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相似文献
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1.
沉积参量及时效时间对 SiO2薄膜残余应力的影响   总被引:6,自引:0,他引:6  
SiO2 薄膜由电子束蒸发方法沉积而成。用GPI数字波面光学干涉仪测量了不同沉积条件下玻璃基底镀膜前后曲率半径的变化,并确定了 SiO2 薄膜中的残余应力。在其他条件相同的情况下,当沉积温度由 190 ℃升高到350 ℃时,SiO2 薄膜中的压应力由-156 MPa增大为-289 MPa。氧分压由3.0×10-3 Pa升高到13.0×10-3 Pa时,SiO2 薄膜中的应力由-223.5 MPa变为20.4 MPa。通过对薄膜折射率的测量,发现薄膜的堆积密度随沉积条件的改变也发生了规律性的变化。应力的变化主要是由于沉积时蒸发粒子的动能不同,导致薄膜结构不同引起的。同时,在样品的存放过程中,发现随着存放时间的延长,薄膜中的应力表现出了由压应力状态向张应力状态演变的趋势。  相似文献   

2.
应用射频磁控共溅射方法在石英玻璃和抛光硅片上制备了InP SiO2 复合薄膜 ,并在几种条件下对这些薄膜进行退火 .X射线光电子能谱和卢瑟福背散射实验结果表明 ,复合薄膜中InP和SiO2 的化学组分都大体上符合化学计量配比 .X射线衍射和激光喇曼谱实验结果都证实了复合薄膜中形成了InP纳米晶粒 .磷气氛保护下的高温(5 2 0℃ )退火可以消除复合薄膜中残存的In和In2 O3 并得到了纯InP SiO2 纳米复合薄膜 .实验观察到了室温下纳米复合薄膜的明显的光学吸收边蓝移现象和光学非线性的极大增强  相似文献   

3.
将二氧化硅(SiO2)微球为模板材料分散在聚-4-甲基-1-戊烯(PMP)溶液中,通过对流自组装方法将其涂覆于基片上,经过热致相分离(TIPS)过程形成含SiO2微球模板的PMP薄膜,然后通过氢氟酸(HF)溶液腐蚀除去SiO2微球,获得了具有规则多孔结构的PMP聚合物薄膜。采用扫描电子显微镜(SEM)对含SiO2微球的PMP薄膜以及除去SiO2微球后的PMP多孔薄膜的微结构进行了表征。研究结果表明:SiO2微球在聚合物中呈有序排列,腐蚀除去SiO2微球后PMP薄膜有效复制了SiO2微球形成的有序结构,形成了有序多孔PMP薄膜。  相似文献   

4.
纳米多孔SiO2薄膜的制备与红外光谱研究   总被引:10,自引:2,他引:8  
以正硅酸乙酯为原料,采用溶胶-凝胶法,结合旋转涂胶、超临界干燥工艺在硅片上制备了纳米多孔SiO2薄膜。XRD表明薄膜为无定形态;SEM显示薄膜具有多孔网络结构,其SiO2粒子直径为10~20nm。利用FTIR研究了薄膜的结构,纳米多孔SiO2薄膜含有Si—O—Si与Si—OR结构,呈疏水性;该SiO2薄膜热处理后因含有Si—OH基团而呈吸水性;用三甲基氯硅烷对热处理SiO2薄膜进行修饰可使其呈疏水性,修饰后的薄膜在N2中温度不高于450℃可保持其疏水性与多孔结构。  相似文献   

5.
ZrO_2/SiO_2溶胶-凝胶薄膜膜层间的渗透行为   总被引:1,自引:1,他引:1       下载免费PDF全文
分别以丙醇锆和正硅酸乙酯为原料,采用溶胶-凝胶工艺制备了性能稳定的ZrO2和SiO2溶胶。用旋转镀膜法在K9玻璃上分别制备了单层SiO2薄膜、单层ZrO2薄膜、ZrO2/SiO2双层膜和SiO2/ZrO2双层膜。采用原子力显微镜观察了薄膜的表面形貌,用椭偏仪测量薄膜的厚度与折射率,用紫外-可见光分光光度计测量了薄膜的透射率。对薄膜的透射光谱和椭偏仪模拟的数据进行分析,发现SiO2/ZrO2双层膜之间的渗透十分明显,而ZrO2/SiO2双层膜之间几乎不发生渗透。利用TFCalc模系设计软件,采用三层膜模型对薄膜的透射率进行模拟,得出的透射曲线与用紫外-可见光分光光度计测量的透射曲线十分符合。  相似文献   

6.
采用溶胶-凝胶工艺分别制备了SiO2和ZrO2单层薄膜、ZrO2/SiO2双层膜以及ZrO2/SiO2多层高反膜。用输出波长为1064nm、脉宽为6.3ns的YAG激光器对薄膜进行了激光损伤实验。观察了薄膜经强激光辐照后的损伤情况,讨论了薄膜的激光损伤行为,并从理论上分析了产生这些损伤的原因,为进一步镀制高质量的ZrO2/SiO2多层高反膜提供了依据。  相似文献   

