摄影光学 感光材料与性能测试

TQ571.22006054453纳米硫化镍增感的溴化银微晶中光电子衰减特性研究=Investigation of decay characteristics of photoelectrons innanoparticals of cubic AgBr sensitized by NiS[刊,中]/杨少鹏(河北大学物理科学与技术学院.河北,保定(071002)),郑红芳…//物理学报.—2006,55(5).—2144-2148利用微弱信号的微波吸收相敏检测技术,获得了纳米硫化镍增感的立方体溴化银乳剂中,在增感时间增加的条件下,自由光电子和浅束缚光电子的时间衰减曲线。分析了采用纳米硫化镍进行增感的溴化银乳剂中光生电子随增感时间衰减的过程,讨论了卤化银晶…     

S+Au增感中心的电子陷阱效应对光电子行为的影响

利用微波吸收相敏检测技术，对AgBrI-T颗粒乳剂中自由光电子与浅束缚光电子时间行为进行了检测，结果表明在一级衰减曲线的不同区域中增感中心对光电子衰减的作用表现不同；S+Au增感中心的电子陷阱效应随浓度的增加发生了由浅电子陷阱到深电子陷阱的转变.根据增感浓度与光电子衰减时间的对应关系，获得了S+Au最佳增感浓度. 关键词： 微波相敏检测 光电子 增感 电子陷阱     

化学增感对光电子时间分辨谱的影响

利用微波吸收相敏检测技术,对AgBrI-T颗粒乳剂中光电子时间行为进行了检测,并获得了自由光电子与浅束缚光电子的时间分辨谱。实验结果表明,在加入Na2S2O3相同的条件下S与S AU增感中心所起的电子陷阱作用不同,S增感中心所起的作用为深电子陷阱,增感中心由于增加了对光电子的深束缚,从而造成自由光电子与浅束缚光电子的衰减加剧;S AU增感中心所起的作用为浅电子陷阱,增感中心通过暂时束缚光电子有效降低了光电子与光空穴的复合,减缓了自由光电子与浅束缚光电子的衰减,可见加入KAuCl4后形成的S AU增感中心陷阱深度要比S增感中心的陷阱深度浅。从光电子时间分辨谱的变化可以看出S与S AU增感中心在衰减曲线的不同时域中对光电子衰减的作用表现不同。     

不同增感对AgCl乳剂中光电子时间行为的影响

借助微波吸收介电谱检测技术,对AgCl立方体乳剂中光电子的时间行为进行了检测,同时获得了自由光电子与浅束缚光电子在不同增感条件下的时间分辨谱.实验结果表明:化学增感时由于硫加金增感中心的浅电子陷阱作用有效地抑制了空穴与光电子之间的复合,化学增感使得光电子的衰减相对未增感的减缓、衰减时间得到延长;光谱增感时由于染料J聚集体增加了卤化银晶体中添隙银离子的浓度、促进了光电子与添隙银离子之间的结合,光谱增感使得光电子的衰减相对未增感的加剧、衰减时间变短;化学与光谱共同增感使光电子的衰减时间在光谱增感的基础上得到了延长,且硫加金化学增感中心的浅电子陷阱效应在光谱增感的基础上更明显.     

甲酸根离子掺杂的AgCl乳剂增感后的光电子特性研究

甲酸根离子作为一种“空穴－电子转换剂”掺杂在卤化银中可以提高潜影形成过程中光电子的利用率。将不同位置甲酸根离子掺杂的立方体AgCl乳剂又经相同条件的硫加金或感绿染料增感后，采用微波吸收介电谱检测技术对样品在脉冲激光作用下所产生的光电子衰减信号进行检测，通过分析光电子的衰减特性，发现甲酸根离子仍然能发挥其空穴陷阱效应，而且自由光电子的衰减时间和寿命与未增感的掺杂乳剂随掺杂位置的变化趋势一致。     

掺杂的AgCl微晶在化学增感条件下的光电子衰减特性

利用微波吸收介电谱技术研究了K4Fe(CN)6浅电子陷阱掺杂剂和S Au增感剂对立方体AgCl微晶光生电子衰减时间分辨特性的影响.结果表明,掺杂浓度为10-8～10-7mol·mol-1Ag时,在增感之前,掺杂位置越接近表面时,光电子衰减过程会变慢,即衰减时间增加;S Au增感后的掺杂乳剂中光电子衰减变快,说明了增感中心起深电子陷阱作用,当掺杂位置接近表面90%Ag时,光电子衰减时间突然减小,说明表面掺杂中心和增感中心可能发生了某些反应.     

感绿光谱增感染料在氯化银微晶表面的电子陷阱效应

光谱增感技术可使卤化银感光材料实现对全波段感光，同时光谱增感技术在现代光信息记录与存储、光电器件、太阳能转换与存储等领域具有重要的应用.应用微波吸收介电谱技术研究了立方体氯化银吸附感绿菁染料后的光电子衰减特性，建立了氯化银光电子衰减动力学模型，根据此模型结合光电子衰减实验结果对光谱增感染料吸附在卤化银表面的电子陷阱效应进行了分析.研究结果表明：当染料以单分子态吸附在卤化银表面时，染料起浅电子陷阱效应；染料以J聚集体吸附在卤化银表面时，染料起到了深电子陷阱效应.浅电子陷阱与深电子陷阱效应的临界浓度为每40g 关键词： 感绿染料 氯化银 光电子衰减 电子陷阱效应     

