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共有20条相似文献,以下是第1-20项 搜索用时 187 毫秒

1.  用SiCl4-H2低温沉积多晶硅薄膜微结构的Raman分析  被引次数:5
   林璇英  黄创君  林揆训  余运鹏  余楚迎  黄锐《物理学报》,2004年第53卷第5期
   用拉曼散射谱研究以SiCl4 H2 为气源 ,用射频辉光放电等离子体增强化学气相沉积技术 ,在 2 0 0℃低温下沉积多晶硅薄膜的微结构特征 .结果表明 ,薄膜表层包含有大量微晶相的纳米硅晶粒和非晶相的硅聚合物 ,随射频功率增加 ,晶相结构的成分增大 .另一方面 ,深度拉曼谱分布的研究也显示薄膜的晶化度和晶粒尺度随纵向深度的增加逐渐增大 .因此可以认为 ,在多晶硅薄膜生长的最初阶段 ,空间反应过程对低温晶化起重要作用 .    

2.  用SiCl4-H2低温沉积多晶硅薄膜微结构的Raman分析  被引次数:5
   林璇英  黄创君  林揆训  余运鹏  余楚迎    《物理学报》,2004年第53卷第5期
   用拉曼散射谱研究以SiCl4/H2为气源,用射频辉光放电等离子体增强化学气相沉积技术,在200℃低温下沉积多晶硅薄膜的微结构特征.结果表明,薄膜表层包含有大量微晶相的纳米硅晶粒和非晶相的硅聚合物,随射频功率增加,晶相结构的成分增大.另一方面,深度拉曼谱分布的研究也显示薄膜的晶化度和晶粒尺度随纵向深度的增加逐渐增大.因此可以认为,在多晶硅薄膜生长的最初阶段,空间反应过程对低温晶化起重要作用.    

3.  SiCl4浓度对微晶硅薄膜生长及光电特性的影响  
   祝祖送  张杰  尹训昌  易明芳  闻军《人工晶体学报》,2016年第4期
   研究了SiCl4浓度对等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中以SiCl4/H2为反应气体的微晶硅薄膜生长及光电特性的影响.结果表明,微晶硅薄膜的沉积速率和晶化率均随SiCl4浓度的增加而增大,而晶粒平均尺寸在SiCl4浓度小于65%时呈增大趋势,在SiCl4浓度大于65%时呈减小趋势;此外,光照实验表明制备的微晶硅薄膜具有较稳定的微观结构,具有类稳恒光电导效应,且样品的电导率依赖于SiCl4浓度的变化.此外,还讨论了Cl基基团在微晶硅薄膜生长过程中所起的作用.    

4.  电子助进化学气相沉积金刚石中发射光谱的蒙特卡罗模拟  
   王志军  董丽芳  尚勇《物理学报》,2005年第54卷第2期
   采用蒙特卡罗方法,对源料气体为CH4/H2混合气的电子助进化学气相沉积(EACVD)中 的氢原子(H)、碳原子(C)以及CH基团的发射过程进行了模拟.研究了CH4浓度、反应室气压 和衬底偏压等工艺参数对发射光谱及成膜的影响.研究发现,CH基团可能是有利于金刚石薄 膜生长的活性基团,而碳原子不是;偏压的升高可提高电子平均温度及衬底表面附近氢原子 的相对浓度;通过氢原子谱线可测定电子平均温度并找到最佳成膜实验条件.该结果对EACVD 生长金刚石薄膜过程中实时监测电子平均温度,有效控制工艺条件,生长出高质量的金刚石 薄膜具有重要的意义.    

5.  氢气稀释比例对多晶硅薄膜微观结构和沉积特性的影响  
   宋莎莎  左潇  魏钰  陈龙威  舒兴胜《核聚变与等离子体物理》,2014年第3期
   利用电感耦合等离子体增强化学气相沉积法(ICP-PECVD)直接在普通玻璃衬底上低温沉积多晶硅薄膜,主要研究了不同氢气稀释比例对薄膜沉积特性和微观结构的影响。采用X射线衍射仪(XRD)、拉曼光谱仪和扫描电子显微镜(SEM)表征了在不同氢气比例条件下所制备多晶硅薄膜的微结构、形貌,并对不同条件下样品的沉积速率进行了分析。实验结果表明:随着混合气体中硅烷比例的增加,薄膜的沉积速率不断增加;晶化率先增加,后减小;当硅烷含量为4.8%时,晶化率达到最大值67.3%。XRD和SEM结果显示多晶硅薄膜在普通玻璃衬底上呈柱状生长,且晶粒排列整齐、致密,这种结构可提高载流子的纵向迁移率,有利于制备高效多晶硅薄膜太阳能电池。    

