高静水压诱导水稻产生突变的研究

 以78 MPa高静水压力处理已浸泡10 h的水稻（Oryza sativa L.）粤香占、粤丰占和测64种子12 h，成苗后移栽至大田，对其处理当代和后代的农艺性状进行调查和分析，结果表明，处理当代中，粤香占、粤丰占和测64的穗粒数分别增加了5.2%、1.2%和17.0%，且测64达到显著性差异水平；测64处理的生育期延长10 d，而粤香占和粤丰占则分别早熟5 d和2 d 。在处理的当代和后代中出现了可遗传的突变体，突变性状中既有质量性状也有数量性状，其中紫色叶鞘和穗下节伸长属于质量性状突变，株高、粒长和穗粒数等属于数量性状突变。突变频率因品种不同而存在差异，表现为：测64>粤丰占>粤香占。通过4年6代的筛选，共获得近100份包括叶、茎、穗、粒、育性和生育期等性状发生明显变异的突变体，已稳定的突变株系22个，其中7个突变株系的综合性状明显较对照好，具有良好的应用前景。     

高压处理后水稻抗氧化酶活性及对逆境胁迫的响应

 对经高静水压处理的水稻粤香占（Oryza sativa L. cv. Yuexiangzhan）种子播种后的植株进行了抗氧化酶活性的测定和对逆境胁迫响应的研究。结果表明,高压处理抑制了水稻生长早期（12 d）色素和蛋白质含量的增加,并使早期抗氧化酶活性表现较对照低。随着播种天数增加,经高压处理的材料中的色素、蛋白质含量不同程度地增加,抗氧化酶活性发生改变,至播种后32 d时,高压处理的叶绿素含量和可溶性蛋白含量都高于对照粤香占。在自然低温条件下,经高压（干压、湿压）处理的植株其Rubisco大、小亚基含量和光合色素含量较高,抗光抑制能力增强,具一定的耐低温性。     

水稻压致变异和高压对水稻生长发育的影响

 将高收获指数型优质籼稻（Oryza sativa L.）品种“粤香占”种子在不同条件下进行了3个生长周期的高压种子处理和实验室种植试验。稻种经高压处理后,与对照样品相比,当代种子发芽和秧苗成长较慢且植株个体差异较大;后期生长较快,分蘖数及产量与对照样持平或有所增加。受压样品产生了4种新的植株变异,其中2种为不育植株,另外两种变异植株种植至F2及F3代,变异性状都能稳定遗传。表明高压不仅可以对水稻当代植株生理产生明显的影响,而且可以诱导水稻产生明显和稳定的可遗传变异。     

高静水压对水稻种子萌发及同工酶的影响

 利用不同静水压力和不同保压时间处理了籼稻粤香占种子，研究发现，随着压力的增加和保压时间的延长，水稻发芽率和成苗率明显下降，高压处理后的水稻在苗期的生长受到明显抑制，大约生长30 d株高才赶上对照；聚丙烯酰胺凝胶电泳显示高静水压力抑制了种子幼苗的酯酶（Esterase）同工酶的表达，但对其它几种同工酶如过氧化物酶（Peroxidase）、超氧化物歧化酶（Superoxider Dismutase）和苹果酸酶（Malic Enyme）等影响较小。利用同一压力和保压时间处理，不同类型的水稻（Oryza sativa L.）品种种子，其中包括籼稻（粤香占和南京11）、粳稻（秋光和台中65）和中间类型Bulu稻（Bulu Gendjah 和Bulu Rusa），结果发现所有类型水稻种子的发芽率和成苗率都显著降低，但因水稻类型的不同其影响程度也不同，籼型水稻南京11和粤香占的耐压性最弱，粳型水稻秋光和台中65最强，中间型Bulu水稻Bulu Gendjah和 Bulu Rusa居中。上述结果表明，静水高压能够显著降低水稻的种子的发芽率和成苗率，抑制幼苗前期的生长和酯酶同工酶的表达。     