ZnS中电子陷阱能级对光生电子弛豫过程的影响

采用微波吸收法,测量了在不同助熔剂条件及不同气氛下烧制的ZnS材料受到超短激光脉冲激发后的光电子衰减过程,并且测量了材料的热释光曲线。样品A采用过量的SrCl作为助熔剂,在1150℃下灼烧制备而成;其热释光曲线显示材料中有浅电子陷阱,电子陷阱密度小,光生电子衰减过程为双指数衰减过程,快过程寿命为45ns,慢过程寿命为312ns。样品B中加入了少量的NaCl作为助熔剂;热释光曲线显示有浅电子陷阱和深电子陷阱,且都有较高的密度,其光电子寿命为1615ns。在NH₄Br气氛中烧制样品C,热释光谱显示只有浅电子陷阱形成,光电子寿命为1413ns。结果表明材料的光电子寿命和浅电子陷阱密切相关,浅电子陷阱密度越大,光生电子寿命越长,深电子陷阱对光生电子瞬态过程影响很小。     

摄影光学 感光材料与性能测试

TQ571.2 2006032396还原增感浓度对AgCl光电子衰减的影响=Influence ofsensitization concentration on photoelectron decay of AgClemulsion[刊,中]/李晓苇(河北大学物理科学与技术学院.河北,保定(071002)) ,张伟…∥河北大学学报(自然科学版) .—2006 ,26(2) .—148-151 ,156利用微波介电检测技术,测得自由光电子与浅束缚光电子衰减行为随还原增感浓度的变化。实验发现,还原增感浓度低时,增感中心起空穴陷阱作用;还原增感浓度高时,增感中心起深电子陷阱作用。根据光电子衰减行为随增感浓度的变化得到了最佳增感浓度。图4参10(严寒)TQ…     

AgX:I微晶的光电子衰减时间分辨谱测量

利用高时间分辨的微波吸收薄膜介电谱测量技术,采用自行设计的光电子时间分辨谱测量装置(时间分辨率达到1 ns),精确地测量了不同Agx:I材料在35 ps超短脉冲激光曝光后产生的自由光电子和浅俘获光电子随时间衰减的光电子衰减时间分辨谱,分析了不同的[I-]掺杂条件对材料光电子时间特性的影响关系,得到了影响Agx:I微晶光电子时间特性的最佳[I-]掺杂条件。对立方体AgCl乳剂来说,[I-]含量0.5％,掺杂位置80％Ag处时,乳剂的光电子寿命最长。而对T-颗粒AgBr乳剂而言,[I-]含量3％时,乳剂的光电子寿命最长。碘化物对光电子寿命增大的影响是由于碘化物离子可以作为缺陷电子陷阱,这就使得银簇上的反应减小,当碘化物大于3％时,这一效应由于碘化物团簇的形成而消失。     

甲酸根离子均匀掺杂的卤化银中的光电子特性

甲酸根离子(HCO-2)作为一种“空穴-电子转换剂”掺杂在卤化银中，可以提高潜影形成过程中光电子的利用率,俘获光生空穴，减少潜影形成过程中电子-空穴复合所造成的电子损失；同时还可以释放一个电子，提高感光效率。采用微波吸收介电谱检测技术，检测了不同浓度甲酸根离子均匀掺杂的立方体AgCl和AgBr乳剂在脉冲激光作用下所产生的光电子衰减信号。通过比较光电子的衰减时间和寿命，分析了甲酸根离子的空穴陷阱效应对立方体AgCl和AgBr乳剂中光电子衰减行为的影响，并得到了最佳均匀掺杂浓度（10^-5mol/molAg）。     

卤化银微晶中光电子衰减谱的特性

光电子在卤化银材料潜影形成过程中发挥着重要的作用 ,光电子衰减行为在很大程度上决定于卤化银的晶体结构。采用光学与微波双共振技术 ,测量了自由光电子和浅俘获光电子的衰减谱 ,得到了卤化银中电子陷阱的密度和深度分布。以自由光电子寿命为纽带 ,通过分析掺杂卤化银晶体中电子陷阱的分布情况 ,可以确定浅电子陷阱掺杂剂的最佳掺杂浓度。     

The trapping effect of sulfur sensitization center Ag_2S cluster on T-grain AgBrI microcrystals

Chemical sensitization is a widely adopted technique that improves the photo-graphic sensitivity of silver halide crystals with basic emulsion. Sensitization centers,which can save photoelectrons in the process of latent-image formation, have beenformed on microcrystals after chemical sensitization. Therefore, chemical sensitizationwas widely adopted for many years. Sulfur sensitization is an important chemical sen-sitization technique in all chemical sensitization methods. First, in 1925, Sh…     

Investigation of the photoelectron decay of silver halide microcrystal

The microwave absorption dielectric spectrum can be used to study the decay process of free photoelectrons and shallow-trapped electrons in semiconductor crystals. The decay curve of free photoelectrons and shallow-trapped electrons of silver halide grains is measured using this technique. The influence of iodide and K_4Fe(CN)_6 shallow electron trap dopants on the photoelectron lifetime of silver halide grains is studied. For the unsensitized cubic AgCl crystals, when the free photoelectron lifetime (FLT) reaches a maximum, the photographic efficiency is optimal. From our analysis, we conclude that FLT is the longest for the cubic AgCl crystals doped with 0.5% iodide at 80% doping position and 1×10^{-6} mol K_4Fe(CN)_6/molAg, whereas, for the highly photosensitized cubic AgBrCl crystals doped with K_4Fe(CN)_6, the photographic efficiency is optimal when the FLT reaches its minimum. The free photoelectron lifetime reaches minimum and the sensitivity of AgBrCl emulsion reaches maximum when the doping position is 30%Ag at K_4Fe(CN)_6 content of 10^{-6}mol/molAg.