6.  不同衬底表面上大晶粒多晶Si薄膜的制备  
   马蕾  张雷  王侠  彭英才《人工晶体学报》,2008年第37卷第6期
   利用高频感应加热化学气相沉积(HFCVD)工艺,以H2稀释的SiH4作为反应气体源,分别在n-(111)Si衬底上常规热生长的SiO2层、织构的SiO2层和纳米晶粒多晶Si薄膜表面上,制备了具有均匀分布的大晶粒多晶Si膜。采用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)等检测手段,测量和分析了沉积膜层的表面形貌、晶粒尺寸、密度分布与择优取向等结构特征。结果表明,多晶Si膜中Si晶粒的尺寸大小和密度分布不仅与衬底温度、SiH4浓度与反应气压等工艺参数有关,而且强烈依赖于衬底的表面状态。本实验获得的最好的薄膜中,Si晶粒平均尺寸约为2.3μm,密度分布约为3.8×10^7/cm^2。对薄膜的沉积机理分析表明,衬底表面上Si原子基团的吸附、迁移、成核与融合等热力学过程支配着大晶粒多晶Si膜的生长。    

7.  微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积法制备多晶硅薄膜  
   左潇  魏钰  陈龙威  舒兴胜  孟月东《核聚变与等离子体物理》,2012年第32卷第4期
   利用微波电子回旋共振等离子体增强型化学气相沉积(ECR-PECVD)采用一步法直接在K9玻璃上低温沉积制备了多晶硅薄膜.研究了不同实验参数对薄膜沉积的影响,采用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱、扫描电子显微镜(SEM)等实验分析方法对不同条件下制备的样品进行了晶体结构和表面形貌分析,并讨论了多晶硅薄膜沉积的最佳条件.实验结果表明,玻璃衬底上多晶硅薄膜呈柱状生长,并有一定厚度的非晶孵化层;较高氢气比例和衬底温度有利于结晶,薄膜的结晶率达到了62%;晶粒团簇的最大尺寸约为500nm.    

8.  氢稀释对多晶硅薄膜结构特性和光学特性的影响  被引次数:2
   黄锐  林璇英  余云鹏  林揆训  祝祖送  魏俊红《物理学报》,2006年第55卷第5期
   以SiCl4和H2为气源,用等离子体增强化学气相沉积技术,在250℃的低温下,研究氢稀释度对多晶硅薄膜结构特性的影响.实验结果表明,对于以SiCl4和H2组成的反应源气体,氢对薄膜生长特性的影响有异于SiH4/H2,在一定功率下,薄膜的晶化率随氢稀释度的减小而增加,在一定的氢稀释度下薄膜晶化度达到最大值85%;随着氢稀释度的继续减小,薄膜晶化度迅速下降,并逐渐向非晶态结构转变.随氢稀释度的减小,薄膜的光学带隙由 1.5eV减小至约1.2eV,而后增大至1.8eV.沉积速率则随氢稀释度的减小先增加后减小,在无氢条件下,无薄膜形成.在最佳氢稀释度条件下,Cl基是促进晶化度提高,晶粒长大的一个主要因素.    

9.  PECVD沉积硅薄膜退火性质的分析  
   张林睿  周炳卿  高玉伟  张龙龙  张娜  路小翠《人工晶体学报》,2014年第12期
   利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)制备硅薄膜,对硅薄膜进行退火处理。通过X射线衍射谱,拉曼光谱以及傅里叶变换红外吸收光谱,研究了退火温度在550~700℃范围内,硅薄膜退火过程中的生长特性。实验表明:多晶硅的晶粒尺寸并不随着退火温度的提高而持续增大,当退火温度在550~650℃范围内,硅薄膜始终表现出(111)方向的择优生长取向。当退火温度高于650℃时,氧原子活性增强,硅-氧键增加。对于存在应变、已结晶的薄膜,由于内部应力的累积,薄膜更容易随着退火温度的升高而脱落。    

10.  用SiCl4/H2气源沉积多晶硅薄膜光照稳定性的研究  被引次数:1
   祝祖送  林璇英  余云鹏  林揆训  邱桂明  黄锐  余楚迎《物理学报》,2005年第54卷第8期
   对以SiH4/H2及SiCl4/H2为源气体、采用等离子体增强化学气相沉积技术制备的非晶硅薄膜和多晶硅薄膜进行了光照稳定性的研究.实验表明,制备的多晶硅薄膜并没有出现非晶硅中的光致衰减现象,其光电导、暗电导在光照过程中没有下降反而有所上升且电导率变化快慢受氢稀释度的制约.多晶硅薄膜的光照稳定性可能来源于高的晶化度及Cl元素的存在.    