高压对纳米ZnO和ZnO/SnO2复合材料的结构和发光性能的影响

 利用溶胶-凝胶法制备出了纳米晶ZnO与含有3%摩尔分数SnO₂的ZnO/SnO₂复合材料,在六面顶压机上对制备出的两种样品进行了室温下、6GPa的高压处理。采用X射线衍射（XRD）、透射电子显微镜（TEM）和光致荧光谱（PL）等方法,对高压处理前后样品的结构和发光性质进行了表征。结果表明：高压处理后回收到的纳米晶ZnO和ZnO/SnO₂复合材料的平均粒径分别减小5.9%和26.3%;高压处理后ZnO和ZnO/SnO₂复合材料光致发光谱的发光带强度都有所降低,但ZnO/SnO₂复合材料发光带强度降低幅度比纯ZnO小,对产生这些现象的原因进行了讨论。     

Gd2O2S:Eu荧光谱及能级的高压研究

 在21 500~11 500 cm^-1光谱区间内测量了Gd₂O₂S:Eu的荧光光谱，测量是在室温和液氮条件下进行的，对122条低温谱线和96条常温谱线进行了指认。识别了Eu³⁺离子⁵D_0~2及⁷F_0~6的39个斯塔克能级中的35个能级。在0~15 GPa压力范围内，研究了Gd₂O₂S:Eu高压下的发射光谱。在压力作用下，发现所有观测到的谱线都红移，强度降低。6个⁵D_0~2能级下降速度大于⁷F_J，⁵D₂、⁷F_2~5多重态的斯塔克劈裂变大，而⁵D₁和⁷F₁的劈裂变小。     

LaOBr:Tb3+，Dy3+的发光特性及高压研究

 采用高温常压方法合成了稀土发光材料LaOBr:Tb³⁺，Dy³⁺，采用高温高压方法对材料进行了处理，研究了高温高压处理前后样品发光特性的变化，并进行了发光衰减测量。结果表明，Dy³⁺的掺杂可以将Tb³⁺的⁵D₃能级的激发能有效地驰豫到⁵D₄能级，从而使⁵D₄~⁷F_J（J＝0, 1,…,6）的发射，尤其是⁵D₄~⁷F₅的发射明显增强，使得样品的发光亮度大大提高。Dy³⁺，Tb³⁺间存在交叉驰豫共振能量传递。高压处理过程引入的杂质、材料氧化及压致晶场变化都对材料的发光特性产生影响。     

高压对以沸石分子筛基质的Eu（Ⅲ）稀土发光材料荧光光谱影响的研究

 本文研究了高压下无机微孔材料的相转变，并讨论了压力对离子交换的Eu（Ⅲ）NaA和Eu（Ⅲ）NaY两种以沸石分子筛为基质的稀土发光材料发光性质的影响。实验结果表明，对于不同基质材料，压力对Eu（Ⅲ）离子的光谱结构的影响，尤其是对⁵D₀→⁷F₁磁偶极跃迁与⁵D₀→⁷F₂电偶极跃迁强度比（I_m/I_e）的影响十分显著。对于Eu（Ⅲ）NaA样品来说，I_m/I_e值随压力的增加而增加，而对于Eu（Ⅲ）NaY样品，I_m/I_e值随压力的增加而减少。     

氧化物超导体的高压热处理及烧结

 本文利用高温高压条件，对氧化物超导体进行了不同条件的高压热处理及烧结。发现对SrLa(CuAg)₁O_x在空气中烧结的超导体，适当条件的高压热处理，使T_c从20 K提高到28 K。在Y₁Ba₂Cu₃O_7-δ系氧化物中，无论是对空气中烧结的已超导样品的高压热处理，或者直接在高压下烧结样品，均未使T_c得到提高，但是，经过高压烧结，超导样品的硬度显著提高，密度也有所增加，并且改变了超导相的晶格常数。     

天然及合成的硅灰石的高压研究

 研究了天然硅灰石（CaSiO₃）的压致相变，并采用高温高压方法直接合成了硅灰石。结果表明：天然硅灰石经高压（4.6~5.0 GPa）高温（1 200~1 250 ℃）处理后转变为深玫瑰色半透明立方晶体，而采用高温（1 050~1 100 ℃）高压（3.8~4.3 GPa）直接合成的硅灰石也具有同样结构及形貌。SEM分析表明：天然硅灰石SiO₂及CaO的含量分别为50.8%和48.1%，而人工合成的产物SiO₂及CaO含量分别为51.35%和48.15%。     

