GS-222型高速摄影测量仪及数据处理方法

本文论及了已应用于我国靶场的一种新型的测量导弹、火箭初始段弹道和飞行姿态的小型精密光学跟踪测量仪器以及数据处理方法.     

介绍两种数字测角系统的动态检测方法

随着火箭、导弹和宇航技术的迅速发展,对飞行目标初始段的测量提出了更高的跟踪速度和跟踪加速度。因此对数字测角系统的动态性能研究提到了日程上来。在新的使用条件下,对共系统的电气和结构必须满足动态性能要求,因此仅仅采用以往的静态大间隔检测方法显然是不够完全的。     

纵向涡强度衰减及其干涉的数值分析

本文以空气为介质,在Re=600-2100的范围内对布置有三角翅片的平行通道内的初始段层流状态下涡干涉的流动及换热进行了数值模拟。展示了旋向相反的涡在流道中的产生及发展情况,说明了涡产生器在横向位置变化时对横截面上平均Nu数和涡旋强度(?)的影响,并对单个涡产生器的有效换热区域长度进行了探讨。     

具有不可共度势的掺杂一维体系中波函数的计算

本文将单点杂质引入到不可共度势一维体系中,用格林函数方法推导了杂质状态的能级和波函数。发现当杂质处在不可共度势变化较快的位置时,杂质能级的变化也较大。杂质状态的波函数是略有波动的指数衰减函数。讨论了杂质对带内状态波函数的影响,发现以杂质点为对称的体系中,具有偶宇称的状态波函数,在杂质的附近,振幅有相当大的下降。在对杂质点无对称性的体系中,在杂质的附近,产生一个振幅的阶跃。 关键词：     

低混杂波电流驱动下注入杂质的输运

在欧姆放电和低混杂波电流驱动条件下,应用激光吹气技术注入金属杂质,用真空紫外谱仪测量了杂质线的辐射,给出了ＨＬ－１Ｍ 装置欧姆等离子体和低混杂波电流驱动等离子体杂质输运的研究结果。用杂质输运程序ＬＢＯ进行数值模拟,得出了等离子体中杂质的扩散系数Ｄ（ｒ） 和对流速度ｖ（ｒ）。在低混杂波电流驱动条件下,等离子体杂质的输运系数相对欧姆放电等离子体杂质的输运系数减小了５０％ 左右。结果表明,在ＨＬ－１Ｍ 装置上低混杂波电流驱动等离子体相对通常欧姆等离子体杂质的约束性能明显得到了改善     

气固受限同轴射流颗粒弥散的实验研究

用消光法测量了气固受限同轴射流初始段的颗粒浓度分布,研究了气流速比、颗粒粒度对颗粒弥散的影响,并对颗粒的混合特性与气相的混合特性进行了比较.研究表明,当颗粒处于环形射流中时,颗粒的弥散速率高于气相的混合速率,小颗粒的弥散速率高于大颗粒的弥散速率,颗粒弥散受气流速比的影响较弱.     

HL-1装置等离子体的软X射线能谱分析

本文分析了HL-1托卡马克等离子体的软X射线能谱,包括杂质谱线CrK_a,NiK_a,MoK_a辐射强度与孔拦半径a_L,环电流及充气压强P_H之间的关系。讨论了放电初始段、终了段及逃逸电子流较强的放电的软X射线能谱的特点。     

转角双层石墨烯中的势杂质效应（英文）

近年来，平带在转角双层石墨烯（TBG）中的发现引起了越来越多的关注。在这项工作中，我们报告了我们对这个平带系统中杂质效应的研究，这对于真实材料来说是一个重要问题。通过采用Lanczos递归方法，我们求解了杂质附近的局域态密度（LDOS）。我们发现，对于大尺寸的杂质，一系列束缚态在杂质内部形成，LDOS中平带所对应的峰在杂质边界附近被压制，而在杂质内部由于杂质势的作用而发生平移。随着杂质尺寸变小，其对平带的影响变弱，这符合其大尺寸Wannier函数的预期。这个特性与通常具有小尺寸局域Wannier轨道的平带系统有所不同，表明TBG中的平带对小尺寸杂质更加稳定。     

HL－1托卡马克杂质注入实验及杂质输运特性的研究

本文给出了ＨＬ－１托卡马克在通常欧姆放电和偏压诱发Ｈ模放电条件下，脉冲注入杂质气体的实验结果以及对杂质在通常欧姆等离子体和偏压诱发Ｈ模等离子体中的输运研究结果。实验结果表明，在ＨＬ－１上偏压诱发Ｈ模等离子体中对杂质的约束性能明显优于在通常欧姆等离子体中对杂质的约束性能。杂质输运的数值模拟结果说明，无论在通常欧姆等离子体中，还是在偏压诱发Ｈ模等离子体中，杂质的输运系数都比新经典理论预计的要大得多，输运是反常的。在偏压诱发的Ｈ模等离子体中引入杂质输运“位阱”概念，能够对杂质离子约束时间长的实验现象进行很好的描述。合理地解释了在偏压杂质注入实验中杂质辐射上升时间长、衰减慢的现象。     

硅纳米结构晶体管中与杂质量子点相关的量子输运

在小于10 nm的沟道空间中,杂质数目和杂质波动范围变得十分有限,这对器件性能有很大的影响.局域纳米空间中的电离杂质还能够展现出量子点特性,为电荷输运提供两个分立的杂质能级.利用杂质原子作为量子输运构件的硅纳米结构晶体管有望成为未来量子计算电路的基本组成器件.本文结合安德森定域化理论和Hubbard带模型对单个、分立和耦合杂质原子系统中的量子输运特性进行了综述,系统介绍了提升杂质原子晶体管工作温度的方法.     

