了详细的分析，同时，还提出并解释了谱线强度分布中的塞曼选态效应，结果均与实验相符合。     

等离子体离子温度和角向旋转速度的测量

 利用多道光学分析仪测量了HT6M托卡马克CV227.1nm谱线线形分布,通过选点拟合得到了等离子体离子温度和旋转速度。     

用类He离子谱线强度比测量激光产生等离子体电子温度和密度

一、引言在X光激光(XRL)和惯性约束聚变(ICF)研究中,等离子体电子温度和密度是表征等离子体状态的重要参数之一。虽然等离子体辐射各谱线强度与发射源的温度,密度和离子丰度直接相关,但要得到各谱线的绝对强度是很困难的,因为用于测量谱线强度探测器的绝对刻度相当困难。早在70年代初,苏联Aglitskii等首次用类He离子谱线强度比测量等离子体电子温度和密度。由于用该方法测量等离子体电子温度和密度可避免对探测器绝对     

光控塞曼石墨炉原子吸收光谱法直接测定血液中硅

本文采用偏振塞曼原子吸收法，血液基体匹配标准，以Ｃａ作基体改进剂直接测定人体全血中痕量硅，既降低了硅原子化温度又提高了硅的测定灵敏度，克服了血液基体的干扰。方法的相对标准偏差小于５．０％，回收率在９５．８－１０６％之间。