7.
采用溶胶-凝胶法制备nc-Si/SiO2薄膜   总被引:2,自引:0,他引:2  
王蓟  李剑  邢华  宁永强  王立军 《发光学报》2003,24(3):297-300
溶胶-凝胶方法是近年发展起来的一种新型的材料制备技术,被广泛的应用于薄膜、均匀超细粉末和陶瓷涂层的制备中。本文以正硅酸乙酯(TEOS)为原料,在乙醇共溶剂和盐酸催化剂条件下,采用溶胶-凝胶方法制备含有纳米晶硅(nc-Si)的SiO2胶体溶液,通过旋涂法使溶剂迅速挥发而迅速凝胶化,经过适当温度的干燥和烧结制备了nc—Si/SiO2薄膜。探讨了胶体粘度、盐酸催化剂浓度、旋涂速度和时间对成膜质量的影响。给出了nc—S/SiO2薄膜的扫描电镜图像和表征nc-Si/SiO2薄膜组分的能谱图。  相似文献   

8.
SiO2溶胶及其静电自组装薄膜的制备   总被引:4,自引:0,他引:4  
采用HCl催化、NH3 ·H2 O催化、HCl与NH3 ·H2 O分步催化三种途径制备了SiO2 胶体 ,用透射电镜观察了胶体粒子的形貌 .用静电自组装 (ESAM)法制备了聚电解质PDDA与SiO2 胶体粒子的有机 /无机复合光学薄膜 .实验结果表明 ,用HCl催化制备的SiO2 透明溶胶不适合于用ESAM法制备薄膜 ,用HCl与NH3 ·H2 O分步催化以及用NH3 ·H2 O单独催化制备的SiO2 胶体适合于用ESAM法制备光学薄膜 .薄膜的透射电镜微观察结果表明 ,以HCl与NH3 ·H2 O分步催化的SiO2 胶体制备的PDDA/SiO2 薄膜为连续结构 ,NH3 ·H2 O单独催化的为颗粒堆积 .研究了薄膜透光率与薄膜层数的关系 ,考察了薄膜的机械强度 .结果显示 ,以NH3 ·H2 O单独催化的SiO2 胶体制备的光学薄膜的增透效果较好 ,但耐机械擦伤强度较弱  相似文献   

9.
采用双离子溅射的方法,在硅、石英基底上制备了单层Ta2O5、SiO2及双层Ta2O5/SiO2光学薄膜。结合Cauchy色散模型,利用石英基底上单层Ta2O5及双层Ta2O5/SiO2薄膜透射光谱曲线,采用改进的遗传单纯形混合算法,获得了Ta2O5和SiO2薄膜材料在400~700nm波段的光学常数。结果表明,理论分析值与实验测量值取得了很好的一致性,拟合出的单层Ta2O5薄膜折射率误差小于0.001,膜层厚度误差不超过1nm;双层Ta2O5/SiO2薄膜最大折射率误差小于0.004,最大厚度误差小于2.5nm。此外,还对400℃高温环境下双层Ta2O5/SiO2薄膜的微观结构、应力、表面形貌及光学性能变化进行了研究。  相似文献   

10.
结合XRD和原子力显微镜等方法,利用椭圆偏振光谱仪测试了单层SiO2薄膜(K9基片)和单层HfO2薄膜(K9基片)的椭偏参数,并用Sellmeier模型和Cauchy模型对两种薄膜进行拟合,获得了SiO2薄膜和HfO2薄膜在300-800nm波段内的色散关系。用X射线衍射仪确定薄膜结构,并用原子力显微镜观察薄膜的微观形貌,分析表明:SiO2薄膜晶相结构呈现无定型结构,HfO2薄膜的晶相结构呈现单斜相结构;薄膜光学常数的大小和薄膜的表面形貌有关;Sellmeier和Cauchy模型较好地描述了该波段内薄膜的光学性能,并得到薄膜的折射率和消光系数等光学常数随波长的变化规律。  相似文献   

11.
詹瑞云 《波谱学杂志》1995,12(6):613-620
用ESK研究多相氧载体CoO-MgO表面上氧的吸附作用,发现在77-150K温度范围内表面Co2+离子和O2的结合是可逆的,吸附产生Co3+-O2-自由基加合物有超精细结构的ESR谱;当温度增加,吸附态O2-自由基发生转移并稳定在Mg2+离子上形成Mg2+-O2-自由基,文中着重讨论Co3+-O2-自由基的电子结构和成键本质,认为自由基是通过自旋成对的方式形成的,由于σ-л键作用引起的自旋极化以及由于电子离域作用而引起的偶极作用与ESR制的超精细结构线产生有关。  相似文献   