利用NMR测定盐酸头孢吡肟中杂质的含量

头孢吡肟是具有广谱抗菌活性的第四代头孢菌素抗生素，在合成过程中往往伴随同分异构体杂质的生成. 为了进行质量控制，本文利用各种NMR技术对盐酸头孢吡肟及杂质进行了¹H和¹³C的谱线归属，并测定杂质的含量为30.39％.     

燃气轮机合成气燃烧室动态特性的实验研究

本文针对一种燃用合成气的燃气轮机燃烧室,在以VXI总线为基础的测试平台上,进行了该型燃烧室的中压全尺寸动态特性实验研究,获得了燃烧室在点火及变负荷情况下的温度、压力、振动等重要参数的变化规律,对燃烧室动态压力信号进行了动态频谱及功率谱分析,初步探讨了影响合成气燃烧室稳定、高效、安全运行的相关因素及作用机理。     

利用肖特基势垒特性研究4mm波段硅雪崩二极管的杂质分布

本文研究了4mm波段硅雪崩二极管剖面的杂质浓度分布。测量并讨论了研制器件的外延层杂质分布特性,和器件杂质分布及其对器件性能的影响。文中阐述了肖特基势垒的基本方程,给出计算曲线;讨论了测量条件及产生误差的主要方面。作为实验技术的改进,我们装置了水银探针,讨论了确定Hg-Si势垒面积的理论依据和测量方法,并获得了Hg-Si势垒高度φ_ms和内建势V_bi的实验值,以及稳定势垒面积的条件。 关键词：     

Y-Ba-Cu-O掺Ce体系的激光喇曼光谱

利用激光喇曼光谱分析了名义组分为(Y_1-xCe_x)Ba₂Cu₃O_7-δ(x=0,0.05,0.1,0.3,0.55,1.0)的系列样品的相组成,发现随着Ce的掺入,样品中除生成正交Y(123)相材料以外,还生成BaCeO₃和BaCuO₂等杂相。结果表明,Ce很可能根本没有替代Y生成Ce(123)相,而是和Ba生成了BaCeO₃杂质相 关键词：     

FEB-E动态气靶偏滤器的研究

在ＦＥＢ－Ｅ设计阶段,偏波器从开放式固定板靶优化为封闭式气体靶,以改善偏滤器的杂质控制和增加离子与气体的相互作用,通过喷气和注入杂质获得的部分脱靶等离子体形成了动态气体靶,喷气能降低删削层（ＳＯＬ）处等离子体温度,沪入的杂质增加了ＳＯＬ处的辐射功率,使靶板的负载降低,用ＮＥＷＴ１Ｄ编码模拟了ＳＯＬ处等离子体和杂质（硼杂质）的输运,得到了杂质、等离本温度和等离了体密度分布。着眼于杂质的滞留物辐射,优     

EFFECT OF THERMAL TREATMENTS ON THE SUPERCONDUCTIVITY OF UNDOPED AND WO3 DOPED Y-Ba-Cu-O SYSTEM

Undoped and WO₃-doped Y-Ba-Cu-O ceramics have been slowly cooled in flowing oxygen or quenched in air from 900℃ to room temperature, after sintering at 900℃ for 3Oh in flowing oxygen. The ac susceptibility measurements show that the T_c of the quenched WO₃-doped Y-Ba-Gu-O superconductor can reach 88K, while the undoped Y-Ba-Cu-O ceramic quenched in air is a non-superconductor. X-ray diffraction data show that WO₃ does not enter into the YBa₂Cu₃O_7-x lattice but forms all impurity phase. The WO₃-doped YBCO specimens quenched in air consist of orthorhombic YBa₂Cu₃O_7-x phase and an impurity phase which increases with increasing WO₃ content. Raman spectra chow that oxygen contents are different for undoped and WO₃-doped samples. It la suggested that suitable doping with WO₃ can change the oxygen content and reduce the effect of thermal treatments on the superconductivity of Y-Ba-Cu-O system.     

HT—6M托卡马克欧姆加热下氧杂质的输运模拟

本文利用HT-6M托卡马克上现有的实验数据,对氧杂质进行了输运模拟,给出了HT-6M托卡马克在欧姆加热下氧杂质的输运特性,空间分布和辐射能量。     

用四探针及阳极氧化方法测量硅中扩散层杂质分布

本文讨论了:(1)用阳极氧化法在硅片表面去层的技术;(2)用四探针测量扩散层面电导的方法;(3)用阳极氧化去层及四探针测量面电导方法求得扩散层精细杂质分布。文中着重讨论了实验技术中的实际问题,如如何在阳极氧化过程中取得精细而均匀的去层(300—1500?);如何控制及测量去层厚度;测量面电导及杂质分布时的误差来源及减小误差的措施。以典型的磷在硅中扩散的杂质分布测量为例:扩散深度为4.9μm,测量间距为400—1600?,面电导测量误差估计小于3％,杂质分布误差估计小于20％。简单地提出了一些测量中尚待进一步解决的问题。     

轨道抽样法研究非马尔科夫热激活过程

本文基于四维相空间拓展,提出了求解简谐有色噪声驱动下含记忆阻尼的非马尔科夫Langevin方程的轨道抽样——蒙特卡罗方法。计算了晶体缺陷翻越势垒的热激活过程的逃逸速率。为得到平稳的无规力关联函数,导出了以往忽视的有色噪声的初始分布。数值模拟结果较好地显示出理论所预期的随机共振现象。     

光导开关中深能级杂质对输出脉冲影响的研究

本文从理论上分析了光导开关中深能级杂质对其输出特性的影响,研究结果表明,光导开关中的深能级杂质有利于输出电脉冲的压缩.