水稻高压诱变与突变体的ISSR分析

 以两个水稻（Oryza sativa L.）品种粤香占和毕粳38号为材料,通过高压处理,获得了5个当代突变体和4个后代分离出的突变体。ISSR分析表明高压可以诱导水稻产生变异,这种变异是由于遗传物质（DNA）的改变所引起的。由高压诱变产生的水稻突变体不仅在当代出现,而且具有很高的遗传稳定性,突变体与原种的遗传差异越大,其稳定性越高。     

A Theoretical Study of Super-Excited States of F2

In the framework of quantum defect theory, we study super-excited states of F2 molecules which can dissociate into F^＋ （^3P2,1,0） and F^-（^1 So） ion-pair. Based on our calculation, we present a vibrational resolved assignment of the high precision photofragment yield spectra for F^- from the F2 ion-pair production.     

纳米离子导体在流体静压力下的复阻抗谱研究

 用惰性气体蒸发和真空原位加压方法制备了具有清洁界面的平均粒度16 nm的纳米固体CaF₂，并在0.1~2 400 MPa范围不同的静水压下用100 kHz~100 Hz内70种频率，精确测量了纳米CaF₂的复平面阻抗谱。分别给出纳米CaF₂离子电导率和相对介电常数随流体静压力的变化规律。最后的讨论指出：离子迁移通遭受压后的变化（大于、等于或小于最佳值）是影响离子电导率-压力曲线的主要因素；界面层空间电荷极化是造成纳米CaF₂相对介电常数较大的原因，由此界面效应可理解介电常数-压力曲线。     

流体静高压原位磁测量的误差研究──（1）漏磁场的影响

 通过五种不同环境分别做原位磁测量和对比，详细研究了13层密绕直螺线管的漏磁通在同步箍紧式高静水压容器内引起的相对误差（Δc₀/c₀）。结果表明：（1）对于空心次级线圈，Δc₀/c₀为-1.90%～-1.27%（400 Hz）或-0.36%～-0.64%（1 000 Hz）。（2）对于钝铁纳米微粉的（Fe-5H）样品，其磁化曲线及起始磁化曲线均为直线，即具有恒磁导率μ。漏磁通过在高压容器内引起的相对误差，Δμ/μ＝3.9%～3.8%，比（2）约大一倍。     

Cr对Fe-Zr基非晶合金电阻率及压力效应的影响

 在0.000 1~2.5 GPa范围不同静水压下，用四探针法详细测量了七种非晶态Fe_90-xCr_xZr₁₀合金（x=2、4、7、10、13、16、20）的电阻率。结果表明：（1）常压室温电阻率ρ₀与FeZr基非晶合金中Cr含量成N形曲线关系；（2）当静水压增加时，七种非晶合金的约化电阻率（ρ/ρ₀）都单调下降，x越大则电阻率下降的幅度越小；（3）非晶Fe_90-xCr_xZr₁₀合金电阻率的压力系数对x的变化相当敏感；（4）为方便查值，给出了六种典型静水压下ρ/ρ₀与x的曲线关系。最后，讨论了四种物理模型的选用以及相干交换散射在高压下的行为。     

Pseudogap and Superconducting Gap in SmFeAs（O1-xFx） Superconductor from Photoemission Spectroscopy

High resolution photoemission measurements are carried out on non-superconducting SmOFeAs paxent compound and superconducting SmFeAs（O1-xFx） （x = 0.12, and 0.15） compounds. The momentum-integrated spectra exhibit a clear Fermi cutoff that shows little leading-edge shift in the superconducting state. A robust feature at 13 meV is identified in all these samples. Spectral weight suppression near IF, F with decreasing temperature is observed in both undoped and doped samples that points to a possible existence of a pseudogap in these Fe-based compounds.