11.  气体滞留时间对高速沉积的微晶硅薄膜性能的影响分析  
   郭群超  耿新华  孙建  魏长春  韩晓艳  张晓丹  赵颖《物理学报》,2007年第56卷第5期
   实现高速沉积对于薄膜微晶硅太阳电池产业化降低成本是一个重要手段.采用超高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,实现了微晶硅硅薄膜的高速沉积,并通过改变气体总流量改变气体滞留时间,考察了气体滞留时间在化学气相沉积(CVD)过程中对薄膜的生长速率以及光电特性和结构特性的影响.采用沉积速率达到12?/s的高速微晶硅工艺制备微晶硅电池,电池效率达到了5.3%.    

12.  螺旋波等离子体化学气相沉积纳米硅薄膜的光学发射谱研究  被引次数:4
   于威  王保柱  杨彦斌  路万兵  傅广生《物理学报》,2005年第54卷第5期
   利用光学发射谱技术对螺旋波等离子体化学气相沉积纳米硅薄膜的等离子体内活性粒子的光发射特征进行了原位测量.研究了薄膜沉积过程中各实验参量对活性基团SiH*, Hβ以及Hα的发射谱强度的影响.实验结果表明,静态磁场的加入可显著提高反应气体 的解离效率 ;适当的氢稀释可以提高氢活性粒子的浓度,而过高的氢稀释比将使含硅活性基团浓度显著 减小;提高射频馈入功率整体上可以使各活性粒子的浓度增加,并有利于提高到达衬底表面 氢活性粒子的相对比例.结合螺旋波等离子体色散关系和等离子体特点对以上结果进行了分 析.该结果为螺旋波等离子体沉积纳米硅薄膜过程的理解及制备工艺参数的调整提供了基础 数据.    

13.  变温生长多晶硅对8 inch硅片几何参数影响  
   曲翔  徐继平  王海涛  何宇  王新  杨凯  王磊《人工晶体学报》,2018年第7期
   随着硅片技术的不断发展,硅片背表面沉积多晶硅技术得到了广泛应用。在硅片背表面沉积多晶硅时,温度是其整个过程中最重要的控制参数。通过改变620℃与660℃沉积膜厚比例,测试不同膜厚比例的翘曲、弯曲、晶粒大小、洁净区深度等重要参数,并结合实际需求,确定了以先620℃沉积200 nm,再用660℃沉积600 nm的工艺。该工艺既能满足后道工序对于洁净区的要求,又能有效降低硅片的几何形变。    

14.  正轴6H-SiC 衬底上3C-SiC薄膜的低压化学气相沉积生长  
   郑海务  傅竹西  林碧霞  李晓光《化学物理学报》,2007年第20卷第3期
   活性的O-和OH-被认为在苯酚形成过程中起了重要作用.通过低压化学气相沉积,在正轴6H-SiC(0001)衬底上沉积了3C-SiC薄膜,X射线衍射表明薄膜结晶质量良好.研究了生长参数对生长速率的影响,发现硅烷及其分解产物的输运是薄膜生长的限定因素.用原子力显微镜观察薄膜的表面形貌.这些结果表明薄膜的生长符合S-K方式.    

15.  多晶硅薄膜低温生长中的表面反应控制  被引次数:2
   贺德衍《物理学报》,2001年第50卷第4期
   报道用SiF4和H2的间接微波等离子体化学气相沉积方法低温生长多晶硅(poly-Si)薄膜.实验发现,等离子体中的离子、荷电集团对薄膜生长表面的轰击是影响薄膜结晶质量的重要因素之一.通过外加偏压抑制这些荷电粒子的动能是控制表面生长反应、制备高质量ploy-Si薄膜的有效方法.在合适的外加偏压下制备的poly-Si薄膜,氢含量仅约为0.9at%,中心位于520cm-1的Raman特征峰半高宽约为4.4cm-1.    

16.  VHF-PECVD制备微晶硅薄膜的微结构研究  
   张丽伟  余泽通  杨根  卢景霄《人工晶体学报》,2009年第38卷第1期
   用甚高频等离子体化学气相沉积(VHF-PECVD)法在玻璃衬底上低温制备了不同沉积时间微晶硅薄膜.用拉曼散射光谱仪、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)等表征手段对薄膜的微观结构进行了研究.研究结果表明:随着沉积时间的延长,薄膜呈岛状生长,薄膜晶粒度在微晶核形成后迅速升高并逐渐饱和;其微观结构经历了"非晶相→非晶/微晶混合相→微晶相"的演变过程.本实验制备的微薄膜仍以(111)为优化取向.    