12.
王守武 《物理学报》1958,14(1):82-94
本文用一维模型计算了p-n合金结中少数载流者的一般注射理论。这里假设复合率是与注入载流者的密度成正比。首先,我们讨论了大注射和小注射的两种极端情况,这样得到的结果被用作零级近似解来计算p-n结中注入少数载流者的分布情况。用逐步近似的方法我们得到了注射效率和注射强度(即注入少数载流者的密度与原有多数载流者的密度之比)间的解析关系。在同样的基础上也得到了通过结的总电流密度和注射强度间的类似关系。这理论的结果表明;对一个平常的合金结晶体三极管来说,当发射极电流增加时,发射极的注射效率逐渐下降。在很大的注射强度下,注射效率趋近于极限值1/(1+b),其中b是电子迁移率与空穴迁移率之比。对一个具有很低注射效率的p-n合金结来说,在注射电流小的时候,注射效率是正比于通过结的总电流;当往射电流很大时,注射效率趋近于极限值1/(1+b)。理论结果还表明,在小注射情下,通过p-n合金结的总电流是正比于注射强度;而在大注射情况下,它是正比于注射强度的平方。  相似文献   

13.
冯健  王继锁  高云峰  詹明生 《物理学报》2001,50(7):1279-1283
研究了包括任意的光场非线性和原子光场非线性依赖强度耦合J-C(Jaynes-Cummings)模型中单原子的辐射谱,分析了上述非线性对辐射谱的影响.结果表明,原子的辐射谱强烈地依赖于光场的非线性项R(a+a)及原子光场非线性耦合因子f(a+a)的形式,其谱结构与标准J-C模型中原子的辐射谱明显不同.当腔内充满的非线性介质使得f(a+a)=1/(a+a)1/2时,对于任意的初始光场态,辐射谱总是显示 关键词: 辐射谱 非线性耦合  相似文献   

14.
单晶LaB_6热阴极稳定性研究   总被引:2,自引:2,他引:0  
介绍了用于1+1/2射频腔中的LaB_6热阴极电子枪的结构,通过分析电子枪阴极的热平衡关系和高温、强射频场条件下的阴极电流发射情况,给出了LaB_6热阴极电子枪的热平衡和发射电流的关系曲线,并对阴极稳定性问题进行了仔细研究。  相似文献   

15.
赵光林 《物理学报》1984,33(4):571-574
本文中提出了超导转变温度Tc与离子注入剂量φ的经验关系式,Tc=1.13θDexp[-1/(A/(Φ+1)+B)].将这一关系式和若干实验结果进行了对比,结果表明,计算值与实验结果符合得很好。最后我们讨论了这一关系式的物理基础,认为由于费密面附近出现了杂质能带,导致了样品Tc的变化。 关键词:  相似文献   

16.
乔晓华  孙玉霞 《大学物理》1997,16(3):34-35,37
电子发现100年(续)乔晓华孙玉霞(徽州师范专科学校物理系,安徽黄山245021)另一方面,塞曼在1896年发现钠火焰在磁铁的作用下,D线比通常变宽了,这就是所谓的“塞曼效应”.塞曼认为洛伦兹的电子论能够解释这一现象,便立即把实验结果告诉给洛伦兹.洛...  相似文献   

17.
Y-型沸石上VO(H2O)42+的ESR波谱研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
徐元植  王立 《波谱学杂志》1987,4(4):289-296
本文报道了VO2+在Y型沸石上用不同温度灼烧处理之后测得的两种不同的ESR波谱。提出了VO(H2O)42+离子在沸石笼中的两种可能结构,随着灼烧温度的升高,结构(Ⅰ)减少。到灼烧温度高于600。C时则结构(Ⅰ)完全消失,而对应于结构(Ⅱ)的A也渐渐变小,说明未偶电子离域性增大以致失去电子,V4+则被氧化成V5+。本文利用波谱参数计算了键参数和约化能级。  相似文献   

18.
SrAl2O4:Eu2+的长余辉发光特性的研究   总被引:61,自引:5,他引:56  
本文研究了SrAl2O4:Eu2+材料的发光及长余辉特性.首次得到了这一材料的发光衰减由初始的快衰减和后期的慢衰减过程所组成,以及热释发光光谱出现两个热释发光峰值的实验结果.对所得结果进行了分析讨论,提出了这一材料的发光衰减是由两个足够深的电子陷阱所引起.  相似文献   

19.
电子束辐照平板靶产生喷射冲量的实验研究   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
 喷射冲量是电子束辐照靶结构时引起其结构响应的加载条件。本文论述了近年来我们采用电涡流传感器和直接测量特定时间间隔的探头原理,在“闪光二号”装置上,进行电子束辐照平板靶产生喷射冲量的实验研究。使用的靶材为硬铝和玻璃钢,靶上能通量为70~100 J/cm2,实测冲量为150~210 Pa·s,实测冲量耦合系数基本稳定在2.06 Pa·s/(J/cm2)。  相似文献   

20.
张洪杰  苏锵 《发光学报》1988,9(3):231-235
本文首次研究了Bi3+在具有单斜结构的复合氧化物Ca2YSbO6中的激发和荧光光谱。发现Ca2YSbO6对于Bi3+是一个很有效的基质,该磷光体在315nm激发下,Bi3+产生很强的宽带发射,峰值位于400nm。荧光强度随Bi3+化学组成的改变发生明显规律性的变化,当Bi3+浓度为0.04摩尔时发光尤为有效。该磷光体有可能成为黑光灯粉和合成维生素c光化反应的光源。  相似文献   

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