钒—硫团簇的形成和光解

报导了用激光直接溅射法产生钒硫团簇，并用串级飞行时间质谱仪研究了所产生的团簇离子的分布及紫外激光光解规律。钒硫二元团簇正负离子都是由周边硫原子包围团簇骨架而构成的，骨架是由数目大体相同的钒和硫原子组成，表示成（ＶＳ）ｎ，它们结合紧密，构成了稳定的钒硫团簇的核心。稳定的团簇正离子为ＶｎＳｎ＾＋、ＶｎＳｎ＾＋＾＋和ＶｎＳｎ＋２＾＋（ｎ＝１，２，…１４）。ＶｎＳｎ＾＋团簇系列在ｎ＝２，４时具有很高的丰度     

（NH3）nH^＋2团簇离子的产生及其结构的从头计算研究

用激光多光子电离ＴＯＦ质谱和分子束技术实验研究了氨团簇,测量到（ＮＨ３）ｎＨ＾＋２类型团簇离子,首镒观测到ｎ〈４的该类团簇离子的存在。用ＧＡＵＳＳＩＡＮ－９４程序计算这种团簇离子的结构,找到一种稳定构型,并与文献报道的有关计算结果进行了比较和讨论。     

Ag2O胶体上SERS增强机制的研究

通过研究分别加入Ｎａ２Ｓ２Ｏ３和ＮａＯＨ对Ａｇ２Ｏ胶体上吸附分子ＳＥＲＳ的影响以ＳＥＲＳ随时间的变化发现；Ａｇ２Ｏ作为ＳＥＲＳ的活性载体，化学增强起决定作用，吸附分子与Ａｇ２Ｏ胶体表面的小银离子簇（如Ａｇ＾４＋）形成或强或弱的难溶于水的银离子簇络合物，构成ＳＥＲＳ活性中心，它们之间的电荷转移是增强的重要因素，应用激发态电荷转移模型初步估算了Ｄ２６６分子增强因子的量级，得到了与实验值基本一致的结果。     

钆在MgO（110）薄膜上的吸附

为研究钆在ＭｇＯ薄膜表面吸附的特性，首先在经硫代乙酰胺（ＣＨ３ＣＳＮＨ２）处理的ＧａＡｓ（１００）表面外延生长Ｐ型半导体ＭｇＯ（１１０）薄膜，然后利用同步辐射光电子能谱研究钆在此表面的吸附，结果发现由于Ｇｄ／ＭｇＯ界面的能够弯曲使Ｍｇ２ｐ向高结合能端位移０．４ｅＶ，而且从实验结果推断，钆与衬底反应很弱，并且主要以团簇的形式吸附。     

直接激光气化产生水溶剂化的氧化镁团簇

用飞行时间质谱仪探测了直接激光气化碱式碳酸镁样品产生的质谱，结果表明：氧化镁团簇与同时产生的水分子发生了原位溶剂化反应并产生了各种尺寸的溶剂化氧化团簇离子，这些团簇离子包括：（Ｍｇ（Ｈ２Ｏ）ｍ）＾＋（ｍ＝０，１，２，３），（Ｍｇ（ＭｇＯ）Ｈ２Ｏ）ｍ（ｍ＝１，２，３，４）（Ｈ（ＭｇＯ）（Ｈ２Ｏ）ｍ）＾＋（ｍ＝０，１，２，３，４，５，６），（Ｈ（ＭｇＯ）２（Ｈ２Ｏ）ｍ）＾＋（ｍ＝０，１，２，３，４，５     

准自由硅团簇的表面模

介绍介绍用惰性气体冷凝法制得Ｓｉ团簇并首次奖其嵌入多孔硅的孔隙中，经与孔壁多次掠角散射形成准自由团簇。激光拉曼谱测量表示，除了多孔硅的散射峰外，存在一些新的低频散射峰；分别在２７（２９），３７和１９５ｃｍ＾－１处。理论计算表明，它们来源于Ｓｉ团簇表面模ＳＡ（球面模或扭转模）或表面模与ＴＡ（Ｌ）模的组合，这些低频拉曼峰在多孔硅、硅团簇材料、单晶硅和非晶硅中均未见过。     

氨/乙醇混合团簇多光子电离质谱

用多光子电离技术结合飞行时间质谱仪对氨与乙醇混合团簇进行了研究。在脉冲激光波长分别为266,355nm和532nm条件下,仅在355nm作用下观测到团簇离子。主要的电离产物为质子化的（C2H5OH）n（NH3）mH＋（n=0—3,m=0—4）混合团簇离子,且各个序列的离子强度随m的增大而减小。经分析,氨与乙醇混合团簇电离后团簇离子发生内部质子化转移反应是形成质子化团簇离子的主要原因。不同尺寸团簇离子信号强度随电离激光光强变化的光强指数曲线显示,团簇均发生四光子电离过程。通过理论计算得到其中性和离子团簇的稳定结构,解离能,解离通道。并证实团簇发生电离解离时发生了团簇内质子转移反应。     

Hn^＋（n≤7）团簇）在Au—Si面垒探测器死层中的能损

利用Ａｕ－Ｓｉ面垒探测器是灵敏区前的死层作为靶物质,研究了Ｈｎ＾＋（ｎ≤７,２５０ｋｅＶ／ｐ－４５０ｋｅＶ／ｐ）团簇的其中的能损,得到能损比Ｒｎ〉１,且随团簇大小ｎ和平均每核子能量增加而增大。     

含ME4(M＝Mo,W;E＝S,Se)单元簇合物的合成和红外谱表征

合成了一系列单立方烷Ｍ－Ｆｅ－Ｓｅ和Ｍ－Ｃｕ（Ａｇ）－Ｓ（Ｓｅ）簇合物,并用ＵＶ,ＩＲ和Ｘ－光衍射等方法对上述簇合物进行了分析。     

模拟进化法优化Si和Be的团簇结构

模拟生物进化的机理，建立了优化团簇结构的理论程序，并对Ｓｉ和Ｂｅ团簇结构进行了优化计算。并成功地得到了用其它方法已发现的团簇基态结构，还发现了用其它方法尚未得到的团簇基态结构；所得到的团簇基态能量等于或小于已发表的用其它方法所得到的相应团簇的基态能量，说明此方法对于优化团簇基态结构是可行和有效的。