17.  氦气对MPCVD沉积金刚石的影响  
   曹为  马志斌  陶利平  高攀  李易成  付秋明《光谱学与光谱分析》,2015年第3期
   为了确定添加氦气对微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)金刚石膜的影响,采用发射光谱法(OES)在线诊断了CH4-H2-He等离子体的发射光谱特性,研究了He对等离子体内基团空间分布的影响;并利用扫描电子显微镜(SEM)和拉曼(Raman)光谱对不同He体积分数下沉积出的金刚石膜进行了表征。结果表明:随着He体积分数的增加,等离子体内Hα,Hβ,Hγ,CH和C2基团的谱线强度均呈上升趋势,其中Hα基团的谱线强度增加最大。光谱空间诊断发现He的加入导致等离子体中各基团的空间分布均匀性变差,造成沉积出的金刚石膜厚度极不均匀。沉积速率测试表明,He的加入导致碳源基团相对浓度增加,有利于提高薄膜的沉积速率,当He体积分数由0 vol.%增加至4.7 vol.%时,沉积速率提高了24%。SEM测试结果表明,随着He体积分数的增加,金刚石膜表面形貌由(111)晶面取向向晶面取向混杂转变,孪晶生长明显。高He(4.7 vol.%)体积分数下由于C2基团的相对浓度较高,导致二次形核密度增加。此外,由于基片台受到等离子体的刻蚀和溅射作用,导致薄膜沉积过程中引入了金属杂质原子。二次形核和杂质原子的存在使得孪晶大量的产生,薄膜呈现出压应力。    

18.  H2对Ar稀释SiH4等离子体CVD制备多晶硅薄膜的影响  
   祁菁  金晶  胡海龙  高平奇  袁保和  贺德衍《物理学报》,2006年第55卷第11期
   以SiH4,Ar和H2为反应气体,采用射频等离子体化学气相沉积方法在300℃下制备了低温多晶Si薄膜.实验发现,反应气体中H2的比例是影响薄膜结晶质量的重要因素,在适量的H2比例下制备的多晶Si薄膜具有结晶相体积分数高,氢含量低,生长速率快、抗杂质污染等特性.    

19.  纳米晶粒多晶Si薄膜的低压化学气相沉积  被引次数:7
   彭英才  马蕾  康建波  范志东  简红彬《人工晶体学报》,2006年第35卷第3期
   利用低压化学气相沉积(LPCVD)方法,以充Ar的S iH4作为反应气体源,在覆盖有热生长S iO2层的p-(100)S i衬底上制备了具有均匀分布的纳米晶粒多晶S i膜(nc-poly-S i)。采用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和拉曼谱等检测手段,测量和分析了沉积膜层的表面形貌、晶粒尺寸与密度分布等结构特征。结果表明,nc-poly-S i膜中S i晶粒的尺寸大小和密度分布强烈依赖于衬底温度、S iH4浓度与反应气压等工艺参数。典型实验条件下生长的S i纳米晶粒形状为半球状,晶粒尺寸约为40nm,密度分布约为4.0×1010cm-2和膜层厚度约为200nm。膜层的沉积机理分析指出,衬底表面上S i原子基团的吸附、迁移、成核与融合等热力学过程支配着nc-poly-S i膜的生长。    

20.  碳氢基团在孕镶金刚石表面吸附作用的机理研究  
   简小刚  甘熠华《人工晶体学报》,2018年第4期
   为了探究活性碳氢基团在CVD过程中的实际作用,基于第一性原理的平面波赝势方法并结合孕镶金刚石基底表面缺陷的特性,从理论上计算了以CH_4/H_2为气源的CVD过程中各种碳氢活性基团(C、CH、CH_2和CH_3)的自由能,具体分析了各种基团在基底表面的吸附过程以及吸附难易程度。结果表明:CH_3、CH_2、CH、C粒子在基底上的吸附能力逐渐减弱,CH_3粒子吸附能最高,是促进CVD金刚石涂层生长的最有利基团。CH、C基团与基底碳原子成键接近石墨键,是不利于金刚石涂层生长的基团,会导致CVD金刚石薄膜产生一定的无定形碳和晶格缺陷。根据这一结论,在CVD沉积实验中,可适当调整实验参数以增加反应腔室中CH_3的浓度,从而沉积出更高品质的CVD金刚石涂层。    

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